等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明专利技术能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法
本专利技术中的例示的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
等离子体处理装置在对基片的等离子体蚀刻中使用。等离子体处理装置具有腔室和基片支承台。基片支承台具有下部电极，设置于腔室内。在实施等离子体蚀刻时，基片被载置在基片支承台上。并且，在腔室内由气体生成等离子体。基片被来自等离子体的正离子蚀刻。其结果是，在基片形成开口。当进行基于正离子的基片的蚀刻时，基片带电。在基片带电的状态下，向开口的内部供给的正离子的供给量减少。其结果是，可能降低蚀刻速率。或者，在基片带电的状态下，在基片形成的开口的形状可能发生异常。为了减少基片的正电荷量，在专利文献1记载的技术中，从电源对下部电极施加正极性的直流电压。接着，停止对下部电极施加直流电压。接着，从电源对下部电极施加负极性的直流电压。其结果是，正离子被引入到基片而进行蚀刻。过一会儿之后，停止对下部电极施加直流电压。在专利文献1所记载的技术中，反复进行对下部电极施加正极性的直流电压的动作、停止对下部电极施加直流电压的动作、对下部电极施加负极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：/n腔室；/n基片支承台，其具有下部电极，设置于所述腔室内；/n高频电源，其构成为为了在所述腔室内由气体生成等离子体而供给高频电力；和/n电源单元，其与所述下部电极电连接，构成为能够产生正极性的直流电压和负极性的直流电压，/n所述电源单元构成为：/n能够在所述腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中的第一期间中，停止对所述下部电极施加直流电压，/n能够在所述腔室内由所述蚀刻气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第一期间之后的第二期间中，将作为正极性的直流电压的第一直流电压施加到所述下部电极，/n能够为了对载置于所述基片载置台上的基片进行蚀刻，在所述腔...

【技术特征摘要】
20181105 JP 2018-2080071.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
腔室；
基片支承台，其具有下部电极，设置于所述腔室内；
高频电源，其构成为为了在所述腔室内由气体生成等离子体而供给高频电力；和
电源单元，其与所述下部电极电连接，构成为能够产生正极性的直流电压和负极性的直流电压，
所述电源单元构成为：
能够在所述腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中的第一期间中，停止对所述下部电极施加直流电压，
能够在所述腔室内由所述蚀刻气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第一期间之后的第二期间中，将作为正极性的直流电压的第一直流电压施加到所述下部电极，
能够为了对载置于所述基片载置台上的基片进行蚀刻，在所述腔室内由所述蚀刻气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第二期间之后的第三期间中，将作为负极性的直流电压的第二直流电压施加到所述下部电极，
所述电源单元输出的直流电压从所述第二期间中的所述第一直流电压被连续地切换为所述第三期间中的所述第二直流电压。


2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一直流电压的绝对值比所述第二直流电压的绝对值小。


3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第三期间的时长为所述第一期间的时长与所述第二期间的时长之和以下。


4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第三期间的时长为10μ秒以下。


5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第二期间的时长为所述第一期间的时长以下。


6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述电源单元构成为能够反复进行在所述第一期间中停止对所述下部电极施加直流电压的动作、在所述第二期间中对所述下部电极施加所述第一直流电压的动作和在所述第三期间中对所述下部电极施加所述第二直流电压的动作。


7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述电源单元还构成为：
能够在所述腔室内由清洁气体生成等离子体的生成过程中的第四期间中，将作为负极性的直流电压的第三直流电压施加到所述下部电极，
能够在所述腔室内由所述清洁气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第四期间之后的第五期间中，再次停止对所述下部电极施加直流电压，
能够在所述腔室内由所述清洁气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第五期间之后的第六期间中，将作为正极性的直流电压的第四直流电压施加到所述下部电极，
所述第四期间的时长比所述第五期间的时长与所述第六期间的时长之和长。


8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第四期间的时长比所述第三期间的时长长。


9.如权利要求7或8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述电源单元构成为能够反复进行在所述第四期间中对所述下部电极施加所述第三直流电压的动作、在所述第五期间中停止对所述下部电极施加直流电压的动作和在所述第六期间中对所述下部电极施...

【专利技术属性】
技术研发人员：永海幸一，永关一也，桧森慎司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP