【技术实现步骤摘要】
基片处理装置的颗粒除去方法和基片处理装置
本专利技术涉及基片处理装置的颗粒除去方法和基片处理装置。
技术介绍
一直以来，已知有如下技术：在利用液体对半导体晶片等基片的正面进行了处理后的干燥工序中，使正面被液体润湿了的状态的基片与超临界状态的处理流体接触，来使基片干燥。专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：收纳基片的腔室；上部供给口，其与腔室的上部连接并用于对基片的正面供给超临界流体；和下部供给口，其与腔室的下部连接并用于对基片的背面供给超临界流体。另外，专利文献1中记载了如下技术：为了防止从上部供给口供给的处理流体液化而落下到基片，首先从下部供给口对腔室供给处理流体来使腔室的内部压力达到临界压力。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-251550号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种技术，其在使用超临界状态的处理流体使基片干燥的基片处理装置中，抑制因附着于处理流体的供给管线的颗粒喷出到处理空间而污染产品基片的情况。<...
【技术保护点】
1.一种基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：/n该基片处理装置能够进行使正面被液体润湿的状态的基片与超临界状态的处理流体接触来使所述基片干燥的干燥处理，/n所述基片处理装置包括：/n具有能够收纳所述基片的处理空间的处理容器；/n第一供给管线，其包括第一开闭阀，对所述处理空间供给所述处理流体；/n第二供给管线，其包括第二开闭阀，对所述处理空间供给所述处理流体；和/n排出管线，其包括第三开闭阀，从所述处理空间排出所述处理流体，/n所述基片处理装置的颗粒除去方法包括：/n升压工序，其在所述第二开闭阀和所述第三开闭阀关闭的状态下从所述第一供给管线对所述处理空间供给清洁化后的流体...
【技术特征摘要】
20180807 JP 2018-1486251.一种基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：
该基片处理装置能够进行使正面被液体润湿的状态的基片与超临界状态的处理流体接触来使所述基片干燥的干燥处理，
所述基片处理装置包括：
具有能够收纳所述基片的处理空间的处理容器；
第一供给管线，其包括第一开闭阀，对所述处理空间供给所述处理流体；
第二供给管线，其包括第二开闭阀，对所述处理空间供给所述处理流体；和
排出管线，其包括第三开闭阀，从所述处理空间排出所述处理流体，
所述基片处理装置的颗粒除去方法包括：
升压工序，其在所述第二开闭阀和所述第三开闭阀关闭的状态下从所述第一供给管线对所述处理空间供给清洁化后的流体，从而使所述处理空间的压力上升；
流通工序，其在所述升压工序后，通过打开所述第二开闭阀和所述第三开闭阀，将所述处理流体从所述第二供给管线供给到所述处理空间并将其从所述排出管线排出；和
颗粒除去工序，其在所述升压工序中，通过打开后关闭所述第二开闭阀，使得在所述第二供给管线内产生抵抗所述处理空间的压力的所述清洁化后的流体的流动。
2.如权利要求1所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：
所述清洁化后的流体是非活性气体。
3.如权利要求1所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：
所述清洁化后的流体是超临界状态的流体。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：
所述颗粒除去工序在所述升压工序中反复进行打开后关闭所述第二开闭阀的动作。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：
所述第二供给管线在下游侧分支为第一分支供给管线和第二分支供给管线，
所述第二开闭阀包括：
设置于所述第一分支供给管线的第四开闭阀；和
设置于所述第二分支供给管线的第五开闭阀，
所述颗粒除去工序在所述升压工序中，在所述第四开闭阀和所述第五开闭阀中的一个开闭阀关闭的状态下打开后关闭另一个开闭阀，之后，在所述另一个开闭阀关闭的状态下打开后关闭所述一个开闭阀。
6.如权利要求5所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：
所述颗粒除去工序反复进行如下动作：在所述升压工序中，在所述第四开闭阀和所述第五开闭阀中的一个开闭阀关闭的状态下打开后关闭另一个开闭阀，之后，在所述另一个开闭阀关闭的状态下打开后关闭所述一个开闭阀。
7.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：
包括送入工序...
【专利技术属性】
技术研发人员：福井祥吾，五师源太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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