基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。基片处理装置将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到基片来进行基片处理，基片处理装置包括：在内部能够载置基片的处理容器；原料气体供给源，其用于收纳原料，向处理容器供给原料气体；缓冲罐，其暂时储存从原料气体供给源收入的原料气体；和能够配置供断阀的阀配置部，其中供断阀向处理容器供给和断开储存于缓冲罐中的原料气体，在处理容器的上方，从下方侧起按如下顺序设置有阀配置部、缓冲罐和原料气体供给源。对载置于处理容器内的基片供给原料气体来进行处理的基片处理装置中，能够供给减小装置的占地空间，将原料气体稳定地供给到处理容器。

Substrate processing device, substrate processing system and substrate processing method

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
本专利技术涉及一种基片处理技术。
技术介绍
已知一种基片处理装置，其在半导体器件的制造工序中，例如在处理容器内载置基片，从原料气体供给源将含有形成膜的原料的气体供给到基片以在基片上进行处理。例如，在专利文献1中记载了如下技术：减压气氛中对载置于腔室(处理容器)内的基片供给原料气体来进行处理的减压处理装置中，优选在腔室盖(处理容器盖部)的上方，配置用于收纳要供给到腔室的原料的原料容器(原料气体供给源)。还记载了由此能够缩短原料容器与腔室距离，并且能够不增加专有面积而增大配管直径。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2004－265917号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术是基于这样的情况而在下面完成的，其提供一种技术，即在对载置于处理容器内的基片供给原料气体来进行处理的基片处理装置中，减小装置的占地空间，将原料气体稳定地供给到处理容器。用于解决技术问题的技术方案关于本专利技术的真空处理装置，是一种基片处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于：/n将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到所述基片来进行基片处理，/n所述基片处理装置包括：/n在内部能够载置基片的处理容器；/n原料气体供给源，其用于收纳所述原料，向所述处理容器供给原料气体；/n缓冲罐，其暂时储存从所述原料气体供给源收入的原料气体；和/n能够配置供断阀的阀配置部，其中所述供断阀向处理容器供给和断开储存于所述缓冲罐中的原料气体，/n在所述处理容器的上方，从下方侧起按如下顺序设置有所述阀配置部、缓冲罐和原料气体供给源。/n

【技术特征摘要】
20181121 JP 2018-2185091.一种基片处理装置，其特征在于：
将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到所述基片来进行基片处理，
所述基片处理装置包括：
在内部能够载置基片的处理容器；
原料气体供给源，其用于收纳所述原料，向所述处理容器供给原料气体；
缓冲罐，其暂时储存从所述原料气体供给源收入的原料气体；和
能够配置供断阀的阀配置部，其中所述供断阀向处理容器供给和断开储存于所述缓冲罐中的原料气体，
在所述处理容器的上方，从下方侧起按如下顺序设置有所述阀配置部、缓冲罐和原料气体供给源。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述原料气体供给源收纳固体原料或者液体原料，将所述固体原料或者液体原料气化而得到的原料气体供给到所述处理容器。


3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述原料气体供给源收纳气体状态的原料气体，该原料气体被所述原料气体供给源加热后，被供给到所述处理容器。


4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理容器被导入原料气体的高度位置与所述原料供给源所收纳的所述固体原料或者液体原料的表面的高度位置之高度差，在600mm～1200mm范围内。


5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片处理是在真空气氛下对基片交替反复地供给所述原料气体、以及与原料气体反应而生成反应生成物的反应气体，来形成反应生成物的膜的处理，
所述基片处理装置包括：
反应气体供给源，其设置在所述处理容器的上方，用于向该处理容器供给所述反应气体；和
置换气体供给源，其设置于所述处理容器的上方，用于向该处理容器供给能够置换所述反应气体或者原料气体的置换气体，
在所述阀配置部配置有供给和断开从所述反应气体供给源供给的反应气体的供断阀和供给和断开从所述置换气体供给源供给的置换气体的供断阀。


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【专利技术属性】
技术研发人员：小森荣一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP