本发明提供热处理装置和热处理方法。本发明的一个方式的热处理装置包括：收纳基片的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；对上述处理容器与上述加热装置之间的空间吹出冷却流体的多个吹出装置；和开闭件，其同时开闭上述多个吹出装置的至少2个...

本发明提供一种检查装置系统。该检查装置系统具备多个检查装置、以及能够与该多个检查装置相互通信的数据处理装置，其中，数据处理装置具有：保存部，其保存用于决定同检查装置的设定有关的装置参数与在使检查装置动作时得到的指标数据之间的因果关系的模...

本发明涉及一种蚀刻方法和基板处理装置。[课题]扩大对象膜的能控制开口幅度的范围。[解决方案]提供一种蚀刻方法，其具备如下工序：提供基板的工序，所述基板具有蚀刻对象膜、含有硅的硬掩模和经图案化的抗蚀层；第1工序，在对前述硬掩模进行蚀刻之前...

本发明提供基板保持机构和成膜装置。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内...

本公开涉及一种凹部的埋入方法。[课题]提供能去除由非晶半导体膜埋入凹部时产生的接缝的技术。[解决方案]本公开的一方案的凹部的埋入方法具备如下加热工序：对埋入凹部内的非晶半导体膜照射激光，从而在不使前述非晶半导体膜结晶的情况下进行加热。

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。谋求超临界干燥处理的効率化。本公开的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部。处理容器为进行干燥处理的容器。多个...

本发明提供基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。基片处理装置将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到基片来进行基片处理，基片处理装置包括：在内部能够载置基片的处理容器；原料气体供给源，其用于收纳原料，向处理容器供给原料气体；缓...

本发明提供一种蚀刻方法。在一实施方式的蚀刻方法中，对具有磁性隧道结层的多层膜进行蚀刻。在该蚀刻方法中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置的腔室主体提供内部空间。在该蚀刻方法中，在内部空间中容纳被加工物。接着，利用内部空间中所生成的第...

本发明提供一种检测搬送单元的异常的征兆的搬送单元的监视方法、监视装置、监视用模型及存储介质。搬送单元搬送被搬送体，且具有：搬送部，其设置于基板处理装置，并且保持被搬送体并进行搬送；以马达，其驱动搬送部，该监视方法包括以下工序：计算工序，...

本发明涉及多晶硅膜的形成方法和成膜装置。[课题]提供能扩大多晶硅膜的晶粒大小的技术。[解决方案]本公开的一方式的多晶硅膜的形成方法具备如下工序：在基板上形成非晶硅膜的工序；在前述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；对...

本发明提供半导体存储器的制造方法。抑制形成孔时的对层叠体产生的损伤和孔内的残渣。在第1蚀刻工序中，在第1层叠工序中，在层叠于基板上的第1层叠体形成第1孔。在第1埋入工序中，在第1孔内埋入由有机材料构成的第1牺牲材料。在第2层叠工序中，向...

本发明提供一种等离子体处理装置，抑制不稳定的放电。等离子体处理装置具有：处理室，其在内部设置有用于载置基板的载置台，对基板实施等离子体处理；高频电源，其对载置台施加偏压用的高频电力；以及多个板状构件，其由导电性材料形成，与接地电位连接，...

本发明提供一种真空处理装置。该真空处理装置包括：受热部件，其具有接收来自热源的热的受热面；和供致冷剂流通的致冷剂流路，其沿受热面形成于受热部件的内部，致冷剂流路在与配置于受热面侧的第一内壁面交叉的一对第二内壁面具有第一槽部，该第一槽部在...

本发明提供一种器件的制造方法。在具有凹部的被处理体的处理中，保护凹部，并且减少凹部内的残渣。器件的制造方法包含：准备工序、埋入工序、层叠工序、第1去除工序、处理工序以及第2去除工序。在准备工序中，准备具有凹部的被处理体。在埋入工序中，在...

本发明涉及等离子体处理装置和环部件的形状测量方法。载置台具有用于依次载置多个治具的第一载置面和用于载置环部件的第二载置面。多个治具分别具有与环部件的上表面相对的相对部，该相对部在环部件的径向上的位置相互不同。获取部获取间隔信息，该间隔信...

本发明提供一种光照射装置。光照射装置包括构成为能够保持基片的基片保持部、光照射单元和供电单元。光照射单元包括：构成为能够对基片的表面照射光的光源；和与光源电连接的第1连接件。供电单元包括：构成为能够对光源供给电力的电源组件；和第2连接件...

本文描述用于提供局部高密度等离子体源的结构、平台和方法，所述局部高密度等离子体源在晶片制造过程中点燃局部气体以提供整体均匀性。这种等离子体源是在处于或高于微波值的射频下操作的谐振结构。

本发明提供一种即使是高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够高精度地蚀刻氮化硅膜的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。本公开的一个方式的基板处理方法包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序。在蚀刻工序中，在...

本发明提供一种不对基座造成损伤、利用蚀刻进行清洁的清洁方法和成膜方法。一种清洁方法，其是对设置到成膜装置的处理室内的基座进行干式清洁的清洁方法，其具有如下工序：将保护构件载置于在所述基座设置的基板载置区域的工序；以及在将所述保护构件载置...

本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使...