基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。基片处理装置将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到基片来进行基片处理，基片处理装置包括：在内部能够载置基片的处理容器；原料气体供给源，其用于收纳原料，向处理容器供给原料气体；缓冲罐，其暂时储存从原料气体供给源收入的原料气体；和能够配置供断阀的阀配置部，其中供断阀向处理容器供给和断开储存于缓冲罐中的原料气体，在处理容器的上方，从下方侧起按如下顺序设置有阀配置部、缓冲罐和原料气体供给源。对载置于处理容器内的基片供给原料气体来进行处理的基片处理装置中，能够供给减小装置的占地空间，将原料气体稳定地供给到处理容器。

Substrate processing device, substrate processing system and substrate processing method

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
本专利技术涉及一种基片处理技术。
技术介绍
已知一种基片处理装置，其在半导体器件的制造工序中，例如在处理容器内载置基片，从原料气体供给源将含有形成膜的原料的气体供给到基片以在基片上进行处理。例如，在专利文献1中记载了如下技术：减压气氛中对载置于腔室(处理容器)内的基片供给原料气体来进行处理的减压处理装置中，优选在腔室盖(处理容器盖部)的上方，配置用于收纳要供给到腔室的原料的原料容器(原料气体供给源)。还记载了由此能够缩短原料容器与腔室距离，并且能够不增加专有面积而增大配管直径。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2004－265917号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术是基于这样的情况而在下面完成的，其提供一种技术，即在对载置于处理容器内的基片供给原料气体来进行处理的基片处理装置中，减小装置的占地空间，将原料气体稳定地供给到处理容器。用于解决技术问题的技术方案关于本专利技术的真空处理装置，是一种基片处理装置，其将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到上述基片来进行基片处理，上述基片处理装置包括：在内部能够载置基片的处理容器；原料气体供给源，其用于收纳上述原料，向上述处理容器供给原料气体；缓冲罐，其暂时储存从上述原料气体供给源收入的原料气体；和能够配置供断阀的阀配置部，其中上述供断阀向处理容器供给和断开储存于上述缓冲罐中的原料气体，在上述处理容器的上方，从下方侧起按如下顺序设置有上述阀配置部、缓冲罐和原料气体供给源。专利技术效果依照本专利技术，在对载置于处理容器内的基片供给原料气体来进行处理的基片处理装置中，能够减小装置的占地空间，将原料气体稳定地供给到处理容器。附图说明图1是表示一实施方式的真空处理系统的立体图。图2是表示上述真空处理系统的俯视示意图。图3是表示处理装置的气体供给系统的系统图。图4是上述处理装置的立体图。图5是上述处理装置的侧视图。图6是表示上述处理装置的维护的实施形态的说明示意图。图7是表示处理装置的另一例的结构图。附图标记说明1处理装置4原料箱5缓冲罐部6阀装置10处理容器40原料气体供给源V1～V6供断阀W晶片。具体实施方式对于适用于本实施方式的基片处理装置的真空处理系统进行说明。如图1、图2所示，在该真空处理系统中，为了载置作为基片的半导体晶片(以下称为“晶片”)W的输送容器即承载器C，设置了3个具有载置台99的送入送出端口91，该送入送出端口91与常压输送室92连接。下面，将送入送出端口91侧作为前方，将常压输送室92侧作为后方进行说明。此外，图2中的符号91A是与承载器C的盖部一起开放的门。关于常压输送室92，具有在左右方向伸展的矩形的常压输送室92，其内部成为形成有洁净空气的下降流的常压气氛(在空气的情况下也可称之为大气气氛)。另外，如图2所示，在常压输送室92内，设置有对送入送出端口91上的承载器C在常压气氛下进行晶片W的交接的常压输送机构94。常压输送机构94构成为可旋转的关节臂。常压输送机构94构成为沿在常压输送室92底部设置于常压输送室92的长度方向的导轨(未图示)可进退。在常压输送室92的后方侧，经由闸阀93A左右并排地设置有两个负载锁定室93。各负载锁定室93各自具有晶片W的载置部(未图示)，并且构成为内部气氛能够切换为常压气氛和真空气氛。负载锁定室93的后方侧经由闸阀93B与内部为真空气氛的真空输送室90连接。本例的真空输送室90构成为在前后方向伸展的大致矩形，从前方侧观察，在真空输送室的右侧在前后方向并排地设置有4个的处理装置1，在真空输送室的左侧在前后方向并排地设置有3个的处理装置1。处理装置1相应于本实施方式的基片处理装置。另外，如图2所示，在真空输送室90内设置有真空输送机构95，该真空输送机构95在各处理装置1与负载锁定室93之间在真空气氛下进行晶片W的交接。真空输送机构95由关节臂构成，该关节臂沿设置于真空输送室90底部的导轨(未图示)在前后方向可移动地设置。下面，对作为基片处理装置的处理装置1进行说明。本例的处理装置1具有处理容器10，构成为成膜装置，其将作为原料气体的三甲基铝(TMA)气体、以及氨气(NH3)和硅烷(SiH4)气体的混合气体交替反复地供给到载置于处理容器10内的晶片W来形成AIN膜。图3是表示处理装置1中的气体供给系统的系统图。如图2所示，处理容器10具有晶片W载置台11。在载置台11埋设有用于加热晶片W的加热部(未图示)。此外，在处理容器10的顶面设置有喷淋头14，构成为能够从载置于载置台的晶片W的向对面将各气体供给到晶片W。此外，喷淋头14构成为能够施加高频电流的上部电极，与埋设于载置台11内的下部电极之间能够形成高频电场。由此，能够将被供给到处理容器10内的NH3气体、后述的N2气体等被供给到处理容器10的气体等离子化。另外，处理容器10与排气管12的一端连接，排气管12的另一端与真空排气部13连接。图3中的V12是用于开闭排气管12的开闭阀。处理装置1具有用于收纳作为原料的TMA并向处理容器10供给原料气体即TMA供给源40。TMA在常温常压下(25℃，1大气压)为液体，构成为能够将例如储存于外部的主原料储存部42的TMA经由TMA供给通路420供给到TMA供给源40。TMA供给源40的周围被由罩式加热器等构成的加热部41所覆盖，构成为能够将储存与TMA供给源40的TMA加热至TMA气化的温度，例如60℃。TMA供给源40的顶部与用于送出已气化的TMA的原料气体供给通路400的一端连接。设置于原料气体供给通路400的附图标记400C是流量调节部(MFC)。原料气体供给通路400的另一端经由暂时储存从TMA气体供给源40收入的TMA气体的缓冲罐5A，与后述的阀装置6内的供断阀V1连接。TMA供给源40、MFC400C、加热部41均收纳于后述的原料箱内。此外，原料气体供给通路400被未图示的带式加热器所附带，将TMA气体加热至不液化的温度。另外，处理装置1具有用于对处理容器10供给作为反应气体的NH3和SiH4的NH3气体供给源31和SiH4气体供给源32。反应气体供给通路300的一端与NH3气体供给源31连接，另一端经由MFC300和缓冲罐5B与后述的阀装置6内的供断阀V4连接。此外，SiH4气体供给源32与SiH4气体供给通路301的一端连接，SiH4气体供给通路301的另一端经由MFC301C与反应气体供给通路300合流。NH3气体供给源31与SiH4气体供给源32配置于后述的处理气体箱3中。另外，处理装置1具有对处理容器10供给用于置换处理容器10内的气氛的置换气体供给源21、22和供给对应气体(counterga本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于：/n将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到所述基片来进行基片处理，/n所述基片处理装置包括：/n在内部能够载置基片的处理容器；/n原料气体供给源，其用于收纳所述原料，向所述处理容器供给原料气体；/n缓冲罐，其暂时储存从所述原料气体供给源收入的原料气体；和/n能够配置供断阀的阀配置部，其中所述供断阀向处理容器供给和断开储存于所述缓冲罐中的原料气体，/n在所述处理容器的上方，从下方侧起按如下顺序设置有所述阀配置部、缓冲罐和原料气体供给源。/n

【技术特征摘要】
20181121 JP 2018-2185091.一种基片处理装置，其特征在于：
将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到所述基片来进行基片处理，
所述基片处理装置包括：
在内部能够载置基片的处理容器；
原料气体供给源，其用于收纳所述原料，向所述处理容器供给原料气体；
缓冲罐，其暂时储存从所述原料气体供给源收入的原料气体；和
能够配置供断阀的阀配置部，其中所述供断阀向处理容器供给和断开储存于所述缓冲罐中的原料气体，
在所述处理容器的上方，从下方侧起按如下顺序设置有所述阀配置部、缓冲罐和原料气体供给源。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述原料气体供给源收纳固体原料或者液体原料，将所述固体原料或者液体原料气化而得到的原料气体供给到所述处理容器。


3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述原料气体供给源收纳气体状态的原料气体，该原料气体被所述原料气体供给源加热后，被供给到所述处理容器。


4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理容器被导入原料气体的高度位置与所述原料供给源所收纳的所述固体原料或者液体原料的表面的高度位置之高度差，在600mm～1200mm范围内。


5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片处理是在真空气氛下对基片交替反复地供给所述原料气体、以及与原料气体反应而生成反应生成物的反应气体，来形成反应生成物的膜的处理，
所述基片处理装置包括：
反应气体供给源，其设置在所述处理容器的上方，用于向该处理容器供给所述反应气体；和
置换气体供给源，其设置于所述处理容器的上方，用于向该处理容器供给能够置换所述反应气体或者原料气体的置换气体，
在所述阀配置部配置有供给和断开从所述反应气体供给源供给的反应气体的供断阀和供给和断开从所述置换气体供给源供给的置换气体的供断阀。


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【专利技术属性】
技术研发人员：小森荣一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP