等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，抑制不稳定的放电。等离子体处理装置具有：处理室，其在内部设置有用于载置基板的载置台，对基板实施等离子体处理；高频电源，其对载置台施加偏压用的高频电力；以及多个板状构件，其由导电性材料形成，与接地电位连接，配置到处理室的内表面。

Plasma treatment device

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本公开涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在专利文献1中公开有一种等离子体处理装置，在该等离子体处理装置中，在载置基板的载置台的周围设置有由导电性材料形成且设为接地电位的多个分隔构件，以便分隔成进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-216260号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种抑制不稳定的放电的技术。用于解决问题的方案本公开的一形态的等离子体处理装置具有处理室、高频电源、以及多个板状构件。处理室在内部设置有用于载置基板的载置台，对基板实施等离子体处理。高频电源对载置台施加偏压用的高频电力。多个板状构件由导电性材料形成，与接地电位连接，配置于处理室的内表面。专利技术的效果根据本公开，能够抑制不稳定的放电。附图说明图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一个例子的垂直剖视图。图2是表示实施方式的处理室内的结构的一个例子的水平剖视图。图3A是表示实施方式的翅片的结构的一个例子的立体图。图3B是表示实施方式的翅片的另一结构的一个例子的立体图。图4A是表示实施方式的排气网部的结构的一个例子的立体图。图4B是表示实施方式的排气网部的结构的一个例子的剖视图。图5是示意性地表示处理室内的电状态的一个例子的图。图6A是表示翅片的配置的另一个例子的图。图6B是表示翅片的配置的另一个例子的图。图6C是表示翅片的配置的另一个例子的图。图7A是表示翅片的配置的另一个例子的图。图7B是表示翅片的配置的另一个例子的图。图7C是表示翅片的配置的另一个例子的图。图8A是用于说明仅设置有第1开口挡板的情况的作用效果的图。图8B是用于说明仅设置有第2开口挡板的情况的作用效果的图。图8C是用于说明设置有实施方式的排气网部的情况的作用效果的图。图9是表示翅片的配置的另一个例子的图。具体实施方式以下，参照附图而详细地说明本申请所公开的等离子体处理装置的实施方式。此外，所公开的等离子体处理装置并不被本实施方式限定。不过，在平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对玻璃基板等基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等等离子体处理的工序。在等离子体处理中使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。在等离子体处理装置中，为了有效地吸引等离子体中的离子，对载置基板的载置台施加高频偏压。在大型的基板的情况下，在等离子体处理装置中，对载置台施加高功率的高频偏压。不过，在对载置台施加了高功率的高频电力的情况下，在排气系统等中，存在产生不稳定的放电的情况。因此，期待着抑制不稳定的放电。[等离子体处理装置的结构]最初，对实施方式的等离子体处理装置10的结构进行说明。图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一个例子的垂直剖视图。本实施方式的等离子体处理装置10生成电感耦合等离子体，构成为对例如FPD用玻璃基板这样的矩形的基板进行蚀刻处理、灰化处理等电感耦合等离子体处理的电感耦合型的等离子体处理装置。等离子体处理装置10具有由导电性材料、例如内壁面进行了阳极氧化处理的铝形成的方筒形状的气密的主体容器1。主体容器1以能够分解的方式装配，由接地线1a接地。主体容器1被电介质壁2上下划分成天线室3和处理室4。电介质壁2构成了处理室4的顶壁。电介质壁2由Al2O3等陶瓷、石英等形成。在主体容器1中的天线室3的侧壁3a与处理室4的侧壁4a之间设置有向内侧突出的支承架5。在支承架5之上载置有电介质壁2。在电介质壁2的下侧部分嵌入有处理气体供给用的喷头壳体11。喷头壳体11设置成十字状，成为从下支承电介质壁2的构造、例如梁构造。此外，支承上述电介质壁2的喷头壳体11成为被多根吊杆(未图示)悬挂在主体容器1的顶部的状态。支承架5和喷头壳体11也可以由电介质构件包覆。喷头壳体11由导电性材料、期望的是金属、例如以不产生污染物的方式对内表面或外表面进行了阳极氧化处理的铝形成。在喷头壳体11形成有水平地延伸的气体流路12。在气体流路12连通有朝向下方延伸的多个气体喷出孔12a。另一方面，在电介质壁2的上表面中央以与气体流路12连通的方式设置有气体供给管20a。气体供给管20a从主体容器1的顶部向外侧贯通，并与包括处理气体供给源和阀系统等的处理气体供给系统20连接。因而，在等离子体处理中，从处理气体供给系统20供给来的处理气体经由气体供给管20a向喷头壳体11的气体流路12供给，从在喷头壳体11的下表面形成的气体喷出孔12a向处理室4内喷出。在天线室3内配设有高频(RF)天线13。高频天线13构成为将由铜、铝等良导电性的金属形成的天线用线13a配置成环状、涡旋状等以往所使用的任意的形状。高频天线13也可以是具有多个天线部的多重天线。在天线用线13a的端子22连接有向天线室3的上方延伸的供电构件16。在供电构件16的上端利用供电线19连接有高频电源15。另外，在供电线19设置有匹配器14。而且，高频天线13利用由绝缘构件构成的分隔件17与电介质壁2分开。在等离子体处理之际，从高频电源15向高频天线13供给例如频率是13.56MHz的高频电力。由此，在处理室4内形成有感应电场，从喷头壳体11供给来的处理气体被感应电场等离子体化而生成电感耦合等离子体。在处理室4内的底壁4b上以隔着电介质壁2与高频天线13相对的方式设置有载置台23，该载置台23具有用于载置矩形形状的基板G的载置面23c。载置台23隔着绝缘体构件24被固定。绝缘体构件24呈框状。载置台23具有：主体23a，其由导电性材料、例如表面进行了阳极氧化处理的铝形成；和绝缘体框23b，其以包围主体23a的外周的方式设置。载置到载置台23的基板G被静电卡盘(未图示)吸附保持。载置台23经由主体容器1的底壁4b、绝缘体构件24贯穿有基板G的送入送出用的升降销(未图示)。升降销被设置到主体容器1外的升降机构(未图示)升降驱动而进行基板G的送入送出。此外，载置台23也可以设为能够利用升降机构升降的构造。在载置台23的主体23a利用供电线25并经由匹配器26连接有偏压用的高频电源27。高频电源27在等离子体处理中对载置台施加高频偏压(偏压用高频电力)。高频偏压的频率是例如6MHz。在处理室4内生成的等离子体中的离子在偏压用的高频电力的作用下被有效地向基板G吸引。另外，在载置台23内设置有由陶瓷加热器等加热部件、制冷剂流路等形成的温度控制机构、以及温度传感器(均未图示)，以便控制基板G的温度。而且，在载置台23载置有基板G之际，在基板G的背面侧形成有冷却空间(未图示)。在冷却空间连接有用于以预定的压力供给作为热传递用气体的He气体的He气体流路28。如此，通过向基板G的背面侧供给热传递用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，/n该等离子体处理装置具有：/n处理室，其在内部设置有用于载置基板的载置台，对基板实施等离子体处理；/n高频电源，其对所述载置台施加偏压用的高频电力；以及/n多个板状构件，其由导电性材料形成，与接地电位连接，配置到所述处理室的内表面。/n

【技术特征摘要】
20181114 JP 2018-2139271.一种等离子体处理装置，其特征在于，
该等离子体处理装置具有：
处理室，其在内部设置有用于载置基板的载置台，对基板实施等离子体处理；
高频电源，其对所述载置台施加偏压用的高频电力；以及
多个板状构件，其由导电性材料形成，与接地电位连接，配置到所述处理室的内表面。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
该等离子体处理装置还具有：
排气口，其设置于所述载置台的周围的比所述载置台的载置基板的载置面低的位置，对所述处理室内进行排气；
和分隔构件，其由导电性材料形成，与接地电位连接，以覆盖所述排气口的方式配置，将所述处理室分隔成对所述基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气口相连的排气区域，
所述板状构件至少配置到所述排气区域内的相对于排气向所述排气口的流动比所述排气口靠上游侧的位置。


3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述分隔构件在所述载置台的周围以在相邻的所述分隔构件之间形成有中间口的方式分开地配置有多个，
所述板状构件至少配置到被所述分隔构件覆盖的部分。


4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述分隔构件在所述载置台的周围以在相邻的所述分隔构件之间形成有中间口的方式分开地配置有多个，
所述板状构件至少配置到从所述排气口到所述中间口的部分。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤亮，山科井作，笠原稔大，塚本浩贵，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP