光盘驱动器、光学存储介质制造技术

技术编号:6530616 阅读:407 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种检测光存储介质的方法,所述光存储介质包括同心形成或者螺旋形成的多个轨道,该多个轨道用于使用标记和标记之间的间隔来记录信息,每个标记具有由运行长度限制(RLL)调制限制的标记长度,其中不包括相邻于最短标记和/或者最短间隔的边缘的信号指示第一重放信号质量。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用标记(mark)和间隔(space)来记录信息的光存储介质,用于记录、读取或者删除光存储介质上的数据的光盘驱动器,用于确定光存储介质是良好还是有缺陷的光存储介质检验装置,以及用于确定光存储介质是良好还是有缺陷的光存储介质检验方法。
技术介绍
DVD (数字多媒体光盘)作为高密度、高容量存储介质,实际被作为高密度、高容量存储介质而研发,今天广泛作为处理视频和其它这样的较大信息量的数据介质。研发能够记录到两个数据记录层的双层光存储介质的研发已经被不同的制造商所报道,作为实现光存储介质具有更大的存储容量的手段。研发记录以及读取大量数据的装置也在许多前沿上展开,并使用不同的方法来实现记录密度的增加。这样的一种方法有相变光盘驱动器,其使用晶体和无定形状态之间的可逆相变。日本专利公开出版物No. 2000-200418说明了通过将光束发射到相变光存储介质而记录和读取的技术。图20显示了使用在光学记录和重放系统的光学拾音头中作为能够读写数据的光盘驱动器的普通光学系统的结构。半导体激光1光源发射线性偏振发散光束70,振动波长 λ 1为405nm。从半导体激光1发射的发散光束70通过具有15mm的焦距的准直透镜53转换为平行光,然后入射到衍射光栅58上。入射到衍射光栅58上的发散光束70被分为三级光束,0、+/-1衍射光。0级衍射光是数据记录和重放的主光束,+/-1级衍射光是两个次光束 70b和70c,在通过微分推挽(DPP)方法检测跟踪误差(TE)信号时使用以稳定检测TE信号。 零级光束和一个第一级光束之间的衍射光栅的衍射效率比通常从10 1设置到20 1以避免通过次光束70b和70c不必要的记录,此处假设为20 1。通过衍射光栅58所产生的三束光束,即主光束70a和次光束70b和70c,通过偏振光束分束器52、1/4波片54,并被转换为圆偏振光,所述圆偏振光然后通过具有3mm焦距的物镜56被转换为会聚光束,并通过光存储介质40的透明层40a聚焦在数据记录层40b上。物镜56的孔径被孔径55所限制到0. 85数值孔径(NA)。透明层40a的厚度为0. 1mm。光存储介质40具有数据记录层40b 和透明层40a。数据记录层40b是半透明薄膜并且只有一部分入射光束通过。通过数据记录层40b的光束用于读取和写数据到数据记录层40c。图25显示了根据现有技术的光存储介质40的轨道结构。此光存储介质40是在槽状轨道(槽轨道1301)具有记录区域的光存储介质,槽轨道以连续螺旋形成。图21显示了在数据记录层40b上光束和轨道之间的关系。连续的槽作为轨道形成,并被识别为光存储介质40的轨道Tn-I、Τη、Tn+1。轨道周期Tp为0. 32 μ m。激光束被定位,这样当主光束70a处于轨道上时,次光束70b和70c在轨道之间。即,在与轨道正交的方向上主光束和次光束之间的距离是0. 16 μ m0对于DVD介质,数据使用8-16调制进行记录,即,使用标记和间隔具有的长度是基于周期T的整数倍,最短的标记长度和最短的间隔长度是3Τ。最短的标记长度是0. 185 μ m。通过数据记录层40b反射的主光束70a和次光束70b和70c通过物镜56和1/4 波片54,并相对入射路线转变90度为线性偏振光,并通过偏振光束分束器52反射。通过偏振光束分束器52反射的主光束70a和次光束70b和70c在它们通过聚光透镜59、通过柱面透镜57并入射到光电探测器32时被转换为会聚光。在它们通过柱面透镜57时,象散差被加到主光束70a和次光束70b和70c中。如图22中所示,光电检测器32具有八个接收器32a至32h,接收器32a_32d检测主光束70a,接收器32e、32f检测次光束70b,接收器32g、32h检测次光束70c。接收器 32a-32h分别根据所检测到的光量输出电流信号I32a至I32h。来自象散差方法的聚焦误差(FE)信号如下述获得(I32a+I32c)-(I32b+I32d)来自DPP方法的TE信号如下述获得{(I32a+I32c) - (I32b+I32d)} -a* {(I32e-I32f) + (I32g_I32h)},a 是依赖于衍射光栅的衍射效率的系数,此处为10。记录到光存储介质40的数据(RF)信号是I32a+I32b+I32c+I32d0在放大到预定的电平和相位补偿之后,FE信号以及TE信号被供给到启动器91和 92以用于聚焦和跟踪控制。RF信号的眼孔图样显示在图23中。记录到光存储介质40的数据通过将RF信号输入到横向滤波器并加重高频带,数字化所述信号,然后解调数字信号。由于8-16调制产生DC自由码,通过对时间积分二进制信号的Is和Os并施加微分操作,二进制阈值SL可以很容易设置到眼的中心。相变类型的光盘驱动器使用两个功率电平将半导体激光发射到光存储介质,峰值功率电平用于将记录层从晶相转变到非晶相,偏压功率级用于将其从非晶相改变到晶相, 由此在光存储介质上形成非晶标记并在标记之间形成晶体间隔以记录数字信息。这些标记和间隔的反射率由于标记和间隔的晶态之间的差异而不同,而且此反射率之间的差异在重放的过程中被使用以读取所述记录的信号。图24显示了根据现有技术的相变类型光盘驱动器的结构。如图24中所示,此光盘驱动器具有光学拾音头1202,用于将激光束发射到光存储介质40并接收来自光存储介质40的反射光;重放装置1203 ;重放信号质量检测器1204 ;最佳记录功率确定装置1205 ; 记录装置1208 ;激光驱动电路1207 ;以及记录功率确定装置1206。在光存储介质40被加载到光盘驱动器,并且用于识别介质类型以及旋转控制的特定操作完成之后,光学拾音头1202移动到用于设置最佳记录功率的区域。此区域是在用户数据被记录的用户区域的盘外部的内周或者外周上的预定区域。所述峰值、偏压和底部功率电平对于相变介质进行确定,但是此处描述一种用于确定峰值功率的方法。初始峰压和偏压电平通过记录功率确定装置1206被设置在激光驱动电路1207 中。记录装置1208然后发出信号,用于将一个槽轨道记录到激光驱动电路1207,所述信号通过光学拾音头1202记录。光学拾音头1202的半导体激光部分的输出光束此时聚焦为光存储介质40上的光电,以根据光束发射波形来形成记录标记。当记录完成时,光学拾音头1202的半导体激光在读功率电平发射以重放刚被记录的轨道,根据光存储介质40上的这些记录标记的存在而变化的信号1209被作为重放信号输入到重放装置1203中。包括放大、均衡和数字化的重放信号过程然后通过重放装置1203施加到此重放信号1209,结果的信号1210被输入到重放信号质量检测器1204。重放信号质量检测器1204检测信号1210的信号质量,所述结果然后被输入到最佳记录功率确定装置1205。在此示例中,当被记录的信号被再现时重放信号质量检测器1204检测抖动。图26 显示了峰值功率和抖动之间的关系。峰值功率显示在水平轴上,抖动显示在图26的垂直轴上。如果重放条件是相等的,较低的抖动水平指示准确的记录。如果抖动小于或者等于所设定的阈值时,检测结果、即信号质量由此确定0K,如果超过上述此阈值就是不好(NG)。最佳记录功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测光存储介质的方法,所述光存储介质包括同心形成或者螺旋形成的多个轨道,该多个轨道用于使用标记和标记之间的间隔来记录信息,每个标记具有由运行长度限制(RLL)调制限制的标记长度,其中不包括相邻于最短标记和/或者最短间隔的边缘的信号指示第一重放信号质量。

【技术特征摘要】
2002.04.03 JP 2002-100961;2002.05.27 JP 2002-152901.一种检测光存储介质的方法,所述光存储介质包括同心形成或者螺旋形成的多个轨道,该多个轨道用于使用标记和标记之间的间隔来记录信息,每个标记具有由运行长度限制(RLL)调制限制的标记长度,其中不包括相邻于最短标记和/或者最短间隔的边缘的信号指示第一重放信号质量。2.根据权利要求1的检测光存储介质的方法,其中光存储介质具有多个记录层,其中第一重放信号质量设置用于多个记录层中的至少一层。3.—种检测光存储介质的方法,根据权利要求2所述的光存储介质,其中最远离光学拾音头的所述层的质量最高。4.一种用于通过发射光束再现根据权利要求1的光存储介质的再现方法,其中光存储介质包括指示第一重放信号质量的信号,所述信号为不包括相邻于最短标记和/或者最短间隔的边缘的信号。5.一种用于记录信息的记录方法,该方法利用通过发射光束到根据权利要求1的光存储介质形成的标记和标记之间的间隔。6.一种光盘驱动器,包括光学拾音头,所述光学拾音头将光束发射到具有用于记录数据的记录层的光学存储介质,检测从光学存储介质反射的光束,并基于所接收到的反射光输出信号;以及用于接收从光学拾音头输出的信号并再现记录到光学存储介质的信息的解调装置,由此光盘驱动器调整2T长度数字数据标记,这样从反复记录2T长数字数据标记和间隔的图样所检测的长度达到作为适于再现重复记录3T或者更长的数字数据标记和间隔的图样中的信息用阈值的相同...

【专利技术属性】
技术研发人员:门胁慎一东海林卫中村敦史石田隆
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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