铜导线结构及其制造方法技术

本发明专利技术关于一种铜导线结构及其制造方法。该铜导线结构包括一硅铝氧化物缓冲层及一图案化铜导线层。该硅铝氧化物缓冲层形成于一透明基板上。该图案化铜导线层形成于该硅铝氧化物缓冲层上。由此，可提升图案化铜导线层与透明基板的附着性达到ASTM D3359规范最高的5B等级，且本发明专利技术的该硅铝氧化物缓冲层不需刻蚀，因此，可简化工艺刻蚀液配方及缩短刻蚀时间，进而可降低刻蚀液成本及提升刻蚀效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种，特别关于一种具有硅铝氧化物缓冲层的。
技术介绍
液晶显示器主要是利用薄膜晶体管作为昼面显示控制元件，而铝因具有低电阻(电阻系数2.66μ Ω-cm)、薄膜工艺简单及高经济性等优点，多年来均是薄膜晶体管金属导线的主要材料。然而，随着平面显示器往大尺寸、高更新频率及高解析度发展，尤其是55寸以上、具有3D显示及2k4k (2160x3840解析度)的显示器，铝导线的应用已达到物理极限，缺点也易发显著。例如铝的抗电致迁移能力低，且电阻电容时间常数高，应用在大尺寸、高更新频率及高解析度屏幕薄膜晶体管导线时，容易发生残影、断线等缺陷。因此，铝导线已不能满足新产品的发展趋势。铜的电阻系数仅1.67 μ Ω-cm,比铝低许多，且抗电致迁移能力为铝的30?100倍，故近年来导线材料已逐渐走向电阻更低的铜薄膜，统称为铜工艺。然而，铜薄膜虽具上述优点，但实际应用上仍有许多问题必须克服，例如铜薄膜与玻璃基板附着性差(仅达ASTM D3359规范的2Β等级)、易扩散至玻璃及主动层材料a_Si中、易氧化以及不易刻蚀等，其中又以与玻璃基板附着性差为转换铜工艺最大瓶颈。有关现有如下列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜导线结构，其特征在于，包括：一硅铝氧化物缓冲层，形成于一透明基板上；及一图案化铜导线层，形成于该硅铝氧化物缓冲层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：董寰乾，黄宏胜，
申请(专利权)人：中国钢铁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71