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基底处理方法技术
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文档序号:24127129
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公开了一种基底处理方法。在该基底处理方法中,在第一温度下执行清洗工艺,以去除通过沉积工艺沉积在腔室内的累积层的一部分(步骤1)。在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺(步骤2)。交替地且重复地执行步骤1和步骤2。...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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