蚀刻方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。例示的实施方式的蚀刻方法在基片被载置于等离子体处理装置的腔室内所设置的基片支承台上的状态下执行。该蚀刻方法中为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力。接着，为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片，在供给高频电力的步骤的执行过程中，对基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压。接着，为了生成负离子而停止对下部电极进行的负极性的直流电压的施加和高频电力的供给。接着，为了将负离子供给到基片，在停止了高频电力的供给的状态下，对下部电极施加正极性的直流电压。由此，能够实现使基片的正电荷量减少和提高蚀刻速率。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和等离子体处理装置
本专利技术的例示的实施方式涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。
技术介绍
等离子体处理装置在对基片进行的等离子体蚀刻中使用。等离子体处理装置具有腔室和基片支承台。基片支承台具有下部电极，并且设置在腔室内。当执行等离子体蚀刻时，基片被载置在基片支承台上。并且，在腔室内能够从气体生成等离子体。基片被来自等离子体的正离子蚀刻。其结果是，在基片形成开口。当利用正离子进行基片的蚀刻时，基片带电。在基片带电的状态下，向开口的内部去的正离子的供给量减少。其结果是，可能减少蚀刻速率。或者，在基片带电的状态下，在基片形成的开口的形状可能产生异常。为了使基片的正电荷量减少，在专利文献1记载的技术中，从电源向下部电极施加正极性的直流电压。接着，停止向下部电极施加直流电压。然后，从电源向下部电极施加负极性的直流电压。其结果是，正离子被引入到基片来进行蚀刻。之后，停止对下部电极的直流电压的施加。在专利文献1所记载的技术中，反复进行对下部电极施加正极性的直流电压、停止对下部电极施加直流电压、对下部电极施加负极性的直流电压、和停止对下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用等离子体处理装置来执行的蚀刻方法，该蚀刻方法在基片被载置于基片支承台上的状态下执行，所述基片支承台设置在该等离子体处理装置的腔室内，所述蚀刻方法的特征在于，包括：/n为了从所述腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力的步骤；/n为了利用来自所述等离子体的正离子来蚀刻所述基片，在供给所述高频电力的所述步骤的执行过程中，对所述基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压的步骤；/n为了生成负离子而停止对所述下部电极进行的所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的步骤；和/n为了将所述负离子供给到所述基片，在停止了所述高频电力的供给的状态下，对所述下部电极施加正极性的直流电压的步骤。/n

【技术特征摘要】
20181105 JP 2018-208005;20191009 JP 2019-1858321.一种使用等离子体处理装置来执行的蚀刻方法，该蚀刻方法在基片被载置于基片支承台上的状态下执行，所述基片支承台设置在该等离子体处理装置的腔室内，所述蚀刻方法的特征在于，包括：
为了从所述腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力的步骤；
为了利用来自所述等离子体的正离子来蚀刻所述基片，在供给所述高频电力的所述步骤的执行过程中，对所述基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压的步骤；
为了生成负离子而停止对所述下部电极进行的所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的步骤；和
为了将所述负离子供给到所述基片，在停止了所述高频电力的供给的状态下，对所述下部电极施加正极性的直流电压的步骤。


2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：
还包括在蚀刻流程执行了一次以上之后，在停止了所述高频电力的供给并且对所述下部电极停止了直流电压的施加的状态下，从所述腔室的内部空间排出气体的步骤，其中，所述蚀刻流程包括供给高频电力的所述步骤、施加负极性的直流电压的所述步骤、停止所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的所述步骤和施加正极性的直流电压的所述步骤。


3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于：
反复执行另一流程，该另一流程包括执行一次以上的所述蚀刻流程和排出气体的所述步骤。


4.如权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于：
在所述另一流程的执行期间中，排出气体的所述步骤被执行10μ秒以上。


5.如权利要求3或4所述的蚀刻方法，其特征在于：
随着所述另一流程的执行次数的增加，排出气体的所述步骤的执行期间的时长增加。


6.如权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
在停止所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的所述步骤的执行过程中，测量表示所述腔室内的电子密度的参数，
在根据所述参数而判断为所述腔室内的电子密度以满足规定的基准的方式减少的情况下，开始施加正极性的直流电压的所述步骤。


7.如权利要求1～6中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
在停止所述负极性的直流电压的施加和所述高频电力的供给的所述步骤中，在停止所述高频电力的供给之前，停止对所述下部电极进行的所述负极性的直流电压的施加。


8.如权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
在供给高频电力的所述步骤中，为了生成所述等离子体，断续地供给所述高频电力的多个脉冲。


9.如权利要求1～8中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
在施加负极性的直流电压的所述步骤中，所述负极性的直流电压的多个脉冲被断续地施加到所述下部电极。


10.如权利要求1～9中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
在施加正极性的直流电压的所述步骤在，所述正极性的所述直流电压的多个脉冲被断续地施加到所述下部电极。


11.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
腔室；
设置在所述腔室内的具有下部电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉虫元，永关一也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP