【技术实现步骤摘要】
基底处理方法本申请要求于2018年11月2日向韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0133556号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用其全部包含于此。
示例实施例涉及等离子体沉积方法和等离子体沉积设备。更具体地，示例实施例涉及用于对半导体器件的制造所使用的沉积设备进行清洗的基底处理方法和基底处理设备。
技术介绍
在用于制造半导体器件的沉积设备中，层可以沉积在诸如晶圆的基底上，而且可能沉积在腔室内的内部组件上。由于在腔室内重复地执行沉积工艺，所以会使沉积在腔室内的累积层的厚度增大，因此会出现颗粒。因此，会需要清洗工艺以去除累积层。然而，传统的清洗工艺会对腔室内的内部组件造成损坏，并且由于会在比沉积工艺中的温度相对低的温度下执行传统的清洗工艺，所以为了清洗工艺通常需要停止沉积设备，从而降低了生产率。
技术实现思路
示例实施例提供了一种能够防止腔室的内部组件被损坏且能够改善生产率的基底处理方法。根据示例实施例，在一种基底处理方法中，在第一温度下执行清洗工艺，以去除通过...
【技术保护点】
1.一种基底处理方法，所述基底处理方法包括下述步骤：/ni)在第一温度下执行清洗工艺，以去除通过沉积工艺沉积在腔室内的累积层的一部分；/nii)在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺；以及/niii)交替地且重复地执行步骤i)和步骤ii)。/n
【技术特征摘要】
20181102 KR 10-2018-01335561.一种基底处理方法，所述基底处理方法包括下述步骤：
i)在第一温度下执行清洗工艺，以去除通过沉积工艺沉积在腔室内的累积层的一部分；
ii)在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺；以及
iii)交替地且重复地执行步骤i)和步骤ii)。
2.根据权利要求1所述的基底处理方法，其中，在执行步骤ii)之后残留在腔室内的累积层具有第一厚度，在执行步骤i)之后残留在腔室内的累积层具有小于第一厚度的第二厚度。
3.根据权利要求2所述的基底处理方法，所述基底处理方法还包括：在步骤i)之前，
iii)在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺。
4.根据权利要求3所述的基底处理方法，其中，在步骤iii)执行之后残留在腔室内的累积层具有第一厚度。
5.根据权利要求1所述的基底处理方法，所述基底处理方法还包括：
在步骤i)中，在执行清洗工艺后，在位于腔室内的累积层上形成缓冲层。
6.根据权利要求5所述的基底处理方法，其中，形成缓冲层的步骤是在第一温度下执行的。
7.根据权利要求1所述的基底处理方法，其中，执行清洗工艺的步骤包括：
从位于腔室内的基底台的上方供应第一清洗气体；以及
从位于腔室内的基底台的下方供应第二清洗气体。
8.根据权利要求7所述的基底处理方法，其中，第二清洗气体的流速与第一清洗气体的流速不同。
9.根据权利要求7所述的基底处理方法，其中，供应第一清洗气体的步骤包括：
将基底台保持在第一高度；以及
将基底台保持在与第一高度不同的第二高度。
10.根据权利要求7所述的基底处理方法，其中，供应第二清洗气体的步骤包括：
将基底台保持在第三高度；以及
将基底台保持在与第三高度不同的第四高度。
11.一种基底处理方法，所述基底处理方法包括下述步骤：
i)在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺，使得在腔室内沉积具有第一厚度的累积层；
ii)对累积层执行局部清洗工艺，使得累积层具有小于第一厚度的第二厚度；
iii)在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺，使得在腔室内沉积具有第一厚度的累积层；以及
iv)交替地且重复...
【专利技术属性】
技术研发人员：金善铁，李甲洙，李根泳，林弘泽，玄政祐，韩东勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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