蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种蚀刻方法。在一实施方式的蚀刻方法中，对具有磁性隧道结层的多层膜进行蚀刻。在该蚀刻方法中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置的腔室主体提供内部空间。在该蚀刻方法中，在内部空间中容纳被加工物。接着，利用内部空间中所生成的第1气体的等离子体对多层膜进行蚀刻。第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢。接着，利用内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对多层膜进行蚀刻。第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。

Etching method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法
本专利技术的实施方式涉及一种在磁阻效应元件的制造中执行的被加工物的多层膜的蚀刻方法。
技术介绍
包含磁性隧道结(MTJ：MagneticTunnelJunction)层的磁阻效应元件例如被使用于MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory，磁阻式随机存取存储器)等器件中。在磁阻效应元件的制造中，进行多层膜的蚀刻。在磁阻效应元件的制造中执行的蚀刻中，在等离子体处理装置的腔室主体的内部空间中生成烃气体及非活性气体的等离子体，来自该等离子体的离子及自由基照射到多层膜。其结果，多层膜被蚀刻。关于这种蚀刻，记载于专利文献1中。在专利文献1中所记载的蚀刻中，使用氮气及稀有气体作为非活性气体。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-14881号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题当生成烃气体的等离子体并对多层膜进行蚀刻时，在包含该多层膜的被加工物上形成沉积物。该沉积物的量应减少。作为能够使沉积物的量减少的蚀刻方法，可以想到交替地执行如下工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其是磁阻效应元件的制造中执行的被加工物的多层膜的蚀刻方法，/n所述多层膜具有磁性隧道结层，该磁性隧道结层包含第1磁性层及第2磁性层、以及设置在该第1磁性层与该第2磁性层之间的隧道势垒层，/n在该蚀刻方法中，使用具备腔室主体的等离子体处理装置，该腔室主体提供内部空间，/n该蚀刻方法包括如下工序：/n将所述被加工物容纳于所述内部空间中；/n利用所述内部空间中所生成的第1气体的等离子体对所述多层膜进行蚀刻，所述第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢；以及/n利用所述内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对所述多层膜进行蚀刻，所述第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171027 JP 2017-2079911.一种蚀刻方法，其是磁阻效应元件的制造中执行的被加工物的多层膜的蚀刻方法，
所述多层膜具有磁性隧道结层，该磁性隧道结层包含第1磁性层及第2磁性层、以及设置在该第1磁性层与该第2磁性层之间的隧道势垒层，
在该蚀刻方法中，使用具备腔室主体的等离子体处理装置，该腔室主体提供内部空间，
该蚀刻方法包括如下工序：
将所述被加工物容纳于所述内部空间中；
利用所述内部空间中所生成的第1气体的等离子体对所述多层膜进行蚀刻，所述第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢；以及
利用所述内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对所述多层膜进行蚀刻，所述第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。


2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
所述第1气体还包含氧。


3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，
所述第1气体包含一氧化碳气体或二氧化碳气体。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，
利用第1气体的等离子体对所述多层膜进行蚀刻的所述工...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保卓也，康松润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP