【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的竖炉和用于其中的衬管
本公开大体上涉及用于处理半导体基板的设备，并且更特别地涉及竖炉和用于其中的衬管。
技术介绍
竖式处理炉或反应器通常用于在集成电路的几个制造阶段期间批处理半导体晶片。可以使用炉的处理步骤包括氧化、扩散、退火、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。竖式处理炉可以包括由电源供电的热电阻加热线圈。在加热线圈内可以设置可以是钟罩形的外反应管和可以大致同轴布置于外反应管内的内反应管。内反应管可以通常被称为衬管。外反应管的下端可以是敞开的，而其顶端通常可以通过穹顶形结构闭合。衬管可以在其顶端和下端两者处设置有衬管开口。替代地，衬管的顶端可以闭合，而在底部处存在衬管开口。外反应管和衬管两者的下端可以支撑在凸缘上，所述凸缘可以限定中心开口，保持多个基板的基板船可以经由所述中心开口进入和离开由衬管的内部空间形成的反应室。基板船可以支撑在绝热基座上，所述隔热基座又可以支撑在门板上，所述门板可以用于闭合凸缘中的中心开口。凸缘还可以设置有连接到布置于衬管内部的气体喷射器的进气导管，以及排气导...
【技术保护点】
1.一种用于处理多个基板的竖炉，其包括：/n外反应管；以及/n衬管，所述衬管构造和布置成在所述外反应管的内部中延伸并且为大致圆柱形并且由顶端和在下端处的下部衬管开口界定并且限定内部空间以用于容纳具有基板的基板船；/n气体通道，所述气体通道限定在所述衬管的外壁和所述反应管的内壁之间；/n所述衬管设置有在一侧上并且从所述内部空间延伸到所述气体通道的至少一个排气孔；其中所述衬管的外壁和所述反应管的内壁中的至少一个设置有至少一个流动偏转器，所述至少一个流动偏转器从相应的壁径向突出到所述气体通道中。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20180809 US 16/100,0121.一种用于处理多个基板的竖炉，其包括：
外反应管；以及
衬管，所述衬管构造和布置成在所述外反应管的内部中延伸并且为大致圆柱形并且由顶端和在下端处的下部衬管开口界定并且限定内部空间以用于容纳具有基板的基板船；
气体通道，所述气体通道限定在所述衬管的外壁和所述反应管的内壁之间；
所述衬管设置有在一侧上并且从所述内部空间延伸到所述气体通道的至少一个排气孔；其中所述衬管的外壁和所述反应管的内壁中的至少一个设置有至少一个流动偏转器，所述至少一个流动偏转器从相应的壁径向突出到所述气体通道中。
2.根据权利要求1所述的竖炉，其中所述流动偏转器至少部分地环绕所述衬管，使得在中心轴线的方向上通过所述气体通道的气流由所述流动偏转器阻挡至少一次。
3.根据权利要求1所述的竖炉，其中所述流动偏转器从相应的壁径向突出所述气体通道的局部宽度的至少75％的距离。
4.根据权利要求1所述的竖炉，其中所述流动偏转器在相应的壁上大致切向地延伸。
5.根据权利要求1所述的竖炉，其中所述流动偏转器包括孔流动偏转器，所述孔流动偏转器布置在距所述衬管中的所述排气孔的10mm内。
6.根据权利要求5所述的竖炉，其中所述孔流动偏转器相对于所述衬管中的所述排气孔朝向下侧布置。
7.根据权利要求5所述的竖炉，其中所述孔流动偏转器设置有在顶部的方向上平行于所述反应管的中心轴线定向的直立脊。
8.根据权利要求1所述的竖炉，其中所述排气孔为狭缝形状，并且所述狭缝的短侧在平行于所述反应管的中心轴线的方向上定向。
9.根据权利要求1所述的竖炉，其中竖直阵列中的多个排气孔设置在所述衬管中。
10.根据权利要求1所述的竖炉，其中所述竖炉在所述衬管的内部空间中设置有平行于中心轴线延伸的喷射器以在所述内部空间中提供工艺气体。
11.根据权利要求10所述的竖炉，其中所述衬管设置有在所述气体通道中平行于所述中心轴线延伸的凸起以容纳所述内部空间中的所述喷射器。
12.根据权利要求10所述的竖炉，其中所述喷射器相对于所述中心轴线与所述开口相对设置。
13.根据权利要求1所述的竖炉，其中多个流动偏转器在所述气体通道中产生曲折的流动路径并且所述流动偏转器包括挡板。
14.根据权利要求1所述的竖炉，其中所述衬管在所述衬管的顶端处设置有敞开锥形顶端。
技术研发人员：F·威格，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。