根据本发明专利技术的用于半导体装置的生产线(1)为通过使工件(25)沿着设置有多个处理装置(20a-20m)的传输路线(10)循环来制造半导体装置的生产线。传输路线(10)包括第一路线(11)和第二路线(12)，在第一路线(11)上设置处理次数多的处理装置，在第二路线(12)上设置处理次数少的处理装置。此外，传输路线(10)在使已经沿着第一路线(11)移动的工件(25)以连续的方式至第一路线(11)的传输与使已经沿着第一路线(11)移动的工件(25)至第二路线(12)的传输之间进行转换。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于半导体装置的生产线以及一种制造半导体装置的方法。
技术介绍
半导体装置通过借助于设置在生产线上的各种半导体制造设备(处理装置)的使用而使半导体晶片(工件)经受清洗处理、热处理、沉积处理、蚀刻处理、离子注入处理等制造而成。这些处理装置以对应于半导体装置的工序的顺序的方式排列在生产线上。在此应当指出，由于相同的处理(例如，形成氧化膜时的清洗处理、形成电极时的清洗处理等等)在制造半导体装置的过程中重复地进行，因此，在相同的生产线上设置有多个相同的处理装置。例如，用于制造半导体装置的过程可能包括大约200个工序。在如这种情况那样存在许多工序时，生产线较长。日本专利申请公报N0.2012-104683 (JP 2012-104683A)公开了通过将处理装置设置在环状传输路线上并且使工件沿着该环状传输路线绕行来制造半导体装置的技术。通过在日本专利申请公报N0.2012-104683 (JP 2012-104683A)中公开的生产线，设置在生产线上的同一的处理装置可以在不同过程中的相同处理上使用。即，设置在生产线上的处理装置可以由不同的过程共享，因此，可以缩短生产线的长度。如在
技术介绍
中所描述的，根据日本专利申请公报N0.2012-104683 (JP2012-104683A)中公开的技术，半导体装置通过将处理装置设置在环状传输路线上并且使工件沿着该环状传输路线绕行来制造。因此，设置在生产线上的处理装置可以由不同的过程共享，因此可以缩短生产线的长度。然而，对于在日本专利申请公报N0.2012-104683 (JP 2012-104683A)中公开的生产线，处理装置并不是以对应于用于半导体装置的工序的顺序的方式排列，因此，执行后续工序的处理的处理装置在某些情况下与执行当前工序的处理的处理装置间隔开。在这些情况下，当工件传输至执行后续工序的处理的处理装置时，工件从不使用的处理装置的前方经过，因此存在工件的传输距离被延长的可能性。例如，当执行后续工序的处理的处理装置邻近工件传输方向上的另一侧时，工件需要沿着生产线传输大约一圈，以将工件传输至执行后续工序的处理的处理装置。
技术实现思路
本专利技术提供了允许缩短工件的传输距离的用于半导体装置的生产线和用于制造半导体装置的方法。根据本专利技术的一个方面的用于半导体装置的生产线为用于通过使工件沿着设置有多个处理装置的传输路线循环来制造半导体装置的半导体装置生产线。所述传输路线包括第一路线和第二路线，在所述第一路线上设置有多个使工件经受预定处理的处理装置，在所述第二路线上设置有多个处理装置，设置在所述第二路线上的处理装置的处理次数多于设置在所述第一路线上的处理装置的处理次数。所述传输路线在使已经沿着所述第二路线移动的所述工件以连续的方式至所述第二路线的传输与使已经沿着所述第二路线移动的所述工件至所述第一路线的传输之间进行转换。根据本专利技术的一个方面的制造半导体装置的方法为通过使工件沿着设置有多个处理装置的传输路线循环来制造半导体装置的半导体装置制造方法。所述传输路线包括第一路线和第二路线，在所述第一路线上设置有多个使工件经受预定处理的处理装置，在所述第二路线上设置有多个处理装置，设置在所述第二路线上的所述处理装置的处理次数多于设置在所述第一路线上的所述处理装置的处理次数。通过在使已经沿着所述第二路线移动的所述工件以连续的方式至所述第二路线的传输与使已经沿着所述第二路线移动的所述工件至所述第一路线的传输之间进行转换来制造半导体装置。在本专利技术中，在多个处理装置之中，处理次数少的处理装置设置在第一路线上，处理次数多的处理装置设置在第二路线上。随后，采用了可以在使已经沿着第二路线移动的工件以连续的方式至第二路线的传输与使已经沿着第二路线移动的工件至第一路线的传输之间进行转换的构造。因此，工件可以仅当由低频处理装置处理时才被传输至第一路线，否则，工件会被传输至其上设置高频处理装置的第二路线。因此，可以减少工件经过低频处理装置前方的次数，从而可以缩短工件在生产线上的传输距离。根据本专利技术的一个方面，可以提供允许缩短工件的传输距离的用于半导体装置的生产线和制造半导体的方法。【附图说明】下文将参照附图对本专利技术的示例性实施方式的特征、优势和技术以及工业意义进行描述，附图中，相同的附图标记表示相同的元件，并且附图中:图1为根据本专利技术的实施方式的生产线的示例的俯视图；图2为用于图不工件的构型的不例的俯视图；图3为用于图示根据本专利技术的实施方式的生产线的操作的示例的视图；图4为用于图示根据本专利技术的实施方式的生产线的操作的示例的视图；图5为用于图示根据本专利技术的实施方式的生产线的操作的示例的视图；图6为示出了通过其配置处理装置的表格的示例的视图；图7为示出了通过其配置处理装置的表格的示例的视图；图8为示出根据本专利技术的实施方式的生产线的生产过程的示例的表格；图9为示出了根据本专利技术的实施方式的生产线的另一构型的示例的俯视图；图10为示出了根据本专利技术的实施方式的生产线的又一构型的示例的俯视图；图11为示出了根据本专利技术的实施方式的生产线的又一构型的示例的俯视图；图12为根据本专利技术的实施方式的生产线的再一构型的示例的俯视图。【具体实施方式】下文将参照附图对本专利技术的实施方式进行描述。图1为示出了根据本专利技术的实施方式的用于半导体装置的生产线的示例的俯视图。如图1中所示，根据本专利技术的当前实施方式的生产线1包括传输路线10、多个处理装置20a至20m、载入装置21、和载出装置22。生产线1通过使工件25沿着其上设置有多个处理装置20a至20m的传输路线10循环来制造预定的半导体装置。传输路线10包括路线11、路线12和联接路线13。使工件25经受预定处理的多个处理装置20a、20b、20f至20 j、201和20m设置在路线11上。使工件25经受预定处理的多个处理装置20c、20d、20e和20k设置在路线12上。在此应当指出，预定处理为制造半导体装置所需要的处理，例如，清洗处理、热处理、沉积处理、蚀刻处理、离子注入处理等。此外，载入装置21和载出装置22设置在路线12上。载入装置21将工件25 (未处理的工件)带到传输路线10上。此外，载出装置22将工件25 (经受过所有工序的工件)从传输路线10取出。图2为用于图示工件25中的每一个工件的构型的示例的俯视图。如图2中所示，工件25包括托盘26和半导体晶片27。半导体晶片27放置在托盘26的放置表面上。例如，每个托盘26可以运送一个半导体晶片27。托盘26沿着传输路线10移动。例如，传输路线10包括用于传输托盘26的传输器件(未不出)。此外，存储工件25中固有的信息(ID信息、变化信息、后续工序信息等)的信息存储装置41附装至工件25。例如，射频标识符(RFID)标签可以用作信息存储装置41。附装有工件25的信息存储装置41中的信息可以通过通信装置42的使用来读写。通信装置42设置在传输路线10的附近，使得能够借助于电波以非接触的方式与沿着传输路线10移动的工件25 (信息存储装置41)通信。如图1中所示，在每一个工件25被带到传输路线10上之后，每一个工件25被传输至对应于各个工序的处理装置20a至20m的前方的位置。处理装置20a至20m本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于半导体装置的生产线，其特征在于，包括：传输路线，在所述传输路线上设置有多个处理装置，其中，工件沿着设置有多个处理装置的所述传输路线循环，所述传输路线包括第一路线和第二路线，在所述第一路线上设置有多个使所述工件经受预定处理的所述处理装置，在所述第二路线上设置有多个所述处理装置，设置在所述第二路线上的所述处理装置的处理次数多于设置在所述第一路线上的所述处理装置的处理次数，并且所述传输路线在使已经沿着所述第二路线移动的所述工件以连续的方式至所述第二路线的传输与使已经沿着所述第二路线移动的所述工件至所述第一路线的传输之间进行转换。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：杉崎太亮，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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