阀装置、处理装置、以及控制方法制造方法及图纸

技术编号:23429779 阅读:52 留言:0更新日期:2020-02-25 12:21
本发明专利技术提高一种阀装置、处理装置、以及控制方法,缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间。阀装置具备多个阀、壳体、热扩散部、加热部、供给部、以及控制部。多个阀控制向处理容器供给的多个处理气体的流通。壳体形成供处理气体流通的多个第1流路。热扩散部覆盖壳体,使壳体的热扩散。加热部覆盖由热扩散部覆盖着的壳体,隔着热扩散部对壳体进行加热。供给部向在壳体与热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂。控制部在对处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制加热部,以便将壳体加热成第1温度。另外,控制部在开始处理容器的清洁之前停止加热部对壳体的加热,控制供给部,以便向第2流路供给制冷剂。

Valve device, treatment device and control method

【技术实现步骤摘要】
阀装置、处理装置、以及控制方法
本公开的各种方面和实施方式涉及一种阀装置、处理装置、以及控制方法。
技术介绍
作为对半导体晶圆(以下,记载为晶圆)进行成膜的方法,公知有CVD(化学气相沉积,ChemicalVaporDeposition)法、ALD(原子层沉积,AtomicLayerDeposition)法等。在CVD法、ALD法中,使用作为要层叠的膜的原料的气体,在原料中具有在常温下处于固体、液体的状态的原料。这样的原料通过加热而气化后向晶圆供给。在该情况下,在气化后的原料的供给路径所包含的配管、阀等中,也为了维持气体的状态而被加热成预定温度。另外,若在处理容器内对晶圆进行处理,则反应副生成物(所谓的沉积物)被生成,有时附着于处理容器的内壁等。若附着到处理容器的内壁等的沉积物的量变多,则沉积物从处理容器的内壁等剥离而成为颗粒向处理容器内分散。若飞散到处理容器内的颗粒附着于晶圆,则存在成为晶圆的不良的原因的情况。因此,定期地进行用于去除处理容器内的沉积物的清洁。在清洁中,大多使用含氟气体作为清洁气体。另外,在晶圆的处理中大多使用多个气体,针对各气体设置控制供给量的阀等装置。多个阀大多以小型化等为目的而构成为作为1个单元的阀装置。在为了维持原料的气化而气体的供给路径被加热的情况下,阀装置整体被加热器等加热。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2016-23324号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能够缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间的技术。用于解决问题的方案本公开的一方面是阀装置,其具备多个阀、壳体、热扩散部、加热部、供给部、以及控制部。多个阀控制向处理容器供给的多个处理气体的流通。壳体形成供处理气体流通的多个第1流路。热扩散部覆盖壳体,使壳体的热扩散。加热部覆盖由热扩散部覆盖着的壳体,隔着热扩散部对壳体进行加热。供给部向在壳体与热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂。控制部在对处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制加热部,以便将壳体加热成第1温度。另外,控制部在开始处理容器的清洁之前停止加热部对壳体的加热,控制供给部,以便向第2流路供给制冷剂。专利技术的效果根据本公开的各种方面和实施方式,能够缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间。附图说明图1是表示本公开的一实施方式中的处理装置的一个例子的概略图。图2是表示阀主体的一个例子的立体图。图3是表示安装于阀主体的热扩散套的一个例子的分解立体图。图4是表示向安装有热扩散套的阀主体安装的加热套的一个例子的分解立体图。图5是表示阀装置的一个例子的侧视图。图6是表示阀装置的一个例子的A-A剖视图。图7是表示空气的供给量与阀主体的壳体的温度之间的关系的一个例子的图。图8是表示成膜处理的一个例子的流程图。图9是表示各阀的状态和加热器的设定温度的一个例子的时序图。附图标记说明V1~V6、阀;V1a~V5a、致动器;W、晶圆;10、处理装置;11、处理容器;20a~20d、气体供给部;21a~21d、流量控制器;22a~22d、配管;23a~23b、配管;25、阀装置;30、阀主体;31~32、节流件;33、壳体;34、温度传感器;35、电缆;40、热扩散套;40a~40h、零件;41a~41b、42a、43e、44f、45g~45h、凹部;50、加热套;50a~50b、零件;60、压缩机;61、流量控制器;62、配管;63、流路。具体实施方式以下,基于附图详细地说明所公开的阀装置、处理装置、以及控制方法的实施方式。此外,所公开的阀装置、处理装置、以及控制方法并不被以下的实施方式限定。不过,出于耐腐蚀性、加工的容易性等观点考虑,气体的供给路径所包含的阀等构件大多使用不锈钢。若不锈钢在高温时暴露于含氟气体,则腐蚀。因此,在为了维持原料的气化而气体的供给路径被加热的装置中,需要在进行清洁之前将配管、阀等的温度冷却到不会被清洁气体腐蚀的温度。不过,在多个阀构成为1个单元的阀装置中,构成阀装置的金属构件的体积较大,因此,热容量较大。因此,为了将被加热器加热后的阀装置冷却到不会被清洁气体腐蚀的温度花费时间。因此,在开始清洁之前花费时间,处理装置的停止时间变长。因此,本公开提供一种能够缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间的技术。[处理装置的机构]图1是表示本公开的一实施方式中的处理装置10的一个例子的概略图。本实施方式中的处理装置10是使用ALD法而在作为被处理体的一个例子的晶圆W对预定的膜(例如钨膜)进行成膜的装置。处理装置10被设置于例如洁净室内。例如,如图1所示,处理装置10具备处理容器11。在处理容器11内设置有用于载置成膜对象的晶圆W的载置台12。在处理容器11的侧壁形成有用于输入和输出晶圆W的开口17,开口17被闸阀18开闭。另外,在处理容器11的上部设置有用于向处理容器11内供给气体的供给管13a和供给管13b。另外,在处理容器11的侧壁形成有排气口14,在排气口14经由排气管15连接有排气装置16。通过处理容器11内的气体被排气装置16排气,处理容器11内被维持在预定的真空度。另外,处理装置10具有气体供给部20a、气体供给部20b、气体供给部20c、以及气体供给部20d。气体供给部20a是前体气体的供给源。在本实施方式中,前体气体是例如六氯化钨(WCl6)气体。从气体供给部20a供给来的WCl6气体经由MFC(质量流量控制器,MassFlowController)等流量控制器21a和配管22a向阀装置25供给。此外,WCl6在常温下是固体,因此,气体供给部20a将WCl6加热成200℃以上(例如200℃)而将气化后的WCl6向流量控制器21a供给。另外,为了维持气体的状态的WCl6,流量控制器21a和配管22a也被未图示的加热机构加热成200℃以上(例如200℃)。气体供给部20b是非活性气体的供给源。在本实施方式中,非活性气体是例如氮(N2)气。从气体供给部20b供给来的N2气体经由流量控制器21b和配管22b向阀装置25供给。气体供给部20c是反应气体的供给源。在本实施方式中,反应气体是例如氢(H2)气。从气体供给部20c供给来的H2气体经由流量控制器21c和配管22c向阀装置25供给。前体气体、非活性气体、以及反应气体是处理气体的一个例子。气体供给部20d是用于对附着到处理容器11内的沉积物进行去除的清洁气体的供给源。在本实施方式中,清洁气体是含氟气体,例如是三氟化氯(ClF3)气体。从气体供给部20d供给来的ClF3气体经由流量控制器21d和配管22d向阀装置25供给。此外,清洁气体只要是含氟气体,就也可以是氟化氢(HF)气体等。处理装置10具有阀装置25。阀装置25具有阀主体30、热扩散套40、加热套50、以及阀V6。阀主体30具有阀V1~V5、节本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阀装置,其具备:/n多个阀,其控制向处理容器供给的多个处理气体的流通;/n壳体,其形成供所述处理气体流通的多个第1流路;/n热扩散部,其覆盖所述壳体,使所述壳体的热扩散;/n加热部,其覆盖由所述热扩散部覆盖着的所述壳体,隔着所述热扩散部对所述壳体进行加热;/n供给部,其向在所述壳体与所述热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂;以及/n控制部,其在对所述处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制所述加热部,以将所述壳体加热成第1温度,在开始所述处理容器的清洁之前停止所述加热部对所述壳体的加热,控制所述供给部,以便向所述第2流路供给所述制冷剂。/n

【技术特征摘要】
20180817 JP 2018-1537151.一种阀装置,其具备:
多个阀,其控制向处理容器供给的多个处理气体的流通;
壳体,其形成供所述处理气体流通的多个第1流路;
热扩散部,其覆盖所述壳体,使所述壳体的热扩散;
加热部,其覆盖由所述热扩散部覆盖着的所述壳体,隔着所述热扩散部对所述壳体进行加热;
供给部,其向在所述壳体与所述热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂;以及
控制部,其在对所述处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制所述加热部,以将所述壳体加热成第1温度,在开始所述处理容器的清洁之前停止所述加热部对所述壳体的加热,控制所述供给部,以便向所述第2流路供给所述制冷剂。


2.根据权利要求1所述的阀装置,其中,
所述制冷剂是常温的空气。


3.根据权利要求1或2所述的阀装置,其中,
在所述处理容器的清洁中,清洁气体经由任一个所述第1流路向所述处理容器内供给,
在所述壳体的温度成为比所述第1温度低的第2温度以下之后执行所述处理容器的清洁。


4.根据权利要求3所述的阀装置,其中,
所述清洁气体是含氟气体。


5.根据权利要求4所述的阀装置,其中,
所述清洁气体是ClF3气体。


6.根据权利要求3~5中任一项所述的阀装置,其中,
所述控制部在所述壳体的温度成为所述第2温度以下的情况下控制所述加热部,以使所述壳体的温度维持在所述第2温度。


7.根据权利要求6所述的阀装置,其中,
所述控制部在所述壳体的温度成为所述第2温度以下的情况下控制所述供给部,以停止所述制冷剂向所述第2流路的供给。


8.根据权利要求1~7中任一项所述的阀装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:木元大寿古屋雄一挂川崇小森荣一藤田英明森宏将
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1