清扫离子注入机束流通道的方法技术

技术编号:24127138 阅读:60 留言:0更新日期:2020-05-13 04:59
本发明专利技术公开了一种清扫离子注入机束流通道的方法,使用样本离子,通过调整离子的能量及束流条件,以及调整设备参数,使离子束尽可能发散,通过发散的离子束流轰击束流通道侧壁上的镀层,将侧壁上的镀层轰击下来形成颗粒,实现清扫离子注入机束流通道的目的。本发明专利技术使用特定的离子、能量及束流条件,通过调节离子束的发散程度,使离子轰击束流通道的侧壁,迫使侧壁上的镀层提前剥落,击碎的镀层变成微粒随束流进入工艺腔,部分随排气排出,部分进入放置在托盘上的光刻胶晶圆。本方法可以减少镀层在注入过程中随机剥落的概率,降低良率低的风险。

【技术实现步骤摘要】
清扫离子注入机束流通道的方法
本专利技术涉及半导体器件制造与测试领域,特别是指一种清扫离子注入机束流通道的方法。
技术介绍
离子注入机是高压小型加速器中的一种,应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子,经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还用于金属材料表面改性和制膜等。离子注入机由五大部分组成:离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔。离子源离子注入机利用离子源中灯丝产生的热电子在电场的作用下轰击气体分子,使之电离。待注入的杂质源如果是气态,便可以直接引入到离子源的电场中,如果是固态,则还需加热蒸发,变为气相后引入到这个电场中。气相的杂质源在电场中被电离后变成为离子(即带电的原子或分子)。离子引出和质量分析器所有带正电的离子被离子源阳极的正压排斥从一个狭缝中被引出,此时等离子体中的电子被阴极排斥而被阻止,由此形成了正离子组成的离子束。热电子轰击杂质源气体分子会产生多种离子,比如三氟化硼气体源,在离子源中会形成B+、BF+、BF2+、F+和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清扫离子注入机束流通道的方法,其特征在于:使用样本离子,通过调整离子的能量及束流条件,以及调整设备参数,使离子束尽可能发散,通过发散的离子束流轰击束流通道侧壁上的镀层,将侧壁上的镀层被轰击下来形成颗粒并被带走,实现清扫离子注入机束流通道的目的。/n

【技术特征摘要】
1.一种清扫离子注入机束流通道的方法,其特征在于:使用样本离子,通过调整离子的能量及束流条件,以及调整设备参数,使离子束尽可能发散,通过发散的离子束流轰击束流通道侧壁上的镀层,将侧壁上的镀层被轰击下来形成颗粒并被带走,实现清扫离子注入机束流通道的目的。


2.如权利要求1所述的清扫离子注入机束流通道的方法,其特征在于:所述离子注入机在离子注入过程中,束流中的存在发散的离子,这些离子会贴附到束流通道的侧壁上形成镀层。


3.如权利要求1所述的清扫离子注入机束流通道的方法,其特征在于:所述样本离子包括砷离子、硼离子。


4.如权利要求1所述的清扫离子注入机束流通道的方法,其特征在于:包含如下的步骤:
第一步,使用砷离子进行轰击,使束流通道侧壁上的镀层剥落;
第二步,使用硼离子进行轰击,带走侧壁上剥落下来的镀层;
第三步,再次使用砷离子进行轰击,使离子注入机的工...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩继武刘善善
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1