【技术实现步骤摘要】
谐振腔结构和半导体处理设备
本专利技术涉及半导体制造
,具体涉及一种谐振腔结构和一种半导体处理设备。
技术介绍
一般地,表面波等离子体处理设备包括反应腔体、真空腔体、谐振腔体和保护壳体。谐振腔体通过螺钉固定在真空腔体顶部,谐振腔体的外部套设有保护壳体,保护壳体与反应腔体连接。在谐振腔体与真空腔体之间、保护壳体与反应腔体之间均设置有弹性电磁屏蔽环。但是,在上述结构中,每一次需要对谐振腔体进行开腔维护时,需要提前拆除保护壳体,之后将螺钉拆下,最后再将谐振腔体拆除。此外,螺钉的拆卸空间比较狭小,且谐振腔的拆除可能也有存在机械干涉。此外,在对谐振腔体进行合腔时,仅仅依靠螺钉的作用,并不能够有效保证弹性电磁屏蔽环的有效密封,导致谐振腔体与真空腔体之间的弹性电磁屏蔽环失效。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种谐振腔结构和一种半导体处理设备。为了实现上述目的,本专利技术的第一方面,提供了一种谐振腔结构,包括:谐振腔体;保护壳体,罩设 ...
【技术保护点】
1.一种谐振腔结构,其特征在于,包括:/n谐振腔体;/n保护壳体,罩设在所述谐振腔体的外部;/n第一支撑件,与所述保护壳体内壁固定连接;/n第二支撑件,与所述谐振腔体外壁固定连接,位于所述第一支撑件的上方,并可与所述第一支撑件相重叠,以在所述第一支撑件的带动下升降;/n定位件,沿所述第二支撑件的升降方向同时贯穿所述第一支撑件与所述第二支撑件,以定位所述第一支撑件与所述第二支撑件。/n
【技术特征摘要】
1.一种谐振腔结构,其特征在于,包括:
谐振腔体;
保护壳体,罩设在所述谐振腔体的外部;
第一支撑件,与所述保护壳体内壁固定连接;
第二支撑件,与所述谐振腔体外壁固定连接,位于所述第一支撑件的上方,并可与所述第一支撑件相重叠,以在所述第一支撑件的带动下升降;
定位件,沿所述第二支撑件的升降方向同时贯穿所述第一支撑件与所述第二支撑件,以定位所述第一支撑件与所述第二支撑件。
2.根据权利要求1所述的谐振腔结构,其特征在于,所述第一支撑件自所述保护壳体的内周壁向所述谐振腔体的外周壁延伸第一预设长度,所述第二支撑件自所述谐振腔体的外周壁向所述保护壳体的内周壁延伸第二预设长度。
3.根据权利要求1所述的谐振腔结构,其特征在于,所述第一支撑件上设置有贯穿其厚度的第一安装孔;
所述第二支撑件上设置有贯穿其厚度的第二安装孔,所述第二安装孔与所述第一安装孔同轴设置;
所述定位件穿设在所述第一安装孔和所述第二安装孔中。
4.根据权利要求3所述的谐振腔结构,其特征在于,所述定位件朝向所述第二支撑件的一侧设置有第一倒角结构,所述第二安装孔朝向所述第一安装孔的一端设置有第二倒角结构,所述第二倒角结构与所述第一倒角结构相适配,以引导所述定位件顺利穿入所述第二支撑件中。
5.根据权利要求1所述的谐振腔结构,其特征在于,所述谐振腔结构还包括调节组件,在所述第一支撑件与所述第二支撑件下降的过程中,所述调节组件能够限定所述第一支撑件的下降行程和/或对所述第二支撑件施加下压力。
6.根据权利要求5所述的谐振腔结构,其特征在于,所述调节组件包括第一调节螺母,旋设在所述定位件背离所述第一支撑件的端部,以通过调节...
【专利技术属性】
技术研发人员:段辰玥,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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