本发明提供一种基板仓库、基板处理系统和基板检查方法，不使生产量降低地确定出半导体器件制造时的不良原因。一种基板仓库，用于保管保存有基板的容器，所述基板仓库具备：搬入部，其用于在从外部搬入所述容器时载置该容器；搬出部，其用于在向外部搬出所...

本发明提供一种使摄像图像的质量提高的基板处理装置和检查方法，该摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时的检查中使用。对被处理基板进行处理的基板处理装置具有：旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；摄像部，该摄...

本发明提供一种使摄像图像的质量提高的基板处理装置和检查方法，所述摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时的检查中使用。对被处理基板进行处理的基板处理装置具有：旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；摄像部，该...

本发明提供等离子体处理装置、监视方法以及记录介质，不配置传感器就检测异常的发生。等离子体处理装置具有存储部、第二获取部以及监视部。存储部存储变化信息，该变化信息表示针对载置于载置台上的晶圆的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括保持部、输送部、调节部、涂敷部和控制部。保持部具有吸附基片的下表面的多个吸附垫，用于保持基片。输送部沿输送方向输送保持部。调节部调节保持部的倾斜度。涂敷部对基片涂敷处理液。...

一种形成半导体器件的方法，包括：提供起始结构，该起始结构包括基板，在该基板上具有多个栅极区域，所述多个栅极区域与多个源极/漏极(S/D)区域交替地布置，其中，栅极区域中的每一个包括纳米沟道结构，该纳米沟道结构具有由替代栅极包围的中间部分...

描述了用于实时感测工业制造设备中的属性的装置和方法。该感测系统包括：第一多个传感器，其被安装在半导体器件制造系统的处理环境内，其中，每个传感器被指定给不同的区域以监测该制造系统的指定区域的物理属性或化学属性；以及读取器系统，其具有部件，...

检查装置具备具有合并功能的摄像部、以及用于控制该摄像部的控制部，该控制部构成为执行以下工序：高速低精度检查工序，使将合并功能设为有效的摄像部拍摄探针的接触动作后的电极，并基于此时的摄像结果来判定电极的针痕的状态；以及低速高精度检查工序，...

提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非...

公开了用于光学发射测量的方法、系统和装置。该装置包括用于通过设置在等离子体处理室的壁处的光学窗口来收集等离子体光学发射谱的收集系统。光学系统包括：镜，其被配置成穿过等离子体处理室扫描多条不重合射线；以及远心耦合器，其用于从等离子体收集光...

本发明提供一种判定多能干细胞的未分化状态的方法，其包含向培养多能干细胞的受试培养用培养基照射波长190nm～2500nm的范围或其一部分范围的波长光，检测其反射光、透射光或透射反射光，得到吸光度光谱数据，通过基于使用在多能干细胞的培养中...

本发明提供喷射器及使用了该喷射器的基板处理装置以及基板处理方法。提供能够在更靠近基板的位置供给处理气体的喷射器及使用了该喷射器的基板处理装置以及基板处理方法。一种在长度方向上延伸的喷射器，该喷射器具有：气体导入部，其在与所述长度方向垂直...

本发明提供等离子体处理装置和环部件的厚度测量方法。载置台具有载置治具或被处理体的第一载置面和载置环部件的第二载置面，其中，治具具有与环部件的上表面相对的相对部，用于测量配置在被处理体的周围的环部件的厚度。升降装置使环部件相对于第二载置面...

本公开提供一种抑制由于上部电极的消耗引起上部电极与冷却板之间的密合性下降的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具有：冷却板，其具有用于固定上部电极的固定面，在固定面设置有通过与施加电压相应的吸附力来吸附上部电极的静电卡盘...

本发明涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(...

本发明提供一种基板处理装置。能够在以将基板吸附于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理装置中，容易地更换旋转台中的、与基板接触的部分。基板处理装置具备：旋转台，其具备：底座，其具有设置有至少1个抽吸口的表面；和吸附板，其具有：表面，其与基...

本发明提供基板处理装置。不给旋转台的旋转带来不良影响就能进行相对于与旋转台一起旋转的电气部件的供电、信号的收发等。具备：旋转台，保持基板并使它旋转；电气部件，设于旋转台并与它一起旋转；第1电极部，设于旋转台并与它一起旋转，第1电极部包括...

本发明提供一种基板处理装置。相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件。基板处理装置具备：旋转驱动机构，其使保持着基板的旋转台绕旋转轴线旋转；处理液喷嘴，其向保持于旋转台的基板的上表面供给处理液；电加热...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在以将基板保持于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理中提高基板温度的控制精度。具备：旋转驱动机构，其使保持着基板的旋转台旋转；电加热器，其与旋转台一起旋转地设于旋转台，并加热基板；受电电极，其与旋转...

本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧...