芯片沟槽的制备方法与芯片的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种芯片沟槽的制备方法与芯片的制备方法，该芯片沟槽的制备方法包括：提供衬底，在所述衬底的表面预设沟槽区和包围所述沟槽区的非沟槽区；其中，所述非沟槽区包括预设的阻挡区和过渡区，所述过渡区包围所述沟槽区，所述阻挡区包围所述过渡区；在所述阻挡区对应的所述衬底的表面形成掩膜；在所述过渡区对应的所述衬底的表面且在所述掩膜的侧壁形成侧墙，所述侧墙形成围设所述沟槽区的刻蚀孔；对所述刻蚀孔处的衬底进行刻蚀形成沟槽。利用本发明专利技术的制备方法能够解决现有技术中利用光刻技术制备沟槽时由于曝光显影精度限制造成的无法减少沟槽尺寸的问题，达到减小沟槽尺寸的目的。

The preparation method of chip groove and chip

【技术实现步骤摘要】
芯片沟槽的制备方法与芯片的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种芯片沟槽的制备方法与芯片的制备方法。
技术介绍
减小芯片面积是当前芯片研发领域的共同目标，为提高芯片的各项性能指标，常常需要在衬底上制备沟槽。但是随着芯片面积的不断减小，相应地制备的沟槽的尺寸也在减小。由于光刻技术的限制，沟槽尺寸太小的话，在曝光显影的时候精度不够，存在很大误差。因此，采用目前的直接使用光罩的方法来减小沟槽的尺寸行不通。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种芯片沟槽的制备方法，以解决现有技术中利用光刻技术制备沟槽时由于曝光显影精度限制造成的无法减少沟槽尺寸的问题。本专利技术的第二目的在于提供一种芯片的制备方法，以减少芯片的面积。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：第一方面，本专利技术提供一种芯片沟槽的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底的表面预设沟槽区和包围所述沟槽区的非沟槽区；其中，所述非沟槽区包括预设的阻挡区和过渡区，所述过渡区包围所述沟槽区，所述阻挡区包围所述过渡区；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片沟槽的制备方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，在所述衬底的表面预设沟槽区和包围所述沟槽区的非沟槽区；其中，所述非沟槽区包括预设的阻挡区和过渡区，所述过渡区包围所述沟槽区，所述阻挡区包围所述过渡区；/n在所述阻挡区对应的所述衬底的表面形成掩膜；/n在所述过渡区对应的所述衬底的表面且在所述掩膜的侧壁形成侧墙，并形成围设所述沟槽区的刻蚀孔；/n对所述刻蚀孔处的衬底进行刻蚀形成沟槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片沟槽的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底的表面预设沟槽区和包围所述沟槽区的非沟槽区；其中，所述非沟槽区包括预设的阻挡区和过渡区，所述过渡区包围所述沟槽区，所述阻挡区包围所述过渡区；
在所述阻挡区对应的所述衬底的表面形成掩膜；
在所述过渡区对应的所述衬底的表面且在所述掩膜的侧壁形成侧墙，并形成围设所述沟槽区的刻蚀孔；
对所述刻蚀孔处的衬底进行刻蚀形成沟槽。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阻挡区对应的所述衬底的表面形成掩膜，包括：
在所述衬底的表面形成掩蔽薄膜；
刻蚀去除所述沟槽区和所述过渡区的掩蔽薄膜，在所述阻挡区形成所述掩膜，并形成同时围设所述过渡区和所述沟槽区的通孔。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜的侧壁垂直于所述衬底的表面。


4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文兵，史波，肖婷，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44