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本发明公开了一种清扫离子注入机束流通道的方法，使用样本离子，通过调整离子的能量及束流条件，以及调整设备参数，使离子束尽可能发散，通过发散的离子束流轰击束流通道侧壁上的镀层，将侧壁上的镀层轰击下来形成颗粒，实现清扫离子注入机束流通道的目的。本...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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