湿式工作台及使用湿式工作台的化学处理方法技术

本揭示涉及湿式工作台及使用湿式工作台的化学处理方法。一种湿式工作台包括外槽及内槽。外槽具有界定第一包含空间的第一底板以及多个第一侧壁。第一底板的第一部分高于第一底板的第二部分。内槽具有在第一包含空间中的一部分并且延伸穿过外槽的第一底板。内槽具有界定第二包含空间的第二底板以及多个第二侧壁。

Wet table and chemical treatment method of using wet table

【技术实现步骤摘要】
湿式工作台及使用湿式工作台的化学处理方法
本揭示涉及湿式工作台及使用湿式工作台的化学处理方法。
技术介绍
半导体元件在各种电子应用中使用，诸如个人电脑、蜂巢电话、数字摄影机及其他电子设备。半导体元件通常通过下列步骤制造：在半导体基板上方相继沉积材料的绝缘或介电层、导电层及半导电层，并且使用微影术图案化或处理基板及/或各种材料层以在其上形成电路部件及元件，以及形成集成电路。通常在单个半导体晶圆上制造集成电路。通过沿着刻划线锯断集成电路来分离个别晶粒。例如，随后在多晶片模组中单独地封装个别晶粒，或者以其他封装类型封装个别晶粒。在制造半导体元件期间，使用各种处理步骤以在半导体晶圆上制造集成电路。例如，使用若干湿式化学处理操作在半导体基板上形成半导体元件。湿式化学处理操作可包括清洁操作、剥离操作及蚀刻操作，其中化学浴的化学物质与正经蚀刻或移除的材料反应。
技术实现思路
本揭示的一些实施例提供一种湿式工作台，其包含一外槽及一内槽。该外槽具有界定一第一包含空间的一第一底板及多个第一侧壁，其中该第一底板的一第一部分高于该第一底板的一第二部分。该内槽在该第一包含空间中具有一部分，延伸穿过该外槽的该第一底板，并且具有界定一第二包含空间的一第二底板及多个第二侧壁。本揭示的一些实施例提供一种湿式工作台，其包含外槽及一内槽。该外槽具有一第一底板，该第一底板具有界定一沉积区的一第一部分以及朝向该沉积区向下倾斜的一第二部分。该内槽部分地设置在该外槽内，并且具有多个侧壁。该第一底板的该第二部分连接到该内槽的所述多个侧壁。本揭示的一些实施例提供一种使用湿式工作台的化学处理方法，包含：将一晶圆放置到一内槽中，其中该内槽由一外槽围绕，该外槽的一底部的一第一部分高于该外槽的该底部的一第二部分；用一化学液体过量填充该内槽，其中该化学液体从该内槽流动到该外槽，并且随后穿过该外槽的该底部的该第一部分上方的一区域流动到该外槽的该底部的该第二部分上方的一沉积区；以及将该化学液体从该沉积区再循环到该内槽。附图说明当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。图1是根据本揭示的一些实施例的一些实施例的湿式工作台的示意图；图2是图1的湿式工作台的侧视图；图3是图示根据本揭示的一些实施例的湿式工作台的操作过程的流程图；图4是图2的通道的出口部分的局部放大图。【符号说明】100湿式工作台110外槽111第一底板111a第一附属底板111b第二附属底板111c延伸板112第一侧壁113顶部边缘120内槽121第二底板122第二侧壁123顶部边缘123a顶部边缘123b顶部边缘123c顶部边缘140通道141入口142出口部分150泵155控制器159阻尼器160过滤器170通道180化学容器190泵195控制器300方法C1第一包含空间C2第二包含空间D方向L化学液体O出口孔OT1开放顶部OT2开放顶部P副产物S301步骤S302步骤S303步骤S304步骤Z沉积区具体实施方式以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述部件及布置的具体实例以简化本揭示一些实施例。当然，此等仅为实例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭示可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简便性及清晰的目的且本身并不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。参考图1及图2。图1是根据本揭示的一些实施例的湿式工作台100的示意图，并且图2是图1的湿式工作台100的侧视图。在一些实施例中，湿式工作台100包括外槽110及内槽120。外槽110具有第一底板111及多个第一侧壁112。第一侧壁112相互连接以封闭第一底板111的周边，由此界定具有开放顶部OT1的第一包含空间C1。内槽120具有第二底板121及多个第二侧壁122。第二侧壁122相互连接以封闭第二底板121的周边，由此界定具有开放顶部OT2的第二包含空间C2。内槽120具有容纳在第一包含空间C1中的一部分，延伸穿过第一底板111，并且由外槽120的第一侧壁112围绕。内槽120的第二底板121是至少部分在外槽110的外部。换言之，在外槽110外部定位第二底板121。第一底板111具有第一部分及低于第一部分的第二部分。在一些实施例中，将第一底板111的第一部分提升到高于内槽120的第二底板121，并且将第一底板121的第二部分提升到低于内槽120的第二底板121。内槽120经配置为容纳晶圆(未图示)以便湿式化学处理。在一些实施例中，将一批或批量的直径为200mm或300mm的晶圆穿过开放顶部OT2放置在内槽120的第二包含空间C2中以便湿式化学处理。在一些实施例中，穿过开放顶部OT2放置在内槽120的第二包含空间C2中的晶圆具有在从约150mm至400mm的范围中、在从约150mm至约300mm的范围中或在其他范围中的直径。内槽120的第二侧壁122与外槽110的第一侧壁112隔开一距离。亦即，内槽120的第二侧壁122中的每一者与外槽110的对应的第一侧壁112彼此隔开，两者之间具有明显间隔，从而促进化学液体L在内槽120的第二侧壁122与外槽110的第一侧壁112之间的流动路径。在湿式工作台100的操作期间，内槽120用化学液体L过量填充。随后，将晶圆放置到内槽120中并且浸没在化学液体L中，其中化学液体L与晶圆反应。注意到，在操作期间，化学液体L填满内槽120，并且穿过开放顶部OT2溢流到外槽110。同时，由外槽110收集的化学液体L流出外槽110并且经由将在后文描述的通道140返回到内槽120。换言之，在对晶圆执行湿式化学处理期间建立化学液体L的再循环回路。如图2所示，外槽110的第一底板111包括第一附属底板111a、延伸板111c及第二附属底板111b。通过延伸板111c将第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿式工作台，其特征在于，包含：/n一外槽，具有界定一第一包含空间的一第一底板及多个第一侧壁，其中该第一底板的一第一部分高于该第一底板的一第二部分；以及/n一内槽，在该第一包含空间中具有一部分，该内槽延伸穿过该外槽的该第一底板并且具有界定一第二包含空间的一第二底板及多个第二侧壁。/n

【技术特征摘要】
20180730 US 62/712,207;20190628 US 16/457,4161.一种湿式工作台，其特征在于，包含：
一外槽，具有界定一第一包含空间的一第一底板及多个第一侧壁，其中该第一底板的一第一部分高于该第一底板的一第二部分；以及
一内槽，在该第一包含空间中具有一部分，该内槽延伸穿过该外槽的该第一底板并且具有界定一第二包含空间的一第二底板及多个第二侧壁。


2.根据权利要求1所述的湿式工作台，其特征在于，该第一底板包含一第一附属底板及一第二附属底板，并且该第一附属底板朝向该第二附属底板向下倾斜。


3.根据权利要求2所述的湿式工作台，其特征在于，该第一附属底板相对于该第二附属底板倾斜一角度，并且该角度是在从约15度至约45度的一范围中。


4.根据权利要求1所述的湿式工作台，其特征在于，所述多个第二侧壁的顶部边缘高于所述多个第一侧壁的顶部边缘。


5.根据权利要求1所述的湿式工作台，其特征在于，进一步包含：
一通道，在该外槽的该第一包含空间与该内槽的该第二包含空间...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑欣承，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71