喷镀用材料和带喷镀膜的构件制造技术

本发明专利技术涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明专利技术公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(RE‑O‑X)与稀土元素卤化物(REX

Materials for spray coating and components with spray coating

【技术实现步骤摘要】
喷镀用材料和带喷镀膜的构件本申请是中国专利技术专利申请201711086205.6的分案申请。中国专利技术专利申请201711086205.6的申请日是2017年11月7日，专利技术名称是喷镀用材料和带喷镀膜的构件。
本专利技术涉及喷镀用材料、使用该喷镀用材料而形成的喷镀膜以及带喷镀膜的构件。本申请主张基于2016年11月7日申请的日本特愿第2016-217287号的优先权。该申请的全部内容作为参照组入本说明书中。
技术介绍
通过将基材的表面用各种材料包覆来赋予新功能性的技术一直以来应用在各种各样领域。作为该表面包覆技术之一，已知有例如喷镀法：将由陶瓷等材料形成的喷镀颗粒通过燃烧或电能制成软化或熔化状态并向基材的表面吹送，从而形成由所述材料形成的喷镀膜。另外，在半导体设备等制造领域中，通常通过使用了氟、氯、溴等卤素系气体的等离子体的干蚀刻来对半导体基板的表面实施微细加工。另外，在干蚀刻之后，对取出了半导体基板的腔室(真空容器)的内部，使用氧气等离子体进行清洁。此时，在腔室内，暴露于反应性高的氧气等离子体、卤素气体等离子体的构件有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带喷镀膜的基材，其具备：基材和所述基材表面的至少一部分所具备的喷镀膜，/n所述喷镀膜包含稀土元素、氧和卤素元素作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物与稀土元素卤化物的混晶。/n

【技术特征摘要】
20161107 JP 2016-2172871.一种带喷镀膜的基材，其具备：基材和所述基材表面的至少一部分所具备的喷镀膜，
所述喷镀膜包含稀土元素、氧和卤素元素作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物与稀土元素卤化物的混晶。


2.根据权利要求1所述的带喷镀膜的基材，其中，
包含钇作为所述稀土元素，
包含氟作为所述卤素元素，
包含氟氧化钇与氟化钇的混晶作为所述混晶。


3.一种带喷镀膜的基材，其具备：基材和所述基材表面的至少一部分所具备的喷镀膜，
所述喷镀膜包含稀土元素、氧和卤素元素作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物与稀土元素氧化物的混晶。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的带喷镀膜的基材，其中，所述喷镀膜以所述稀土元素卤氧化物作为主要成分。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的带喷镀膜的基材，其中，所述喷镀膜实质上不含所述稀土元素氧化物。

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【专利技术属性】
技术研发人员：长山将之，伊部博之，益田敬也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP