成膜方法技术

在一实施方式的成膜方法在基片载置于支承台上的状态下被执行。该成膜方法包括：从气体供给部向腔室主体的内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；从气体供给部向内部空间供给反应性气体的步骤；生成反应性气体的等离子体以增强前体与反应性气体的反应的步骤。在生成反应性气体的等离子体的步骤中，调节供给到下部电极的第2高频的电功率与供给到上部电极的第1高频的电功率之比，并且用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位。

Film forming method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜方法
本专利技术的实施方式涉及一种成膜方法。
技术介绍
在电子器件的制造中，执行成膜处理以在基片上形成膜。在成膜处理中，利用前体与反应性气体的反应来形成膜。在一种成膜处理中，为了增强反应，利用反应性气体的等离子体。在成膜处理中，要求控制膜的应力(stress)。能够控制膜的应力的成膜处理记载于专利文献1～3。在专利文献1所记载的成膜处理中，使用了电容耦合型的等离子体处理装置。电容耦合型的等离子体处理装置，具有平行平板电极，即上部电极和下部电极。在专利文献1所记载的成膜处理中，相对于被供给到上部电极的高频的电功率，调节被供给到下部电极的高频的电功率，以控制SiN膜的应力。在专利文献2所记载的成膜处理中，使用了电感耦合型的等离子体处理装置。在专利文献2所记载的成膜处理中，调节高频的电功率，以提高SiN膜的压缩应力。在专利文献3所记载的成膜处理中，使用了电容耦合型的等离子体处理装置。在专利文献3所记载的成膜处理中，相对于被供给到上部电极的高频的电功率，调节被供给到下部电极的高频的电功率，以控制钝化膜的应力。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用等离子体处理装置执行的成膜方法，其特征在于：/n所述等离子体处理装置包括：/n腔室主体；/n气体供给部，其向所述腔室主体内所形成的内部空间供给气体；/n包含下部电极的支承台，其设置在所述内部空间之中，能够支承载置于其上的基片；/n设置在所述支承台的上方的上部电极；/n高频供给部，其能够产生第1高频和第2高频，并且能够调节所述第2高频的电功率与所述第1高频的电功率之比，其中所述第1高频被供给到所述上部电极，所述第2高频具有与所述第1高频相同的频率并被供给到所述下部电极；和/n相位调节电路，其相对于所述上部电极的电压的相位，相对地调节所述下部电极的电压的相位，/n该成膜方法在基片被载置...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171010 JP 2017-1966291.一种使用等离子体处理装置执行的成膜方法，其特征在于：
所述等离子体处理装置包括：
腔室主体；
气体供给部，其向所述腔室主体内所形成的内部空间供给气体；
包含下部电极的支承台，其设置在所述内部空间之中，能够支承载置于其上的基片；
设置在所述支承台的上方的上部电极；
高频供给部，其能够产生第1高频和第2高频，并且能够调节所述第2高频的电功率与所述第1高频的电功率之比，其中所述第1高频被供给到所述上部电极，所述第2高频具有与所述第1高频相同的频率并被供给到所述下部电极；和
相位调节电路，其相对于所述上部电极的电压的相位，相对地调节所述下部电极的电压的相位，
该成膜方法在基片被载置于所述支承台上的状态下被执行，包括：
从所述气体供给部向所述内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；
从所述气体供给部向所述内部空间供给反应性气体的步骤；和
生成所述反应性气体的等离子体，以增强所述前体与所述反应性气体的反应的步骤，
在生成所述反应性气体的等离子体的所述步骤中，调节所述第2高频的电功率与所述第1高频的电功率之比，并且用所述相位调节电路，相对于所述上部电极的电压的相位相对地调节所述下部电极的电压的相位，以使得所述下部电极的自偏置电位为零或者具有正值。


2.一种使用等离子体处理装置执行的成膜方法，其特征在于：
所述等离子体处理装置包括：
腔室主体；
气体供给部，其向所述腔室主体内所形成的内部空间供给气体；
包含下部电极的支承台，其设置在所述内部空间之中，能够支承载置于其上的基片；
设置在所述支承台的上方的上部电极；
高频供给部，其能够产生第1高频和第2高频，并且能够调节所述第2高频的电功率与所述第1高频的电功率之比，其中所述第1高频被供给到所述上部电极，所述第2高频具有与所述第1高频相同的频率并被供给到所述下部电极；和
相位调节电路，其相对于所述上部电极的电压的相位，相对地调节所述下部电极的电压的相位，
该成膜方法在基片被载置于所述支承台上的状态下被执行，包括：
从所述气体供给部向所述内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；
从所述气体供给部向所述内部空间供给反应性气体的步骤；和
生成所述反应性气体的等离子体，以增强所述前体与所述反应性气体的反应的步骤，
在生成所述反应性气体的等离子体的所述步骤中，调节所述第2高频的电功率与所述第1高频的电功率之比，并且用所述相位调节电路，相对于所述上部电极的电压的相位相对地调节所述下部电极的电压的相位，以使得所述下部电极的自偏置电位具有负值。


3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：
所述高频供给部还包括：
高频电源；和
变压器，其具有一次线圈、第1二次线圈和第2二次线圈，其中所述一次线圈与所述高频电源电连接，所述第1二次线圈与所述一次线圈电磁耦合并且与所述上部电极电连接，所述第2二次线圈与所述一次线圈电磁耦合并且与所述下部电极电连接，所述变压器能够调节从所述第2二次线圈输出的所述第2高频的电功率与从所述第1二次线圈输出的所述第1高频的电功率之比，
在生成所述反应性气体的等离子体的所述步骤中，用变压器调节所述第2高频的电功率与所述第1高频的电功率之比。


4.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其特征在于：
供...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩下伸也，守屋刚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP