【技术实现步骤摘要】
线圈组件及半导体设备
本专利技术涉及半导体设备
，更具体地，涉及一种线圈组件及应用该线圈组件的半导体设备。
技术介绍
在半导体工业中，ICP(感应耦合等离子体)源是半导体领域干法刻蚀和薄膜沉积常用的等离子体源。ICP源由高频电流通过线圈产生的高频电磁场激发气体产生等离子体，工作气压较低，具有等离子体密度高、对工件损伤小等特点。随着晶圆尺寸不断扩大和刻蚀线宽的逐渐降低，优异的等离子体均匀性分布日益成为等离子体源开发的瓶颈。现有的ICP源的线圈组件采用同心圆或者渐开线的线圈结构，为了获得产生大面积且均匀性的等离子体分布，通常需要扩大线圈组件覆盖的范围，同时线圈的长度也会增加。但当线圈长度大于所用功率源波长的1/10时极易产生驻波效应，导致等离子体均匀性难以实现。因此需要提出一种新型线圈组件设计，以解决传统ICP源线圈组件扩大线圈组件覆盖的范围导致单组线圈长度过长出现驻波，进而使ICP源难以产生大面积均匀等离子体的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种线圈组件及半导体装置，有效避...
【技术保护点】
1.一种线圈组件，其特征在于，包括：多组感应线圈，所述多组感应线圈之间并联连接，且所述多组感应线圈呈放射状分布。/n
【技术特征摘要】
1.一种线圈组件，其特征在于，包括：多组感应线圈，所述多组感应线圈之间并联连接，且所述多组感应线圈呈放射状分布。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其特征在于，
每组所述感应线圈的一端均连接射频源，另一端均接地；
每组所述感应线圈均呈直线形，所述线圈组件包括至少三组感应线圈。
3.根据权利要求2所述的线圈组件，其特征在于，所述多组感应线圈中每相邻两组所述感应线圈之间的夹角相等。
4.根据权利要求1所述的线圈组件，其特征在于，所述感应线圈的长度小于为所述线圈组件供电的射频电源对应波长的1/10。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其特征在于，每组所述感应线圈包括多个线圈单元，所述多个线圈单元依次串联。
6.根据权利要求5所述的线圈组件，其特征在于，所述线圈单元呈圆弧形，圆弧...
【专利技术属性】
技术研发人员：李兴存，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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