基片支承器、等离子体处理装置和聚焦环制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片支承器，其包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。基片支承器具有导电结构和保持件。导电结构包括导电路径和连接部件。导电路径在第2支承区域的径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向下方延伸。连接部件将聚焦环与端子区域彼此电连接。连接部件以面向聚焦环的在该连接部件的径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在端子区域上。保持件以向下方按压连接部件，并且使连接部件按压聚焦环的面的方式保持该连接部件。由此，基片支承器能够在抑制对保持聚焦环的静电引力进行抵抗的力的产生的同时提供可与聚焦环连接的电气通路。

Substrate holder, plasma processing device and focusing ring

【技术实现步骤摘要】
基片支承器、等离子体处理装置和聚焦环
本专利技术的例示的实施方式涉及基片支承器、等离子体处理装置和聚焦环。
技术介绍
等离子体处理装置在电子器件的制造中被使用。专利文献1记载了一种等离子体处理装置。在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，聚焦环以包围静电吸盘上所载置的基片的方式配置。为了调整聚焦环上的鞘的上端位置，而对聚焦环施加直流电压。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-258417号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题要求提供一种能够在抑制对保持聚焦环的静电引力进行抵抗的力的产生的同时提供可与聚焦环连接的电气通路。用于解决技术问题的技术方案在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置用的基片支承器。基片支承器包括第1支承区域、第2支承区域、导电结构和保持件。第1支承区域构成为能够支承载置于其上的基片。第2支承区域构成为能够支承载置于其上的聚焦环。第2支承区域在第1支承区域的径向上的外侧沿周向延伸。导电结构构成为与聚焦环连接。导电结构包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置用的基片支承器，其特征在于，包括：/n第1支承区域，其构成为能够支承载置于其上的基片；/n第2支承区域，其构成为能够支承载置于其上的聚焦环，所述第2支承区域在所述第1支承区域的径向上的外侧沿周向延伸；/n与所述聚焦环连接的导电结构，该导电结构包括：在所述第2支承区域的所述径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向下方延伸的导电路径；和将所述聚焦环与所述端子区域相互电连接的连接部件，所述连接部件以面向所述聚焦环的在该连接部件的所述径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在所述端子区域上；和/n保持件，其以向下方按压所述连接部件，并且使所述连接部件按压所述聚焦环的所述面的方式保...

【技术特征摘要】
20181108 JP 2018-2107331.一种等离子体处理装置用的基片支承器，其特征在于，包括：
第1支承区域，其构成为能够支承载置于其上的基片；
第2支承区域，其构成为能够支承载置于其上的聚焦环，所述第2支承区域在所述第1支承区域的径向上的外侧沿周向延伸；
与所述聚焦环连接的导电结构，该导电结构包括：在所述第2支承区域的所述径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向下方延伸的导电路径；和将所述聚焦环与所述端子区域相互电连接的连接部件，所述连接部件以面向所述聚焦环的在该连接部件的所述径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在所述端子区域上；和
保持件，其以向下方按压所述连接部件，并且使所述连接部件按压所述聚焦环的所述面的方式保持该连接部件。


2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于，
所述连接部件包括：
面向所述聚焦环的所述面的第1部分；和
与所述第1部分的下部连续地形成，并从该第1部分向所述径向上的外侧延伸的第2部分，
所述保持件以向下方按压所述第2部分的方式保持所述连接部件。


3.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：
还包括被夹持于所述连接部件与所述端子区域之间的具有弹性的导电部件。


4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
还包括被夹持于所述保持件与所述聚焦环的所述面之间的具有弹性的导电部件。


5.如权利要求1～4中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
还包括所述聚焦环。


6.如权利要求5所述的基片支承器，其特征在于，
所述聚焦环包括：
第1环状部，其为环状且为板状，配置在所述第2支承区域上；和
第2环状部，其包含所述聚焦环的所述面，以面向...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木康晴，内田阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP