【技术实现步骤摘要】
基板保持机构和成膜装置
本公开涉及基板保持机构和成膜装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，对于作为被处理基板的半导体晶圆，大多使用干法蚀刻、溅射、等离子CVD等等离子处理。在这样的等离子处理中，为了保持被处理基板，大多使用应用了静电吸附的静电卡盘(例如专利文献1～5)。另一方面，在利用等离子CVD、等离子ALD那样的各向同性的成膜方法成膜导电性的膜的情况下，由于原料气体迂回到被处理基板的保持面而使导电性沉积膜堆积，因而可能无法发挥静电卡盘功能。因此，在利用等离子CVD、等离子ALD成膜导电性膜的情况下，在不使用静电卡盘而将基板载置于基板载置台的状态下进行等离子处理。专利文献1：日本特开平5－67673号公报专利文献2：日本特开平7－130830号公报专利文献3：日本特开平9－260472号公报专利文献4：日本特开2003－297912号公报专利文献5：日本特开2009－21592号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能够在...
【技术保护点】
1.一种基板保持机构，该基板保持机构在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时保持被处理基板，其中，/n该基板保持机构包括：/n载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；/n吸附电极，其设于所述载物台内，用于静电吸附所述被处理基板；以及/n加热器，其加热所述载物台，/n通过对所述吸附电极施加直流电压，从而利用约翰逊·拉别克力将所述被处理基板静电吸附于所述载物台的表面，/n所述载物台具有：/n密合区域，其呈环状，位于所述载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与所述被处理基板密合，而具有阻止用于成膜所述导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及/n...
【技术特征摘要】
20181127 JP 2018-2213111.一种基板保持机构，该基板保持机构在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时保持被处理基板，其中，
该基板保持机构包括：
载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；
吸附电极，其设于所述载物台内，用于静电吸附所述被处理基板；以及
加热器，其加热所述载物台，
通过对所述吸附电极施加直流电压，从而利用约翰逊·拉别克力将所述被处理基板静电吸附于所述载物台的表面，
所述载物台具有：
密合区域，其呈环状，位于所述载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与所述被处理基板密合，而具有阻止用于成膜所述导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及
槽部，其呈环状设于所述载物台的表面的比所述密合区域靠外侧的部分，能够累积由所述原料气体生成的导电性沉积膜。
2.根据权利要求1所述的基板保持机构，其中，
所述密合区域的宽度为10mm～40mm。
3.根据权利要求1或2所述的基板保持机构，其中，
所述槽部的相对于所述密合区域的深度为20μm～100μm，所述槽部的宽度为0.5mm～2mm的范围。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板保持机构，其中，
由所述加热器加热的所述载物台的表面的温度为200℃以上。
5.根据权利要求4所述的基板保持机构，其中，
由所述加热器加热的所述载物台的表面的温度为400℃～700℃。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板保持机构，其中，
所述载物台的所述密合区域的内侧的部分为形成为凹部的吸附面，
该基板保持机构还包括向所述被处理基板与所述吸附面之间的空间供给导热用的背面气体的背面气体供给机构。
7.根据权利要求6所述的基板保持机构，其中，
所述背面气体供给机构将背面气体的气压设定为20Torr～100Torr。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板保持机构，其中，
所述吸附电极作为对于等离子的接地电极发挥功能。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板保持机构，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤里敏章，望月隆，鸟屋大辅，铃木公贵，鲁和俊，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。