基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板处理方法及基板处理装置。本发明专利技术的基板处理方法具有：干式蚀刻工序，对基板进行干式蚀刻处理；湿式冲洗工序，将所述基板浸渍到冲洗液中；和露点设定工序，在所述基板从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动的空间中，将露点设为基准值以下。

Substrate treatment method and substrate treatment device

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及基板处理装置
本专利技术涉及一种基板处理方法及基板处理装置，特别是涉及一种适于在氯类的干式蚀刻之后使用的技术。
技术介绍
在以铝等为主成分的金属布线膜(金属膜)的干式蚀刻中，如果在使用氯类气体所进行的等离子体蚀刻之后直接将基板取出到大气中，则由于吸附在基板上的氯、大气中的水分和氧的影响，金属布线膜上发生腐蚀(侵蚀)。为了防止发生这种腐蚀，对于金属干式蚀刻来说，需要在蚀刻的后续工序中进行一些防腐处理。作为代表性的防腐工序，具有湿式冲洗、氧等离子体灰化、氟等离子体处理或加热处理。在专利文献1中记载有与使用硫代硫酸盐水溶液作为脱氯水溶液且利用单片(枚葉)冲洗器的湿式冲洗有关的技术。另外，如专利文献2所记载的那样，已知有通过层压多种金属而用于布线等的技术。专利文献1：日本专利公开平08-148466号公报专利文献2：日本专利公开2003-217867号公报然而，在专利文献1所记载的技术中，进行利用脱氯水溶液的湿式冲洗，但在完成利用氯类气体的干式蚀刻处理之后基板被运送至单片冲洗器的期间，由于气氛中的水分和基板上存在的氯气的影响，无法防止金属布线膜发生腐蚀(侵蚀)。此外，还要考虑在完成干式蚀刻处理之后，在基板移动至进行湿式冲洗处理的装置的空间中去除气氛中的水分。然而，在该情况下，如果在使用水溶液的冲洗器中，利用单片处理的冲洗工序每次去除气氛中的水分，则生产节拍时间巨长，从而不现实。特别是，在层压多种金属而成的层压金属布线中，因异种金属在不同金属彼此之间接触而发生腐蚀(电蚀)。已经确认因该腐蚀的影响而层压金属布线的灵敏度提高，并且在极短时间的接触或极其微量的水分的情况下，也有可能敏感地发生腐蚀(侵蚀)。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而提出的，其要实现以下目的。1、防止发生金属布线膜的腐蚀(侵蚀)。2、缩短生产节拍时间。3、防止发生因电蚀而变敏感的金属布线膜的腐蚀(侵蚀)。本专利技术人发现为了抑制干式蚀刻之后发生的侵蚀，若在完成干式蚀刻时刻到基板浸渍在湿式冲洗处理的冲洗液中的期间，使基板所暴露的气氛不含水分，即把蚀刻工序至冲洗工序的基板移动时的露点设为基准值以下，则能够有效地防止发生腐蚀，并且以如下方式完成了本专利技术。本专利技术的一方式的基板处理方法具有：干式蚀刻工序，对基板进行干式蚀刻处理；湿式冲洗工序，将所述基板浸渍到冲洗液中；和露点设定工序，在所述基板从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动的空间中，将露点设为基准值以下。由此，解决上述问题。本专利技术的一方式的基板处理方法还可以具有：露点测量工序，测量所述基板所移动的所述空间的所述露点；和运出判断工序，在由所述露点测量工序测量的所述露点为所述基准值以下的情况下，判断为从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板，并且在由所述露点测量工序测量的所述露点为所述基准值以上的情况下，判断为不从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板。在本专利技术的一方式的基板处理方法中，也可以储存由所述干式蚀刻工序处理的多张所述基板，在所述湿式冲洗工序中将储存的多张所述基板同时浸渍到所述冲洗液中。在本专利技术的一方式的基板处理方法中，也可以将由所述干式蚀刻工序处理的多张所述基板储存在盒中。在本专利技术的一方式的基板处理方法中，也可以在所述露点设定工序中，在所述空间的内部的冲洗槽中储存所述冲洗液且进行密闭，在所述湿式冲洗工序中，解除所述冲洗槽的密闭并将所述基板浸渍到冲洗液中。本专利技术的一方式的基板处理方法还可以具有：冲洗槽运入工序，在所述露点设定工序之前，以密闭所述冲洗槽的状态，将所述冲洗槽运入到所述空间中；和冲洗槽运出工序，在所述露点设定工序之后，以密闭所述冲洗槽的状态，从所述空间运出所述冲洗槽。本专利技术的一方式的基本处理装置具有：干式蚀刻室，用于对基板进行干式蚀刻处理；冲洗槽，用于储存冲洗液，并且具有能够密闭的盖部，所述冲洗槽通过在所述冲洗液中浸渍所述基板来进行湿式冲洗；手套箱，能够收纳所述冲洗槽；露点测量计，用于测量所述手套箱的露点；露点设定部，用于设定所述手套箱的露点；和运出部，用于将由所述干式蚀刻室处理后的所述基板从所述干式蚀刻室运出到所述手套箱的所述冲洗槽中，在所述运出部从所述干式蚀刻室向所述手套箱的所述冲洗槽运出所述基板时，所述露点设定部将由所述露点测量计测量的所述手套箱的内部的露点设定在基准值以下。由此，解决上述问题。本专利技术的一方式的基板处理装置也可以具有盒，所述盒用于储存由所述干式蚀刻室处理后的多张所述基板，并且将多张所述基板同时浸渍到所述冲洗槽的所述冲洗液中。本专利技术的一方式的基板处理方法具有：干式蚀刻工序，对基板进行干式蚀刻处理；湿式冲洗工序，将所述基板浸渍到冲洗液中；和露点设定工序，在从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板的空间中，将露点设为基准值以下。在此，为了在湿式冲洗工序中利用冲洗液对基板进行冲洗处理，需要在使基板经过冲洗液所暴露的空间而移动之后，使基板与冲洗液接触或者将基板浸渍到冲洗液内。因此，在基板即将与冲洗液接触之前，基板暴露于成为含有由冲洗液发生的水分的气氛的空间。但是，通过该露点设定工序，在从干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板之前，通过事先将基板所移动的空间的露点设定为基准值以下，从而能够维持基板周围的气氛的露点为基准值以下的状态。其结果，在从干式蚀刻工序向湿式冲洗工序移动基板的空间中，能够得到只含有比发生腐蚀的水分量更少的水分的状态。由此，能够防止空间中存在的水分与在干式蚀刻中残留在基板上的氯等蚀刻气体反应而在基板上的金属布线发生腐蚀(侵蚀)或损坏。此外，将基板所移动的空间的露点设定为基准值以下的情况优选至少维持在空间内移动基板的前后之间，除此以外的进行湿式冲洗工序的期间(时间)或进行冲洗液更换等维护的期间(时间)等的其他时间也可以具有露点上升的情况。此外，可以与金属布线的腐蚀灵敏度即易腐蚀何种程度的金属布线的情况相对应地设定露点的基准值。由此，在具有腐蚀灵敏度高且耐腐蚀性低的层压金属布线的基板的情况下，也能够防止发生腐蚀(侵蚀)或发生损坏。本专利技术的一方式的基板处理方法具有：露点测量工序，测量所述基板所移动的所述空间的所述露点；和运出判断工序，在由所述露点测量工序测量的所述露点为所述基准值以下的情况下，判断为从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板，并且在由所述露点测量工序测量的所述露点为所述基准值以上的情况下，判断为不从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板。由此，测量基板所移动的空间的露点，且在测量出的露点并非基准值以下的情况下，将基板所移动的空间的露点再次设定为基准值以下。另一方面，在测量出的露点为基准值以下的情况下，移动基板并进行湿式冲洗处理。由此能够切实地防止发生腐蚀(侵蚀)或发生损坏。在本专利技术的一方式的基板处理方法中，储存由所述干式蚀刻工序处理的多张所述基板，在所述湿式冲洗工序中将储存的多张所述基板同时浸渍到所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，具有：/n干式蚀刻工序，对基板进行干式蚀刻处理；/n湿式冲洗工序，将所述基板浸渍到冲洗液中；和/n露点设定工序，在所述基板从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动的空间中，将露点设为基准值以下。/n

【技术特征摘要】
20180830 JP 2018-1619171.一种基板处理方法，具有：
干式蚀刻工序，对基板进行干式蚀刻处理；
湿式冲洗工序，将所述基板浸渍到冲洗液中；和
露点设定工序，在所述基板从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动的空间中，将露点设为基准值以下。


2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，还具有：
露点测量工序，测量所述基板所移动的所述空间的所述露点；和
运出判断工序，在由所述露点测量工序测量的所述露点为所述基准值以下的情况下，判断为从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板，并且在由所述露点测量工序测量的所述露点为所述基准值以上的情况下，判断为不从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
储存由所述干式蚀刻工序处理后的多张所述基板，
在所述湿式冲洗工序中将储存的多张所述基板同时浸渍到所述冲洗液中。


4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
将由所述干式蚀刻工序处理后的多张所述基板储存在盒中。


5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
在所述露点设定工序中，在所述空间的内部的冲洗槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：长田大和，上村隆一郎，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP