基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括保持部、输送部、调节部、涂敷部和控制部。保持部具有吸附基片的下表面的多个吸附垫，用于保持基片。输送部沿输送方向输送保持部。调节部调节保持部的倾斜度。涂敷部对基片涂敷处理液。控制部用调节部控制涂敷部的正下方的保持部的倾斜度。本发明专利技术能够均匀地形成涂敷膜。

Substrate processing device and substrate processing method

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
在专利文献1中公开了一边利用气体的压力使基片上浮进行输送，一边在基片形成涂敷膜的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第5570464号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种均匀地形成的涂敷膜的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理装置包括保持部、输送部、调节部、涂敷部和控制部。保持部具有吸附基片的下表面的多个吸附垫，用于保持基片。输送部沿输送方向输送保持部。调节部调节保持部的倾斜度。涂敷部对基片涂敷处理液。控制部用调节部控制涂敷部的正下方的保持部的倾斜度。专利技术效果依照本专利技术，能够均匀地形成的涂敷膜。附图说明图1是实施方式的基片处理装置的一部分的概略俯视图。图2是表示实施方式的基片处理装置的输送部的概略侧视图。图3是图1的III-III截面的概略图。图4是表示实施方式的控制装置的构成的框图。图5是说明实施方式的高度调节处理的流程图。图6是说明实施方式的第二涂敷部中的基片处理的流程图。图7是表示实施方式和比较例的第二涂敷部的正下方的基片的高度的一例的图。图8是表示变形例的基片处理装置的一部分的俯视图。附图标记说明1基片处理装置2涂敷部2A第一涂敷部(规定涂敷部)2B第二涂敷部(另一涂敷部)4保持部5输送部6调节部7垫高度调节部8检测传感器9控制装置41吸附垫61升降致动器92控制部93存储部。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的基片处理装置和基片处理方法。在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，给出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向且以Z轴正方向为铅垂向上的直角坐标系。另外，在此，规定以Y轴正方向为前方且以Y轴负方向为后方的前后方向，规定以X轴负方向为右方且以X轴正方向为左方的左右方向。此外，规定以Z轴正方向为上方且以Z轴负方向为下方的上下方向。基片处理装置一边将基片沿前后方向从后方向前方输送，一边进行处理。即，基片处理装置一边沿从后方向前方的方向即输送方向输送基片，一边进行处理。<整体构成>参照图1～图3，说明实施方式的基片处理装置1。图1是表示实施方式的基片处理装置1的一部分的概略俯视图。图2是表示实施方式的基片处理装置1的输送部5的概略侧视图。图3是图1的III-III截面的概略图。基片处理装置1包括多个涂敷部2、上浮台3、一对保持部4、一对输送部5、一对调节部6、多个垫高度调节部7、一对检测传感器8和控制装置9。基片处理装置1例如对LCD(液晶显示器)用的玻璃基片S(以下称为“基片S”。)涂敷作为处理液的抗蚀剂液。在此，对作为多个涂敷部2包括第一涂敷部2A和第二涂敷部2B这2个涂敷部2的一例进行说明，但是涂敷部2的数量不限于2个，可以为3个以上。第一涂敷部2A和第二涂敷部2B沿基片S的输送方向即从后方向前方按第一涂敷部2A、第二涂敷部2B的顺序配置。第一涂敷部2A沿左右方向延伸。第一涂敷部2A安装在门型的支承部件12A。第一涂敷部2A对基片S涂敷抗蚀剂液(处理液的一例)，在基片S形成作为涂敷膜的抗蚀剂膜。此外，关于第一涂敷部2A，用能够沿前后方向移动的启动部(未图示)能够使第一涂敷部2A的排出口中的抗蚀剂液的附着状态一致。由此，第一涂敷部2A能够使抗蚀剂液的排出状态稳定。第二涂敷部2B沿左右方向延伸。第二涂敷部2B安装在门型的支承部件12B。第二涂敷部2B在基片S涂敷抗蚀剂液(处理液的一例)，在基片S形成抗蚀剂膜。此外，第二涂敷部2B与第一涂敷部2A同样能够用启动部(未图示)使抗蚀剂液的排出状态稳定。基片处理装置1例如能够用第一涂敷部2A和第二涂敷部2B交替地在基片S涂敷抗蚀剂液。由此，基片处理装置1能够在对一涂敷部2用启动部使抗蚀剂液的排出状态稳定的期间，由另一涂敷部2对基片S涂敷抗蚀剂液。上浮台3包括第一上浮台3A、第二上浮台3B、第三上浮台3C、第四上浮台3D、第五上浮台3E。各上浮台3A～3E沿基片S的输送方向即从后方向前方按第一上浮台3A、第二上浮台3B、第三上浮台3C、第四上浮台3D、第五上浮台3E的顺序配置。各上浮台3A～3E配置在架台13上。第一上浮台3A具有多个喷出口(未图示)。第一上浮台3A从喷出口将压缩的空气吹向基片S的下表面，对基片S施加向上方作用的力(以下称为上浮力。)。第一上浮台3A通过施加上浮力，来调节保持于保持部4的基片S的上浮高度。具体而言，第一上浮台3A进行调节以使得基片S的上浮高度稳定在200～2000μm的范围内。第二上浮台3B配置在第一涂敷部2A的下方。第二上浮台3B具有多个喷出口(未图示)和多个吸引口(未图示)。第二上浮台3B将压缩的空气从喷出口吹向基片S的下表面，对基片S施加上浮力。另外，第二上浮台3B从吸引口吸引存在于其与基片S之间的空气。由此，第二上浮台3B能够高精度地调节基片S的上浮高度。具体而言，第二上浮台3B进行调节以使得基片S的上浮高度稳定在30～60μm的范围内。第三上浮台3C和第五上浮台3E的构成与第一上浮台3A相同，省略详细的说明。此外，第四上浮台3D配置在第二涂敷部2B的下方。第四上浮台3D的构成与第二上浮台3B相同，省略详细的说明。保持部4在左右方向排列地设置一对。保持部4以在左右方向上夹着上浮台3的方式设置。保持部4包括垫支承部件40、多个吸附垫41、多个仿垫42。垫支承部件40是沿前后方向延伸的板状或棒状的部件，形成为能够在上下方向变形。在垫支承部件40，在上浮台3侧的侧面安装吸附垫41。此外，在垫支承部件40，在与上浮台3侧相反侧的侧面安装仿垫42。垫支承部件40经由大致L字状的接合部件14、垫高度调节部7和调节部6的升降支承部件60，与输送部5的引导部件51连接。多个接合部件14沿前后方向排列地与垫支承部件40的下端连接。能够通过调节部6来改变垫支承部件40上下方向的高度。此外，能够通过调节部6来改变垫支承部件40前后方向的倾斜度。并且，能够通过各垫高度调节部7来改变垫支承部件40在各垫高度调节部7附近的高度。吸附垫41在前后方向排列地配置。此处，给出6个吸附垫41在前后方向排列地配置的一例，但是吸附垫41的数量不限于此。各吸附垫41以成为相同的高度的方式安装在垫支承部件40。在吸附垫41，在上表面侧形成多个吸附口。吸附垫41通过吸附口来吸附基片S的下表面。仿垫42在前后方向排列地配置。此处，给出6个仿垫42在前后方向排列配置的一例，但是仿垫42的数量不限于此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n保持部，其具有吸附基片的下表面的多个吸附垫，用于保持所述基片；/n沿输送方向输送所述保持部的输送部；/n调节所述保持部的倾斜度的调节部；/n对所述基片涂敷处理液的涂敷部；和/n控制部，其用所述调节部控制所述涂敷部的正下方的所述保持部的倾斜度。/n

【技术特征摘要】
20181004 JP 2018-1887881.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
保持部，其具有吸附基片的下表面的多个吸附垫，用于保持所述基片；
沿输送方向输送所述保持部的输送部；
调节所述保持部的倾斜度的调节部；
对所述基片涂敷处理液的涂敷部；和
控制部，其用所述调节部控制所述涂敷部的正下方的所述保持部的倾斜度。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括多个垫高度调节部，其分别能够调节所述多个吸附垫的高度，以使得规定涂敷部的正下方的所述基片的高度在规定范围内，
在由所述多个垫高度调节部调节了所述多个吸附垫的高度的状态下，所述控制部用所述调节部控制与所述规定涂敷部不同的另一涂敷部的正下方的所述保持部的倾斜度。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部用所述调节部控制所述规...

【专利技术属性】
技术研发人员：筱崎贤哉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP