基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。实施方式的基片处理装置包括涂敷线、第一输送部、热处理线和第二输送部。涂敷线在基片上涂敷处理液。第一输送部将基片输送到涂敷线。热处理线与涂敷线并排配置，对涂敷了处理液的基片进行热处理。第二输送部从涂敷线将涂敷了处理液的基片输送到热处理线。第一输送部将进行了热处理的基片从热处理线送出。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本公开涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种一边沿第一输送线输送基片一边在基片上形成光致抗蚀剂膜，并在使基片曝光后，一边沿第二输送线输送基片一边对基片进行显影处理的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-158253号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题本公开提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。用于解决技术问题的技术方案本公开的一个方面的基片处理装置包括涂敷线、第一输送部、热处理线和第二输送部。涂敷线在基片上涂敷处理液。第一输送部将基片输送到涂敷线。热处理线与涂敷线并排配置，对涂敷了处理液的基片进行热处理。第二输送部从涂敷线将涂敷了处理液的基片输送到热处理线。第一输送部将进行了热处理的基片从热处理线送出。专利技术效果采用本公开能够缩短基片处理装置的整体长度。附图说明图1是表示第一实施方式的基片处理装置的概略结构的俯视图。图2是表示第一实施方式的基片处理装置的局部概略结构的右侧视图(其之一)。图3是表示第一实施方式的基片处理装置的局部概略结构的右侧视图(其之二)。图4是表示第一实施方式的基片处理的流程图。图5A是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之一)。图5B是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之二)。图5C是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之三)。图5D是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之四)。图5E是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之五)。图5F是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之六)。图5G是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之七)。图5H是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之八)。图6是表示第二实施方式的基片处理装置的概略结构的俯视图。图7是表示第二实施方式的基片处理装置的局部概略结构的右侧视图。图8A是表示第二实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之一)。图8B是表示第二实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之二)。图8C是表示第二实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之三)。图8D是表示第二实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之四)。图8E是表示第二实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之五)。图8F是表示第二实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之六)。图8G是表示第二实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之七)。附图标记说明1基片处理装置3第一处理线(预处理线)4第二处理线(涂敷线)5第三处理线(热处理线)6第四处理线(显影处理线)7热处理单元8第一输送部9第二输送部10第三输送部25光致抗蚀剂涂敷单元31第一加热单元(加热部)32第二冷却单元(冷却部)50第二加热单元(显影加热部)51第三冷却单元(显影冷却部)60曝光系统61曝光装置(外部装置)62边缘装置(外部装置)70第二处理线(涂敷线)71第三处理线(热处理线)72第五处理线(显影热处理线)73第二输送部80第一加热单元(加热部)81第二冷却单元(冷却部)83载置部(分配部)90第二加热单元(显影加热部)91第三冷却单元(显影冷却部)。具体实施方式下面参照附图详细说明本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式。不过，本专利技术并不限于下述实施方式所公开的基片处理装置和基片处理方法。在下面参照的各图中，为使说明易于理解，定义彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并标出了以正Z轴方向为铅垂上方的正交坐标系。包含X轴方向和Y轴方向的面方向为水平方向。此外，此处定义以正X轴方向为前方、负X轴方向为后方的前后方向，和以负Y轴方向为右方、正Y轴方向为左方的左右方向。另外，定义以正Z轴方向为上方、负Z轴方向为下方的上下方向。(第一实施方式)＜整体结构＞参照图1～图3说明第一实施方式的基片处理装置1。图1是表示第一实施方式的基片处理装置1的概略结构的俯视图。图2是表示第一实施方式的基片处理装置1的局部概略结构的右侧视图(其之一)。图3是表示第一实施方式的基片处理装置1的局部概略结构的右侧视图(其之二)。基片处理装置1包括匣盒站2、第一处理线3、第二处理线4、第三处理线5、第四处理线6、热处理单元7、第一输送部8、第二输送部9、第三输送部10和控制装置11。在匣盒站2中载置有用于收纳多个玻璃基片S(下称“基片S”)的匣盒C。匣盒站2包括：可载置多个匣盒C的载置台12；和在匣盒C与第一处理线3之间以及在后述的检查单元(IP)33与匣盒C之间进行基片S的输送的输送装置13。输送装置13具有输送臂13a。输送臂13a能够在水平方向(前后方向和左右方向)和铅垂方向上移动。输送装置13还能够以铅垂轴为中心旋转。第一处理线3(预处理线之一例)对要输送到第二处理线4(涂敷线之一例)的基片S进行预处理。具体而言，第一处理线3包括准分子UV照射单元(e-UV)20、擦洗单元(SCR)21、预热单元(PH)22、粘接单元(AD)23和第一冷却单元(COL)24。在第一处理线3中，单元20～24在从匣盒站2去往曝光系统60的曝光装置61的方向上排列配置。具体而言，单元20～24按照准分子UV照射单元20、擦洗单元21、预热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24的顺序沿正X轴方向配置。此外，第一处理线3(预处理线之一例)配置在第四处理线6和后述的边缘装置62(外部装置之一例)的上方。准分子UV照射单元20从发射紫外光的紫外光灯对基片S照射紫外光，除去附着在基片S上的有机物。擦洗单元21一边对除去了有机物的基片S供给清洗液(例如去离子水(DIW))，一边利用清洗刷等清洗部件清洗基片S的表面。并且，擦洗单元21利用鼓风机等使清洗后的基片S干燥。预热单元22对由擦洗单元21干燥后的基片S进行加热，使基片S进一步干燥。粘接单元23在干燥的基片S上喷涂六甲基二硅烷(HMDS)，对基片S进行疏水处理。第一冷却单元24对进行了疏水处理后的基片S喷出冷风使基片S冷却。在第一处理线3中，基片S沿正X轴方向被平流式输送。例如，基片S由辊式输送机构14输送。辊式输送机构14通过利用驱动装置(未图示)使多个辊14a旋转来输送基片S。辊式输送机构14在图2中标示了一部分，其余则本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n在基片上涂敷处理液的涂敷线；/n将所述基片输送到所述涂敷线的第一输送部；/n与所述涂敷线并排配置，对涂敷了所述处理液的所述基片进行热处理的热处理线；和/n将涂敷了所述处理液的所述基片从所述涂敷线输送到所述热处理线的第二输送部，/n所述第一输送部将进行了所述热处理的所述基片从所述热处理线送出。/n

【技术特征摘要】
20180830 JP 2018-1609301.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
在基片上涂敷处理液的涂敷线；
将所述基片输送到所述涂敷线的第一输送部；
与所述涂敷线并排配置，对涂敷了所述处理液的所述基片进行热处理的热处理线；和
将涂敷了所述处理液的所述基片从所述涂敷线输送到所述热处理线的第二输送部，
所述第一输送部将进行了所述热处理的所述基片从所述热处理线送出。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
对要输送到所述涂敷线的所述基片进行预处理的预处理线；和
配置在所述预处理线的下方，对进行了所述热处理的所述基片进行显影处理的显影处理线。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述预处理线配置在外部装置的上方。


4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一输送部将所述基片从所述预处理线输送到所述涂敷线，并且将进行了所述热处理的所述基片输送到外部装置。


5.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
配置在所述预处理线的上方，对进行了所述显影处理的所述基片进行加热的显影加热部；和
配置在所述显影加热部的下方、所述预处理线的上方，对由所述显影加热部加热后的所述基片进行冷却的显影冷却部。


6.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
包括配置在所述预处理线的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：八寻俊一，梶原拓伸，坂井光广，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP