基片支承器和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基片支承器和等离子体处理装置。例示的实施方式的基片支承器包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。第2支承区域包括下部电极、保持区域和接合区域。保持区域包括第1电极和第2电极。第1电极和第2电极在周向延伸。第1电极设置于第2电极的内侧。分别与第1电极和第2电极连接的第1导线和第2导线在接合区域内在比第2支承区域的内侧边界和外侧边界靠内侧边界与外侧边界之间的中央部的附近或者中央部上延伸。本发明专利技术谋求在第1导线和第2导线各自与等离子体空间之间确保较大的距离，该第1导线和第2导线分别与用于保持聚焦环的保持区域的第1电极和第2电极连接。

【技术实现步骤摘要】
基片支承器和等离子体处理装置
本专利技术的例示的实施方式涉及基片支承器和等离子体处理装置。
技术介绍
等离子体处理装置被用于电子器件的制造中。专利文献1记载了一种等离子体处理装置。专利文献1所记载的等离子体处理装置包括下部电极和静电保持件。静电保持件设置于下部电极上。静电保持件构成为能够保持聚焦环。该静电保持件具有形成双极的二个电极。二个电极在周向延伸。二个电极中的一者相对于二个电极中的另一者在径向内侧延伸。二个电极与二个导线连接。对二个电极经由二个导线施加电压。二个导线被隐藏在等离子体处理装置的腔室内以使得不暴露于等离子体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-122740号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题谋求在第1导线和第2导线各自与等离子体空间之间确保较大的距离，其中该第1导线和第2导线分别与用于保持聚焦环的保持区域的第1电极和第2电极连接。用于解决技术问题的技术方案在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置用的基片支承器。基片支承器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置用的基片支承器，其特征在于，包括：/n第1支承区域，其构成为能够支承载置于其上的基片；和/n第2支承区域，其构成为能够支承载置于其上的聚焦环，在所述第1支承区域的径向上的外侧沿周向延伸；/n所述第2支承区域包括：/n下部电极；/n保持区域，其设置于所述下部电极的上方，在所述周向延伸；和/n接合区域，其具有绝缘性，设置于所述保持区域与所述下部电极之间以使得所述保持区域与所述下部电极接合，/n所述保持区域包括第1电极和第2电极，构成为能够用在该第1电极与该第2电极之间被设定的电位差来保持所述聚焦环，/n所述第1电极和所述第2电极在所述周向延伸，所述第1电极相对于所述第2电极...

【技术特征摘要】
20181108 JP 2018-2107341.一种等离子体处理装置用的基片支承器，其特征在于，包括：
第1支承区域，其构成为能够支承载置于其上的基片；和
第2支承区域，其构成为能够支承载置于其上的聚焦环，在所述第1支承区域的径向上的外侧沿周向延伸；
所述第2支承区域包括：
下部电极；
保持区域，其设置于所述下部电极的上方，在所述周向延伸；和
接合区域，其具有绝缘性，设置于所述保持区域与所述下部电极之间以使得所述保持区域与所述下部电极接合，
所述保持区域包括第1电极和第2电极，构成为能够用在该第1电极与该第2电极之间被设定的电位差来保持所述聚焦环，
所述第1电极和所述第2电极在所述周向延伸，所述第1电极相对于所述第2电极在径向上设置于内侧，
该基片支承器还包括：
通过所述接合区域与所述第1电极连接的第1导线；和
通过所述接合区域与所述第2电极连接的第2导线，
所述第1导线和所述第2导线在所述接合区域内在比所述第2支承区域的内侧边界和外侧边界靠该内侧边界与该外侧边界之间的中央部的附近或者该中央部上延伸。


2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于：
所述第1导线和所述第2导线在所述接合区域内在所述中央部上延伸。


3.如权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木康晴，小岩真悟，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP