制造半导体结构的方法和设备技术

本发明专利技术实施例涉及制造半导体结构的方法和设备。根据本发明专利技术的一些实施例，提供一种用于制造半导体结构的方法。所述方法包含以下操作。将第一半导体衬底设置于自旋夹盘上。获得所述第一半导体衬底附近的第一湿度因数。将抗蚀剂材料施配于所述第一半导体衬底上。使所述自旋夹盘以第一速度旋转。所述第一速度基于所述第一湿度因数而确定。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体结构的方法和设备
本专利技术实施例涉及制造半导体结构的方法和设备。
技术介绍
光刻通常指代用于在各种媒体之间转印一或多个图案的工艺。在光刻中，光敏抗蚀剂涂层形成于一或多个层上方，图案将转印到所述一或多个层。抗蚀剂涂层接着通过将其曝光到(选择性)地穿过含有图案的介入掩模的一或多种类型的辐射或光而图案化。依据所使用的抗蚀剂类型(正性或负性)，光使得抗蚀剂涂层的曝光或未经曝光部分变得大体上可溶。显影剂接着用以去除更多可溶区域，从而在适当位置留下经图案化的抗蚀剂。经图案化的抗蚀剂可接着充当用于底层的范本，所述范本可经选择性地蚀刻(或经掺杂或以其它方式处置)。一旦处置了底层，便例如通过化学剥除去除经图案化的抗蚀剂，从而在适当位置留下其中形成有图案的经处置层。
技术实现思路
本专利技术的一实施例揭露一种用于制造半导体结构的方法，其包括：将第一半导体衬底设置于自旋夹盘上；获得所述第一半导体衬底附近的第一湿度因数；将第一抗蚀剂材料施配于所述第一半导体衬底上；及使所述自旋夹盘以第一速度旋转，其中所述第一速度是基于所述第一湿度因数而确本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体结构的方法，其包括：/n将第一半导体衬底设置于自旋夹盘上；/n获得所述第一半导体衬底附近的第一湿度因数；/n将第一抗蚀剂材料施配于所述第一半导体衬底上；及/n使所述自旋夹盘以第一速度旋转，其中所述第一速度是基于所述第一湿度因数而确定。/n

【技术特征摘要】
20180727 US 62/711,045;20190429 US 16/397,3301.一种用于制造半导体结构的方法，其包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：李永尧，曾威翔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71