硅片刻蚀方法技术

本申请公开了一种硅片刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法应用于certas机台，certas机台包括两个反应腔，每个所述反应腔设置有两个进气管，两个进气管呈180°对称分布；该方法包括将两片硅片放置在所述certas机台的两个反应腔内，每个反应腔内有一片硅片；对所述两片硅片同时进行刻蚀。解决了现有的certas机台对两片硅片同时刻蚀时，两片硅片的刻蚀率不同、均匀性不高的问题；改善了不同负载下刻蚀率不同的现象，提高了certas机台内两片硅片刻蚀的均匀性，提高了产品良率。

Etching method of silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
硅片刻蚀方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种硅片刻蚀方法。
技术介绍
随着集成电路的发展，半导体器件的关键尺寸越来越小，对刻蚀工艺的要求也越来越高。目前常用的刻蚀技术是干法刻蚀即等离子刻蚀。在干法刻蚀中，通过激发的等离子体轰击晶圆表面来去除材料。均匀性是不同刻蚀位置的刻蚀速率差异的重要指标，均匀性的好坏影响了产品的良率，均匀性越好良率越高。目前回刻蚀前沟道隔离和回刻蚀双栅的工艺中使用的机台为certas(化学气体刻蚀)机台，certas机台可以同时进两片硅片进行工艺。如图1所示，certas刻蚀工艺使用氨气(NH3)11和氟化氢气体(HF)12，氨气11通过管路111输送，氟化氢气体12通过管路121输送，机台两侧设置有进气管112和进气管122，进气管112和进气管122分别连接管路111和管路121，通过进气管112和进气管121将氨气11和氟化氢气体12输送进certas机台内的反应腔中。certas机台内硅片110和硅片120表面可以包括多种刻蚀图案，在干刻过程中，分子泵抽出的气体从管路13流出。由于气流、不同刻蚀图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片刻蚀方法，其特征在于，应用于certas机台，所述certas机台包括两个反应腔，每个所述反应腔设置有两个进气管，两个进气管呈180°对称分布；/n所述方法包括：/n将两片硅片放置在所述certas机台的两个反应腔内，每个反应腔内有一片硅片；/n对所述两片硅片同时进行刻蚀。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片刻蚀方法，其特征在于，应用于certas机台，所述certas机台包括两个反应腔，每个所述反应腔设置有两个进气管，两个进气管呈180°对称分布；
所述方法包括：
将两片硅片放置在所述certas机台的两个反应腔内，每个反应腔内有一片硅片；
对所述两片硅片同时进行刻蚀。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述两个进气管中的一个进气管连接氨气，另一个进气管连接氟化氢气体。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述两片硅片同时进行刻蚀，包括：
采用certas干刻工艺对所述两片硅片同时进行刻蚀。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘厥扬，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31