【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和蚀刻装置
本公开涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置。
技术介绍
最近，在半导体器件的制造过程中进行精细蚀刻。例如，寻求一种对高深宽比的槽、孔的内表面的SiN、Si进行各向同性的蚀刻的技术。作为对SiN进行蚀刻的技术，已知如专利文献1所记载的那样的如下技术：使如NF3气体这样的含氟气体等离子体化，利用氟自由基和氟离子对SiN进行蚀刻。另外，在专利文献1中记载有能够通过使含氟气体包含O2气体这样的氧源来在抑制SiO2的蚀刻的同时对SiN进行蚀刻。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2014-508424号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻的蚀刻方法和蚀刻装置。用于解决问题的方案本公开的一个方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹...
【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，包括以下工序：/n将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；/n在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的所述蚀刻对象部的表面改性；/n接着，对所述蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。/n
【技术特征摘要】
20180730 JP 2018-142005;20190325 JP 2019-0558461.一种蚀刻方法，包括以下工序：
将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；
在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的所述蚀刻对象部的表面改性；
接着，对所述蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述凹部为槽或孔。
3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述凹部的直径或宽度为300nm以下，深宽比为25以上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述基板具有SiO2与SiN的层叠构造，所述凹部形成于所述层叠构造，在所述凹部的内表面存在所述层叠构造的所述SiO2和所述SiN，所述层叠构造的所述SiN的一部分为所述蚀刻对象。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述基板具有SiO2与SiN的层叠构造，所述层叠构造在所述凹部的内表面具有其它SiN，所述蚀刻对象为所述其它SiN的全部以及所述层叠构造的所述SiN的一部分，在进行所述干蚀刻的工序中，对所述其它SiN以及所述层叠构造的所述SiN的一部分进行蚀刻。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
在所述蚀刻对象部的表面形成有内含碳的损伤层。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
单独使用O2气体来进行所述含氧等离子体处理，或者使用H2气体和稀有气体中的至少一种气体以及O2气体来进行所述含氧等离子体处理。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
利用远程等离子体来进行所述含氧等离子体处理，在所述含氧等离子体处理中，对基板进行以含氧等离子体中的氧自由基为主体的处理。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
在0.13Pa～400Pa的范围的压力下进行所述含氧等离子体处理。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
利用含氟气体来进行所述干蚀刻。
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿部拓也，三好秀典，清水昭贵，长仓幸一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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