真空处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种真空处理装置。该真空处理装置包括：受热部件，其具有接收来自热源的热的受热面；和供致冷剂流通的致冷剂流路，其沿受热面形成于受热部件的内部，致冷剂流路在与配置于受热面侧的第一内壁面交叉的一对第二内壁面具有第一槽部，该第一槽部在相对于致冷剂的行进方向向第一内壁面侧倾斜的方向上延伸。本发明专利技术能够提高在载置台的载置面的温度分布的均匀性。

Vacuum treatment unit

【技术实现步骤摘要】
真空处理装置
本专利技术涉及一种真空处理装置。
技术介绍
一直以来，已知在真空环境下对半导体晶片(以下，简称为“晶片”)等被处理体进行规定的处理的真空处理装置。例如，已知作为真空处理装置，对被处理体使用等离子体进行蚀刻等等离子体处理的等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，为了对被处理体进行温度控制，沿用于载置被处理体的载置面在载置台的内部形成致冷剂流路。另外，提出了使气液二相状态的致冷剂载置台的内部的致冷剂流路中流通的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-272535号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供能够使在载置台的载置面的温度分布的均匀性提高的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的真空处理装置包括：受热部件，其具有接收来自热源的热的受热面；和供致冷剂流通的致冷剂流路，其沿上述受热面形成于上述受热部件的内部，上述致冷剂流路在与配置于上述受热面侧的第一内壁面交叉的一对第二内壁面具有第一槽部，上述第一槽部在相对于上述致冷剂的行进方向向上述第一内壁面侧倾斜的方向上延伸。专利技术效果依照本专利技术，能够起到提高在载置台的载置面的温度分布的均匀性的效果。附图说明图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置的结构的概略截面图。图2是表示第一实施方式的载置台的主要部分结构的一例的概略截面图。图3是展开地表示第一实施方式的致冷剂流路的展开图。图4是示意性地表示在致冷剂流路中流通的致冷剂的状况的说明图。图5是示意性地表示在致冷剂流路中流通的致冷剂的状况的说明图。图6是示意性地表示第二实施方式的致冷剂流路的内部的立体图。图7是示意性地表示第二实施方式的致冷剂流路的内部的侧面图。图8是示意性地表示第三实施方式的致冷剂流路的内部的立体图。图9是展开地表示第三实施方式的致冷剂流路的展开图。图10是示意性地表示第四实施方式的致冷剂流路的内部的侧面图。图11是示意性地表示第五实施方式的致冷剂流路的内部的截面图。图12是示意性地表示第六实施方式的致冷剂流路的内部的截面图。图13是示意性地表示另一实施方式的致冷剂流路的内部的立体图。图14是示意性地表示另一实施方式的致冷剂流路的内部的侧面图。图15的表示第八实施方式的等离子体处理装置的结构的概略截面图。图16是表示第八实施方式的喷淋头的主要部分结构的一例的概略截面图。图17是展开地表示第八实施方式的致冷剂流路的展开图。附图标记说明1处理容器2载置台2a基台2d致冷剂流路2e顶面2f底面2g内侧面6静电吸盘6e载置面100等离子体处理装置101第一槽部102第二槽部103、106突起部104、105凸部110致冷剂流路110a底面110b顶面110c内侧面121第一槽部。具体实施方式以下，参照附图，对各种实施方式进行详细说明。此外，在各附图中，对于相同或者相应的部分标注相同的附图标记。以下，作为真空处理装置的一例，使用等离子体处理装置来对实施方式进行说明。一直以来，已知对半导体晶片等被处理体使用等离子体进行蚀刻等等离子体处理的等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，为了对被处理体进行温度控制，沿用于载置被处理体的载置面在载置台的内部形成致冷剂流路。另外，提出了使气液二相状态的致冷剂在载置台的内部的致冷剂流路中流通的技术。但是，在等离子体处理装置中，在使气液二相状态的致冷剂在载置台的内部的致冷剂流路中流通的情况下，优选形成致冷剂流路的整个壁面被致冷剂的液膜覆盖的环状流。但是，在以载置台的载置面相对于重力水平且向上的方式设置载置台的情况下，在载置台的内部的致冷剂流路中的致冷剂在水平方向上游通的部位，致冷剂的液膜由于重力的影响从配置于载置台的载置面侧的致冷剂流路的顶面向与该顶面相对的底面移动。当致冷剂的液膜从配置于载置台的载置面侧的致冷剂流路的顶面向底面移动时，在致冷剂流路的顶面的致冷剂的液膜的厚度变薄。而且，由于在载置台的载置面侧生成等离子体，来自等离子体的热量输入导致在致冷剂流路的顶面促进致冷剂的蒸发。因此，存在发生在致冷剂流路的顶面的致冷剂的液膜消失的干透的情况。在等离子体处理装置中，当在致冷剂流路的顶面发生干透时，因为致冷剂的热传导率局部地降低，所以有可能损害在载置台的载置面的温度分布的均匀性。(第一实施方式)[等离子体处理装置的结构]图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置100的结构的概略截面图。等离子体处理装置100气密地构成，具有成为电接地电位的处理容器1。处理容器1形成为圆筒状，例如由铝等构成。处理容器1形成用于生成等离子体的处理空间。在处理容器1内设置有水平地支承作为被处理基片的半导体晶片(以下，简称为“晶片”。)W的载置台2。载置台2包括基台2a和静电吸盘(ESC：Electrostaticchuck)6。静电吸盘6对应于基片载置部件，基台2a对应于支承部件。基台2a形成为大致圆柱状，由导电性的金属例如铝等构成。基台2a具有作为下部电极的功能。基台2a被支承台4支承。支承台4例如由石英等形成的支承部件3支承。在基台2a和支承台4的周围设置有由例如石英等形成的圆筒状的内壁部件3a。基台2a经由第一匹配器11a与第一RF电源10a连接，此外经由第二匹配器11b与第二RF电源10b连接。第一RF电源10a是等离子体生成用的电源，构成为能够从该第一RF电源10a将规定频率的高频电力供给到载置台2的基台2a。此外，第二RF电源10b是离子引入用(偏置用)的电源，构成为能够从该第二RF电源10b将比第一RF电源10a低的规定频率的高频电力供给到载置台2的基台2a。静电吸盘6其上表面形成为平坦的圆盘状，该上表面作为载置晶片W的载置面6e。静电吸盘6构成为在绝缘体6b之间存在电极6a，电极6a与直流电源12连接。而且，构成为能够通过从直流电源12对电极6a施加直流电压，由此利用库仑力吸附晶片W。另外，在静电吸盘6的外侧设置有环状的边缘环(edgering)5。边缘环5例如由单晶硅形成，支承于基台2a。此外，边缘环5也可以被称为聚焦环。在基台2a的内部形成有致冷剂流路2d。致冷剂流路2d的一个端部连接着致冷剂入口配管2b，另一个端部连接着致冷剂出口配管2c。致冷剂流路2d经由致冷剂入口配管2b和致冷剂出口配管2c与设置于处理容器1的外部的热交换器、压缩机、冷凝器和膨胀阀连接，能够使气液二相状态的致冷剂循环。即，在基台2a中，构建有由致冷剂流路2d、致冷剂入口配管2b、致冷剂出口配管2c、热交换器、压缩机、冷凝器和膨胀阀等构成的直膨式致冷剂循环系统。等离子体处理装置100中，使气液二相状态的致冷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.真空处理装置，其特征在于，包括：/n受热部件，其具有接收来自热源的热的受热面；和/n供致冷剂流通的致冷剂流路，其沿所述受热面形成于所述受热部件的内部，/n所述致冷剂流路在与配置于所述受热面侧的第一内壁面交叉的一对第二内壁面具有第一槽部，所述第一槽部在相对于所述致冷剂的行进方向向所述第一内壁面侧倾斜的方向上延伸。/n

【技术特征摘要】
20181115 JP 2018-214695;20190726 JP 2019-1377721.真空处理装置，其特征在于，包括：
受热部件，其具有接收来自热源的热的受热面；和
供致冷剂流通的致冷剂流路，其沿所述受热面形成于所述受热部件的内部，
所述致冷剂流路在与配置于所述受热面侧的第一内壁面交叉的一对第二内壁面具有第一槽部，所述第一槽部在相对于所述致冷剂的行进方向向所述第一内壁面侧倾斜的方向上延伸。


2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：
所述第一槽部以去往所述致冷剂流路的所述第一内壁面而没有到达所述第一内壁面的长度延伸，在所述第一槽部与所述第一内壁面之间形成规定宽度的间隙。


3.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在于：
所述第一槽部形成于在各所述第二内壁面设置的多个凸部之间。


4.如权利要求1～3中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：
所述致冷剂流路在与所述第一内壁面相对的第三内壁面具有与所述第一槽部连续的第二槽部，所述第二槽部从沿所述致冷剂的行进方向的中心线延伸至夹着该中心线的所述第二内壁面。


5.如权利要求4所述的真空处理装置，其特征在于：
所述第二槽部形成于在所述第三内壁面设置的多个凸部之间。


6.如权利要求1～5中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：
所述致冷剂流路在所述第二内壁面具有多个所述第一槽部，
各所述第一槽部相对于所述致冷剂的行进方向的倾斜角度为位于比各所述第一槽部靠所述致冷剂的行进方向的上游侧的所述第一槽部的倾斜角度以上。


7.如权利要求1～6中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：
所述致冷剂流路在所述第二内壁面具有多个所述第一槽部，
各所述第一槽部的深度为位于比各所述第一槽部靠所述致冷剂的行进方向的上游侧的所述第一槽部的深度以下。


8.如权利要求1～7中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：
所述致冷剂流路在所述第二内壁面具有多个所述第一槽部，
各所述第一槽部的深度为比各所述第一槽部离所述第一内壁面较远的各所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫云，大矢欣伸，宫良明男，假屋圭史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP