基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置以及基板处理方法。谋求超临界干燥处理的効率化。本公开的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部。处理容器为进行干燥处理的容器。多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。

Substrate treatment device and substrate treatment method

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及基板处理方法
本公开涉及基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
以往，作为抑制图案塌陷而且去除残留于基板的表面水分的技术，公知有使用在高压下得到的超临界流体使基板干燥的超临界干燥技术。专利文献1：日本特开2011-009299号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种谋求超临界干燥处理的効率化的技术。用于解决问题的方案本公开的一形态的基板处理装置为使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部。处理容器为进行干燥处理的容器。多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。专利技术的效果根据本公开，能够谋求超临界干燥处理的効率化。附图说明图1是从上方观察第1实施方式的基板处理系统的示意性的剖视图。图2是表示在第1实施方式的基板处理系统中所执行的一系列的基板处理的步骤的流程图。图3是表示液处理单元的结构例的图。图4是表示第1实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图5是表示在处理容器的内部收纳多个晶圆的状态的一例的示意剖视图。图6是表示处理空间的处理流体的流通路径的一例的示意剖视图。图7是表示第2实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图8是表示第3实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图9是表示第4实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图10是表示第5实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图11是表示第6实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图12是表示第6实施方式的保持部的结构的示意俯视图。图13是表示第7实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。具体实施方式以下，参照附图详细地说明用于实施本公开的基板处理装置以及基板处理方法的形态(以下，记载为“实施方式”)。另外，本公开的基板处理装置以及基板处理方法并不被该实施方式限定。此外，各实施方式在使处理内容不矛盾的范围内能够适当组合。此外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，重复的说明被省略。(第1实施方式)〔1.基板处理系统的结构〕首先，参照图1对实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是从上方观察第1实施方式的基板处理系统的示意性的剖视图。另外，以下，为了使位置关系明确，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。如图1所示，基板处理系统1具备送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻地设置。(关于送入送出站2)送入送出站2具备承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11载置有以水平状态收纳多张半导体晶圆W(以下，记载为“晶圆W”)的多个承载件C。输送部12与承载件载置部11相邻地设置。在输送部12的内部配置有输送装置13和交接部14。输送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，输送装置13能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，使用晶圆保持机构而在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的输送。(关于处理站3)处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送模块4和多个(在此为两个)处理模块5_1、5_2。(关于输送模块4)输送模块4具备输送区域15和输送装置16。输送区域15是沿着例如送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)延伸的长方体状的区域。在输送区域15配置有输送装置16。输送装置16具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，输送装置16能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，使用晶圆保持机构而在交接部14与多个处理模块5之间进行晶圆W的输送。处理模块5_1、5_2在输送区域15的两侧与输送区域15相邻地配置。具体而言，处理模块5_1配置于输送区域15的与送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)正交的方向(Y轴方向)上的一侧(Y轴正方向侧)，处理模块5_2配置于输送区域15的与送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)正交的方向(Y轴方向)上的另一侧(Y轴负方向侧)。处理模块5_1具备干燥单元18_1、供给单元19_1、以及多个(在此为两个)液处理单元17a、17b。此外，处理模块5_2具备干燥单元18_2、供给单元19_2、以及多个(在此为两个)液处理单元17c、17d。另外，在以下，在未区别处理模块5_1、5_2的情况下，有时将其统称而记载为“处理模块5”。同样地，有时将液处理单元17a～17d统称而记载为“液处理单元17”，将干燥单元18_1、18_2统称而记载为“干燥单元18”，将供给单元19_1、19_2统称而记载为“供给单元19”。液处理单元17进行清洗处理，该清洗处理清洗作为晶圆W的图案形成面的上表面。另外，液处理单元17进行在清洗处理后的晶圆W的上表面形成液膜的液膜形成处理。随后论述液处理单元17的结构。干燥单元18对液膜形成处理后的晶圆W进行超临界干燥处理。具体而言，干燥单元18通过使液膜形成处理后的晶圆W与超临界状态的处理流体接触来使该晶圆W干燥。随后论述干燥单元18的结构。供给单元19向干燥单元18供给处理流体。具体而言，供给单元19具备：供给设备组，其包括流量计、流量调整器、背压阀、加热器等；以及壳体，其收纳供给设备组。在第1实施方式中，供给单元19将CO2作为处理流体向干燥单元18供给。在各处理模块5，多个液处理单元17、干燥单元18以及供给单元19沿着输送区域15(即、沿着X轴方向)排列。在液处理单元17、干燥单元18以及供给单元19中，液处理单元17配置于最靠近送入送出站2的位置，供给单元19配置于最远离送入送出站2的位置。干燥单元18_1具备：进行超临界干燥处理的处理区域181a；以及进行晶圆W在输送模块4与处理区域181a之间的交接的多个(在此为两个)交接区域182a、182b。在第1实施方式中，处理区域181a和多个交接区域182a、182b沿着输送区域15排列。具体而言，多个交接区域182a、182b配置于处理区域181a的X轴方向上的两侧、即、配置于处理区域181a的X轴负方向侧以及X轴正方向侧。同样地，干燥单元18_2具备：进行超临界干燥处理的处理区域181b；以及进行晶圆W在输送模块4与处理区域181b之间的交接的多个(在此为两个)交接区域182c、182d。在第1实施方式中，处理区域181b和多个交接区域182c、182d沿着输送区域15排列。具体而言，多个交接区域182c、182d配置于处理区域181b的X轴方向上的两侧、即、配置于处理区域181b的X轴负方向侧以及X轴正方向侧。另外，在以下，在未区别干燥单元18_1、18_2的情况下，有时将其统称而记载为“干燥单元18”。同样地，有时将处理区域181a、181b统称而记载为“处理区域181”，将交接区域182a～182d统称而记载为“交接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理，其中，该基板处理装置具备：/n处理容器，其进行所述干燥处理；以及/n多个保持部，其在所述处理容器的内部分别保持不同的所述基板。/n

【技术特征摘要】
20181122 JP 2018-2189001.一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理，其中，该基板处理装置具备：
处理容器，其进行所述干燥处理；以及
多个保持部，其在所述处理容器的内部分别保持不同的所述基板。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述多个保持部在所述处理容器的内部在铅垂方向上隔开间隔地排列。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备：
第1盖体，其能够对在所述处理容器的第1侧面设置的第1开口进行开闭；以及
第2盖体，其能够对在所述处理容器的第2侧面设置的第2开口进行开闭，
所述多个保持部中的一部分的所述保持部设于所述第1盖体，
所述多个保持部中的另一部分的所述保持部设于所述第2盖体。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
在所述处理容器的内部，所述多个保持部的所述一部分的所述保持部和所述多个保持部的所述另一部分的所述保持部交错地排列。


5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述第2侧面配置在所述处理容器所具有的多个侧面中的与所述第1侧面相对的位置。


6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述第2侧面配置在所述处理容器所具有的多个侧面中的与所述第1侧面相对的位置。


7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备盖体，该盖体能够对在所述处理容器的侧面设置的开口进行开闭，
所述多个保持部设于所述盖体。


8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备盖体，该盖体能够对在上部开放的所述处理容器进行开闭，
所述多个保持部设于所述盖体。


9.根据权利要求2～8中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备：
供给部，在所述处理容器的内部，该供给部配置于比在所述多个保持部中的最上层的所述保持部所保持的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻富弘朗，枇杷聪，冈村聪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP