具有空间分离的单个晶片处理环境制造技术

描述了用来处理一或多个晶片的装置及方法。围绕旋转轴用圆形配置布置了多个处理站。具有限定旋转轴的可旋转中心基部、从所述中心基部延伸的至少两个支撑臂、及所述支撑臂中的每个上的加热器的支撑组件被定位为与所述处理站相邻，使得可在各种处理站之间移动所述加热器以执行一或多种处理条件。

Single chip processing environment with spatial separation

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有空间分离的单个晶片处理环境
本公开内容大致与用于沉积薄膜的装置相关。详细而言，本公开内容与具有多个可动加热晶片支撑件及空间分离的处理站的装置相关。
技术介绍
目前的原子层沉积(ALD)工艺具有许多潜在的问题及困难。许多ALD化学物质(例如前驱物及反应物)是“不兼容的”，这意味着所述化学物质不能被混合在一起。若不兼容的化学物质混合，则化学气相沉积(CVD)工艺可能发生而不是ALD工艺。CVD工艺一般具有较ALD工艺为低的厚度控制，及/或可能造成气相粒子的产生，气相粒子的产生可能造成生成设备中的缺陷。对于一次将单种反应气体流到处理腔室中的传统时域ALD工艺而言，存在着长的净化/泵出时间，使得化学物质不在气相下混合。空间性ALD腔室可较时域ALD腔室所能够泵送/净化的速度为快速地从一个环境向第二环境移动一或多个晶片，而造成较高的产量。半导体工业需要可在较低的温度下(例如低于350℃)沉积的高质量的膜。为了在低于会用唯热工艺来沉积膜的温度的温度下沉积高质量的膜，需要替代的能量源。可使用等离子体解决方案来向ALD膜提供离子及自由基形式的额外能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种支撑组件，包括：/n可旋转中心基部，限定旋转轴；/n至少两个支撑臂，从所述中心基部延伸，所述支撑臂中的每个具有与所述中心基部接触的内端、及外端；及/n加热器，定位在所述支撑臂中的每个的所述外端上，所述加热器具有支撑面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171027 US 62/578,3651.一种支撑组件，包括：
可旋转中心基部，限定旋转轴；
至少两个支撑臂，从所述中心基部延伸，所述支撑臂中的每个具有与所述中心基部接触的内端、及外端；及
加热器，定位在所述支撑臂中的每个的所述外端上，所述加热器具有支撑面。


2.如权利要求1所述的支撑组件，其中所述支撑臂与所述旋转轴正交地延伸。


3.如权利要求1所述的支撑组件，其中存在着三个支撑臂及三个加热器。


4.如权利要求1所述的支撑组件，其中存在着四个支撑臂及四个加热器。


5.如权利要求1所述的支撑组件，其中所述加热器支撑面是实质共面的。


6.如权利要求1所述的支撑组件，其中所述加热器的中心定位在距所述旋转轴的距离处，使得在旋转所述中心基部之后，所述加热器就在圆形路径中移动。


7.如权利要求1所述的支撑组件，所述支撑组件更包括：至少一个马达，连接到所述中心基部，所述至少一个马达被配置为围绕所述旋转轴旋转所述支撑组件。


8.如权利要求1所述的支撑组件，所述支撑组件更包括：至少一个密封平台，围绕所述加热器而定位，所述密封平台具有顶面，所述顶面形成与由所述加热器的所述支撑面所形成的主要平面实质平行的主要平面。


9.如权利要求8所述的支撑组件，其中每个加热器具有密封平台，所述密封平台围绕所述加热器而定位，所述密封平台形成环形顶面。
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【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·赖斯，约瑟夫·奥布赫恩，桑吉夫·巴鲁贾，曼德亚姆·斯里拉姆，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US