【技术实现步骤摘要】
晶片工艺用垂直反应器
本专利技术涉及反应器，更详细地说涉及改善隔热区域的隔热结构及吹扫结构以不影响晶舟区域的晶片工艺用垂直反应器。
技术介绍
半导体工艺可理解为执行制造晶片的半导体制造工艺。例如，可利用反应器(Reactor)，该反应器利用晶舟，以进行晶片的热处理。反应器对投放的晶片执行热处理工艺，晶舟是用于为了以预定数量为单位(例如，180片)装载(Charge)用于热处理的晶片投放到反应器内部，或者为了卸载(Discharge)已热处理的晶片而向反应器外部排出晶片。所述反应器具有加热器外壳、外管(OuterTube)、内管(InnerTube)。内管可分为上部的晶舟区域与下部的隔热区域。晶舟区域是装载晶舟并且对装在晶舟的晶片进行热处理的区域，而隔热区域是具有隔热结构以在晶片工艺中与外部隔绝保持高温的晶舟区域的区域。晶片工艺中，向内管上部的晶舟区域供应反应气体，向内管下部的隔热区域供应吹扫气体。为了晶片工艺，晶舟区域可保持高温与低压环境。通常情况下，在工艺中吹扫气体在隔热区域经过放置...
【技术保护点】
1.一种晶片工艺用垂直反应器，包括：/n内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形成有排气口；/n隔热芯体，垂直形成在所述隔热区域中平面状中央；/n隔热组件，形成有插入所述隔热芯体的垂直的中空，并且具有在所述隔热区域中上下间隔的多个隔热件；/n其中，流入所述隔热区域的吹扫气体经过间隔所述多个隔热件的排气空间，并绕过所述隔热芯体，引导至所述内管的所述排气口。/n
【技术特征摘要】
20180726 KR 10-2018-00869191.一种晶片工艺用垂直反应器，包括：
内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形成有排气口；
隔热芯体，垂直形成在所述隔热区域中平面状中央；
隔热组件，形成有插入所述隔热芯体的垂直的中空，并且具有在所述隔热区域中上下间隔的多个隔热件；
其中，流入所述隔热区域的吹扫气体经过间隔所述多个隔热件的排气空间，并绕过所述隔热芯体，引导至所述内管的所述排气口。
2.根据权利要求1所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
在所述隔热芯体及所述隔热组件的下部还构成有凸缘；
所述凸缘平面状中央形成有吹扫气体入口，在边部构成有吹扫气体喷嘴，将通过所述吹扫气体入口与所述吹扫气体喷嘴从中央与边部流入的所述吹扫气体供应至所述隔热区域的下部。
3.根据权利要求2所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
驱动轴贯通所述吹扫气体入口与所述隔热芯体轴连接，将旋转力传达于所述隔热芯体，并且用具有吹扫气体流入空间的磁密封结构与所述吹扫气体入口结合；
所述吹扫气体通过所述吹扫气体流入空间及所述吹扫气体喷嘴供应到所述隔热区域的下部。
4.根据权利要求1所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
所述隔热组件具有：
第一隔热件，形成有垂直的第一中空，并且设置在所述隔热区域的上部，在所述第一中空插入所述隔热芯体的上部；以及
第二隔热件，形成有垂直的第二中空，并且设置在所述隔热区域的下部，以与第一隔热件间隔形成所述排气空间，在所述第二中空插入所述隔热芯体的下部。
5.根据权利要求4所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，还具有：
支撑部，介入于所述排气空间，以所述隔热芯体为中心间隔相同的距离与相同的角度，并且具有预定的高度；
所述隔热组件由单一模块构成，所述模块是由所述第一隔热件与所述支撑部及所述第二隔热件构成一体而形成的。
6.根据权利要求4所述的晶片工艺用垂直反应器，其特征在于，
在所述隔热芯体以及所述第二隔热件的下部还构成有凸缘；
所述凸缘平面状中央形成有吹扫气体入口，在边部形成有吹扫气体喷嘴；
通过所述吹扫气体喷嘴流入所述隔热区域下部的第一吹扫气体通过所述第二隔热件的外侧面与所述内管的内侧之间的第一间隔空间引导至所述排气空间；
通过所述吹扫气体入口流入所述隔热区域的下部的第二吹扫气体通过所述第二隔热件的所述第二中空的侧面与所述隔热芯体的侧面之间的第二间隔空间引导至所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金岐俊，许官善，徐泰旭，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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