多晶硅膜的形成方法和成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及多晶硅膜的形成方法和成膜装置。[课题]提供能扩大多晶硅膜的晶粒大小的技术。[解决方案]本公开的一方式的多晶硅膜的形成方法具备如下工序：在基板上形成非晶硅膜的工序；在前述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；对前述基板在第1温度下进行热处理，在前述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；在形成前述晶核后，将前述覆盖层去除的工序；和，对去除了前述覆盖层的前述基板在前述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使前述晶核生长的工序。

Forming method and device of polysilicon film

【技术实现步骤摘要】
多晶硅膜的形成方法和成膜装置
本公开涉及多晶硅膜的形成方法和成膜装置。
技术介绍
已知有如下技术：在晶体生长慢的第1非晶硅膜上层叠晶体生长快于第1非晶硅膜的第2非晶硅膜，进行结晶处理，从而形成大粒径的多晶硅膜(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-115435号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能扩大多晶硅膜的晶粒大小的技术。用于解决问题的方案本公开的一方式的多晶硅膜的形成方法具备如下工序：在基板上形成非晶硅膜的工序；在前述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；对前述基板在第1温度下进行热处理，在前述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；在形成前述晶核后，将前述覆盖层去除的工序；和，对去除了前述覆盖层的前述基板在前述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使前述晶核生长的工序。专利技术的效果根据本公开，能扩大多晶硅膜的晶粒大小。附图说明图1为示出多晶硅膜的形成方法的一例的工序本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅膜的形成方法，其具备如下工序：/n在基板上形成非晶硅膜的工序；/n在所述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；/n对所述基板在第1温度下进行热处理，在所述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；/n在形成所述晶核后，将所述覆盖层去除的工序；和，/n对去除了所述覆盖层的所述基板在所述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使所述晶核生长的工序。/n

【技术特征摘要】
20181116 JP 2018-2153451.一种多晶硅膜的形成方法，其具备如下工序：
在基板上形成非晶硅膜的工序；
在所述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；
对所述基板在第1温度下进行热处理，在所述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；
在形成所述晶核后，将所述覆盖层去除的工序；和，
对去除了所述覆盖层的所述基板在所述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使所述晶核生长的工序。


2.根据权利要求1所述的多晶硅膜的形成方法，其中，形成所述覆盖层的工序是在形成所述非晶硅膜的工序之后、在不将所述基板暴露于大气的情况下连续地进行的。


3.根据权利要求1或2所述的多晶硅膜的形成方法，其中，所述第2温度高于所述第1温度。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅膜的形成方法，其中，所述第1温度为450℃～550℃。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的多晶硅膜的形成方法，其中，去除所述覆盖层的工序是对所述覆盖层用稀氢氟酸蚀刻后、对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：本山丰，远藤笃史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP