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本发明公开了改善隔热区域的隔热结构及吹扫结构以不影响晶舟区域的晶片工艺用垂直反应器，所述垂直反应器包括：内管，内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分，所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟，所述下部隔热区域用于隔热，并且在所述隔热区域形...
该专利属于圆益IPS股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆益IPS股份有限公司授权不得商用。

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