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本申请公开了一种硅片刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法应用于certas机台，certas机台包括两个反应腔，每个所述反应腔设置有两个进气管，两个进气管呈180°对称分布；该方法包括将两片硅片放置在所述certas机台的两个反应腔内，每个...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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