溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元。阴极单元具有靶、磁铁单元和磁铁单元扫描部。在位于摆动区域的轮廓边附近的端部产生的磁力密度和在所述摆动区域的中央部产生的磁力密度被均匀化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及溅射装置，尤其涉及用于具有磁控管阴极的成膜的适当技术。

技术介绍

1、在具有磁控管阴极的成膜装置中，已知以提高靶的利用效率等为目的，使磁铁相对于靶移动的方式。

2、还已知如专利文献1所公开的技术那样，以提高成膜均匀性等为目的，除了磁铁的移动，还使阴极及靶相对于被成膜基板摆动的方式。

3、另外，已知如专利文献2所公开的技术那样，以防止所产生的颗粒对溅射处理室内的成膜带来不良影响为目的等，使磁铁及阴极摆动的方式。

4、进而，作为使被成膜基板相对于磁铁及阴极摆动的技术，本申请人公开了如专利文献3那样的技术。

5、专利文献1：日本专利公开2009－41115号公报

6、专利文献2：日本专利公开2012－158835号公报

7、专利文献3：日本专利第6579726号公报

8、然而，即便是如上述那样使磁铁相对于靶扫描(摆动)的技术，也存在非溅蚀区域成为颗粒产生原因的情况。例如，有时由于产生非溅蚀区域，而在磁铁摆动范围中的靠近边缘部的成膜区域的周边部附近的区域中产生颗粒。因本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种溅射装置，其中，

2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

3.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，

4.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

5.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

6.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

7.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

8.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

9.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

10.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

11.根据权利要求10所述的溅射装置，其中，p>

12.根据...

【技术特征摘要】

1.一种溅射装置，其中，

2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

3.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，

4.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

5.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

6.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，

7.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：北沢僚也，高木大，石榑文昭，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：