制造半导体结构的方法和设备技术

本发明专利技术实施例涉及制造半导体结构的方法和设备。根据本发明专利技术的一些实施例，提供一种用于制造半导体结构的方法。所述方法包含以下操作。将第一半导体衬底设置于自旋夹盘上。获得所述第一半导体衬底附近的第一湿度因数。将抗蚀剂材料施配于所述第一半导体衬底上。使所述自旋夹盘以第一速度旋转。所述第一速度基于所述第一湿度因数而确定。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体结构的方法和设备
本专利技术实施例涉及制造半导体结构的方法和设备。
技术介绍
光刻通常指代用于在各种媒体之间转印一或多个图案的工艺。在光刻中，光敏抗蚀剂涂层形成于一或多个层上方，图案将转印到所述一或多个层。抗蚀剂涂层接着通过将其曝光到(选择性)地穿过含有图案的介入掩模的一或多种类型的辐射或光而图案化。依据所使用的抗蚀剂类型(正性或负性)，光使得抗蚀剂涂层的曝光或未经曝光部分变得大体上可溶。显影剂接着用以去除更多可溶区域，从而在适当位置留下经图案化的抗蚀剂。经图案化的抗蚀剂可接着充当用于底层的范本，所述范本可经选择性地蚀刻(或经掺杂或以其它方式处置)。一旦处置了底层，便例如通过化学剥除去除经图案化的抗蚀剂，从而在适当位置留下其中形成有图案的经处置层。
技术实现思路
本专利技术的一实施例揭露一种用于制造半导体结构的方法，其包括：将第一半导体衬底设置于自旋夹盘上；获得所述第一半导体衬底附近的第一湿度因数；将第一抗蚀剂材料施配于所述第一半导体衬底上；及使所述自旋夹盘以第一速度旋转，其中所述第一速度是基于所述第一湿度因数而确定。本专利技术的一实施例揭露一种用于制造半导体结构的方法，其包括：将半导体衬底设置于自旋夹盘上；将抗蚀剂材料施配于所述半导体衬底上；获得所述半导体衬底附近的湿度因数；确定基本速度；根据所述湿度因数确定修改速度；及使所述自旋夹盘以第一速度旋转，其中所述第一速度为所述基本速度与所述修改速度的总和。本专利技术的一实施例揭露一种用于制造半导体结构的设备，其包括：自旋夹盘，其经配置以支撑半导体衬底且以第一速度旋转；施配单元，其经配置以将抗蚀剂材料施配到所述半导体衬底上；及湿度传感器，其经配置以感测所述半导体衬底附近的湿度信息。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本揭露内容的方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，可出于论述清楚起见而任意地增大或减小各种特征的尺寸。图1为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的设备在一些阶段的示意图。图2为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的设备在一些阶段的示意图。图3A及3B为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的设备在一些阶段的示意图。图4A及4B为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的设备在一些阶段的示意图。图5为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的设备的示意图。图6A、6B及6C为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的设备的一部分的示意图。图7为根据本揭露的一些实施例的展示用于制造半导体结构的方法的流程图。图8为根据本揭露的一些实施例的展示用于制造半导体结构的方法的流程图。具体实施方式以下揭露内容提供用于实施所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些组件及布置仅为实例且不打算为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征及第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭露内容可在各种实例中重复参看标号及/或字母。这种重复是出于简单性及清晰的目的且本身不指明所论述的各种实施例及/或设置之间的关系。在下文更详细地论述本揭露的实施例。然而，应了解，本揭露提供可在广泛多种特定内容脉络中体现的许多适用的专利技术性概念。所论述特定实施例仅为说明性的且并不限制本揭露的范围。另外，例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者的空间相对术语在本文中可为了易于描述而使用以描述如图中绘示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，空间相对术语打算涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)且本文中所使用的空间相对描述词可同样相应地进行解译。半导体衬底附近的湿度水平可影响抗蚀剂材料的流动性。在自旋夹盘以基本速度旋转情况下形成于半导体衬底上的抗蚀剂层的厚度可由于湿度变化而波动。在本揭露的一些实施例中，旋转速度可根据湿度因数而修改。因此，旋转速度可根据半导体衬底附近的湿度水平而增大或减小，且形成于半导体衬底上的抗蚀剂层的厚度的波动可得以减轻。图1及2为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的设备在一些阶段的示意图。设备100包含自旋夹盘102、施配单元104及湿度传感器106。在一些实施例中，设备100可进一步包含杯108及控制器116。所述杯108具有具侧壁的池。控制器116通信耦合到湿度传感器106及自旋夹盘102。控制器116可包含中央处理单元(CPU)或计算模块中的其它组件。自旋夹盘102经配置以支撑半导体衬底200。自旋夹盘102为位于杯108内部的可旋转平台。自旋夹盘102可为真空夹盘，其中真空从平台施加从而固持半导体衬底200。在制造操作期间，半导体衬底200的底表面接触自旋夹盘102。合适真空接着施加到半导体衬底200的底表面，使得半导体衬底200即使在高旋转速度下仍安全地固持于自旋夹盘102。自旋夹盘102的旋转运动由轴件112实现，所述轴件连接到自旋夹盘102且由电动机114供电。施配单元104定位于自旋夹盘102上方从而将抗蚀剂材料110施配到半导体衬底200上。具有对应粘度的抗蚀剂材料110施配于半导体衬底200的顶部上。湿度传感器106经配置以感测半导体衬底200附近的湿度信息H。在一些实施例中，湿度传感器106附接到杯108。在一些其它实施例中，湿度传感器106安置于施配单元104周围。在一些实施例中，多个湿度传感器106可安置于半导体衬底200附近，附接到杯108及/或安置于施配单元104处。在一些实施例中，多个湿度传感器106可放置于设备100的若干位置处以便获得具有代表含义的湿度值。在其它实施例中，湿度传感器106可附接到半导体衬底200附近的其它预定位置。湿度传感器106的附接位置并非打算为限制性的。参看图1，在一些实施例中，在抗蚀剂材料110(展示于图2中)施配到半导体衬底200上之前，湿度传感器106可开始感测半导体衬底200附近的湿度信息H。湿度信息H涉及半导体衬底200附近的湿度水平。湿度传感器106输出湿度信息H到控制器116。控制器116接收并分析湿度信息H以获得湿度因数ΔH。湿度因数ΔH可包含例如以下的信息：当前测量的湿度信息H、先前测量的湿度信息，及/或当前测量的湿度信息H与先前测量的湿度信息之间的差。在一些实施例中，控制器116确定第一速度ω1(图2中展示)，其中第一速度ω1由方程式(1)表达。ω1＝ω+Δω＝ω+(γ*ΔH)(1)其中ω为基本速度，且γ为正常量。在一些实施例中，γ可涉及抗蚀剂材料110的材料参数。参看图2，当抗蚀剂材料110施配到半导体衬底200上时，控制器116驱动电动机114而以使自旋夹盘102以第一速度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体结构的方法，其包括：/n将第一半导体衬底设置于自旋夹盘上；/n获得所述第一半导体衬底附近的第一湿度因数；/n将第一抗蚀剂材料施配于所述第一半导体衬底上；及/n使所述自旋夹盘以第一速度旋转，其中所述第一速度是基于所述第一湿度因数而确定。/n

【技术特征摘要】
20180727 US 62/711,045;20190429 US 16/397,3301.一种用于制造半导体结构的方法，其包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：李永尧，曾威翔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71