在一实施方式的成膜方法在基片载置于支承台上的状态下被执行。该成膜方法包括：从气体供给部向腔室主体的内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；从气体供给部向内部空间供给反应性气体的步骤；生成反应性气体的等离子体以增强前体与反应性气体的反应的步...

本发明提供能够通过简易的结构一边使基板旋转一边对基板进行加热的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持旋转部，其将基板保持在载置台上并使基板旋转；激光照射头，其向所述载置台的下表面照射激光光线；以及控制部，其至少控制所述基...

本发明提供一种抑制掩模图案的偏差的处理方法和基板处理装置。所述处理方法具有：第一工序，在被蚀刻膜上使沉积物沉积于图案化的掩模层；以及第二工序，去除所述掩模层的一部分和所述沉积物的一部分中的至少任一方，在该处理方法中，将所述第一工序和所述...

本发明提供一种基片支承器，其包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。基片支承器具有导电结构和保持件。导电结构包括导电路径和连接部件。导电路径在第2支承区域的径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向...

本发明涉及基片支承器和等离子体处理装置。例示的实施方式的基片支承器包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。第2支承区域包括下部电极、保持区域和接合区域。保持区域包括第1电极和第2电极。第1电极和第2...

本发明提供在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时进行面内均匀性较高的处理的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台，当在处理容器内处理基板时所述基板载置台载置所述基板并对其进行调温，其中，所述基板载置台具有：金属制的第1板，...

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。例示的实施方式的蚀刻方法在基片被载置于等离子体处理装置的腔室内所设置的基片支承台上的状态下执行。该蚀刻方法中为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力。接着，为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片，在...

本发明提供被处理体的处理方法和等离子体处理装置。所述被处理体的处理方法使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具备：处理容器；载置台，其在处理容器内载置被处理体；外周构件，其配置于载置台的周围；以及第一电压施加装置，...

本发明提供一种对边环与静电卡盘的相向的侧壁的间隙进行管理的载置台、边环的定位方法和基板处理装置。载置台具有：边环，其配置于基板的周围，在该边环的下部具有第一凹部；静电卡盘，其具有载置所述基板的第一载置面和载置所述边环的第二载置面，在所述...

本发明提供载置台和基板处理装置。对边缘环与静电卡盘之间的相对的侧壁的间隙进行管理。提供一种载置台，该载置台具有：边缘环，其配置于基板的周围；静电卡盘，其具有载置所述基板的第1载置面和载置所述边缘环的第2载置面；以及具有伸缩性的构件，其配...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直...

本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。

本发明提供一种能够在将所载置的基板冷却成极低温的状态下使该基板旋转且冷却性能较高的载置台装置和处理装置。载置台装置具备：载置台，其在真空容器内保持被处理基板；冷冻机，其具有被保持在极低温的冷头部；冷冻传导体，其以与冷头部接触了的状态固定...

本发明提供基片处理装置的控制装置和基片处理装置的控制方法。本发明的一个方式的基片处理装置的控制装置包括读取部、推断部、比较部和修正部。读取部读取处理基片的基准处理条件。推断部推断基片被处理时的实际处理条件。比较部比较基准处理条件与实际处...

示例性实施方式所涉及的清洗方法中，在等离子体处理装置的腔室内，由清洗气体形成等离子体。聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在等离子体的形成中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚...

本发明提供一种能够在将所载置的基板冷却成极低温的状态下使该基板旋转且冷却性能较高的载置台装置和处理装置。载置台装置具备：载置台，其在真空容器内保持被处理基板；冷冻传导体，其以与载置台隔着间隙的方式固定配置于载置台的背面侧，被冷冻机冷却成...

在例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，在腔室内设置有基板支承台和聚焦环。聚焦环在基板支承台上包围基板。聚焦环具有第一区域和第二区域。第一区域包括聚焦环的内侧上表面。第二区域包括聚焦环的外侧上表面。内侧上表面延伸至比外侧上表面更靠...

用于载置基板的载置台具有：基台，其在内部具备吸附电极；聚焦环，其设于所述吸附电极的上方，并被吸附保持在所述基台上；以及沉积物控制环，在所述基台上、且是所述聚焦环的径向内侧设置该沉积物控制环。在所述聚焦环与所述沉积物控制环的沿着径向之间形...

提供一种载置台，该载置台具有：板状构件，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；和埋入构件，其配置到所述通孔的内部，在所述埋入构件的表面设置有凹部和凸部中的至少任一者。

本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。