【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
专利文献1中所记载的液处理系统具备向基板供给处理液来进行液处理的液处理装置和控制液处理装置的控制部。液处理装置具备保持基板的基板保持部、向由基板保持部保持的基板的表面供给挥发性流体的第一供给部以及向由基板保持部保持的基板的背面供给加热流体的第二供给部。作为挥发性流体，例如使用IPA(异丙醇)。IPA被供给至基板的图案形成面。作为加热流体，例如使用加热后的纯水。控制部使液处理装置进行挥发性流体供给处理、露出处理以及加热流体供给处理。挥发性流体供给处理是从第一供给部向基板的表面供给挥发性流体以在基板表面形成液膜的处理。露出处理是使基板的表面从挥发性流体中露出的处理。加热流体供给处理是在与露出处理重叠的期间从第二供给部向基板的背面供给加热流体的处理，该加热流体供给处理在露出处理之前开始。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-90015号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，具备：/n基板保持部，其以使基板的形成有凹凸图案的面朝上的方式保持所述基板；/n液供给单元，其通过从被所述基板保持部保持的所述基板的上方对所述基板供给处理液来形成覆盖所述凹凸图案的凹部的液膜；/n加热单元，其具有对所述液膜局部地进行加热的加热部和使由所述加热部加热的加热位置移动的加热位置移动部；以及/n加热控制部，其控制所述加热单元，/n其中，所述加热控制部一边使所述加热位置在铅垂方向上观察时与位于露出部与覆盖部之间的边界部重叠，一边使所述加热位置向使所述露出部扩大的方向即所述边界部的移动方向移动，所述露出部是所述凹部的深度方向上的整体从所述处理液露出...
【技术特征摘要】
20180725 JP 2018-1397461.一种基板处理装置，具备：
基板保持部，其以使基板的形成有凹凸图案的面朝上的方式保持所述基板；
液供给单元，其通过从被所述基板保持部保持的所述基板的上方对所述基板供给处理液来形成覆盖所述凹凸图案的凹部的液膜；
加热单元，其具有对所述液膜局部地进行加热的加热部和使由所述加热部加热的加热位置移动的加热位置移动部；以及
加热控制部，其控制所述加热单元，
其中，所述加热控制部一边使所述加热位置在铅垂方向上观察时与位于露出部与覆盖部之间的边界部重叠，一边使所述加热位置向使所述露出部扩大的方向即所述边界部的移动方向移动，所述露出部是所述凹部的深度方向上的整体从所述处理液露出的部分，所述覆盖部是所述凹部的深度方向上的整体被所述处理液填满的部分。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：
旋转驱动部，其使所述基板保持部旋转；以及
旋转控制部，其控制所述旋转驱动部，
其中，在所述旋转控制部使所述基板与所述基板保持部一同旋转的同时，所述加热控制部使所述加热位置从所述基板的径向内侧向所述基板的径向外侧移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热控制部在使所述加热位置从所述基板的径向内侧向所述基板的径向外侧移动的期间将由所述加热部加热的加热面中的每单位面积的总加热量设为固定。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热控制部随着使所述加热位置从所述基板的径向内侧向所述基板的径向外侧移动，使所述加热位置的移动速度减慢。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，
随着所述加热控制部使所述加热位置从所述基板的径向内侧向径向外侧移动，所述旋转控制部使所述基板保持部的转速减小。
6.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热控制部随着使所述加热位置从所述基板的径向内侧向所述基板的径向外侧移动，使每单位时间的加热量增大。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液供给单元具有喷出所述处理液的液喷出喷嘴和使所述液喷出喷嘴从所述基板的径向内侧向所述基板的径向外侧移动的液喷出喷嘴移动机构，
所述基板处理装置具备控制所述液供给单元的液控制部，
所述液控制部使所述液喷出喷嘴喷出所述处理液，并且以将所述液喷出喷嘴的喷出口配置在比所述边界部更靠所述基板的径向外侧的位置的方式使所述液喷出喷嘴向所述边界部的移动方向移动。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：池田朋生，日高章一郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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