【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如卷绕式成膜装置等真空处理装置、以及其使用的静电吸盘和运送辊。
技术介绍
1、以往，已知有如下方式的真空蒸镀装置：一边将从放卷辊连续放出的长条的原料膜卷绕在冷却用辊上，一边使来自与该冷却用辊相向配置的蒸发源的蒸发物质蒸镀在原料膜上，用卷绕辊卷绕蒸镀后的原料膜。在这种真空蒸镀装置中，为了防止蒸镀时的原料膜的热变形，一边使原料膜粘附在冷却用辊的周面并冷却，一边进行成膜处理。因此，如何确保原料膜相对于冷却用辊的粘附作用成为重要的问题。
2、作为提高原料膜与冷却用辊之间的粘附力的结构，例如在下述专利文献1中公开了如下技术：在冷却用辊与卷绕原料膜的卷绕部之间配置辅助辊，该辅助辊与原料膜的成膜面上蒸镀的金属膜接触，通过对这些冷却用辊与辅助辊之间施加直流电压，在原料膜上的金属膜与冷却用辊之间产生静电吸附力，提高原料膜相对于冷却用辊的粘附作用。
3、同样，在下述专利文献2中公开了：在利用上述的冷却用辊与原料膜之间的静电吸附作用而在原料膜的两面形成金属膜的技术中，与在冷却用辊的表面形成的绝缘体层相关的技术。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本专利第3795518号公报；
7、专利文献2：日本专利第5481239号公报。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、在利用冷却用辊与原料膜之间的静电吸附作用的成膜方法中，它们之间的绝缘耐压成为问题。例如，设置在冷却用辊的外周面的绝缘层通常
3、此外，作为提高冷却用辊与原料膜之间的绝缘耐压的方法，可以考虑增大冷却用辊表面的绝缘层的厚度。但是，热喷涂膜的厚度越大则越脆弱，有因龟裂、剥离等原因而降低吸附力的风险。
4、另外，这样的问题不限于卷绕式的真空处理装置，在向半导体晶圆、玻璃衬底成膜时等中用于支承这些衬底的工作台的静电吸盘也同样存在。在这种工作台中，已知有使he等冷却用气体在静电吸盘的表面与衬底的背面之间循环的结构，在这种情况下，当在支承衬底的背面的静电吸盘的绝缘层产生绝缘击穿时，引起工作台与衬底的粘附力降低的风险较高。
5、鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种能够实现兼顾吸附力和绝缘耐压的真空处理装置、静电吸盘及运送辊。
6、用于解决问题的方案
7、本专利技术的一个方式的真空处理装置具有：真空腔室、支承体、以及表面处理单元。
8、所述支承体具有基底部和表面层。所述基底部配置在所述真空腔室内且由导电体构成。所述表面层由电介质构成且覆盖所述基底部的表面。所述表面层具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支承面。
9、所述表面处理单元对吸附在所述支承面的所述基材的表面进行处理。
10、所述表面层的厚度为200μm以上且800μm以下，所述支承面的表面粗糙度(ra)为0.06μm以上且0.2μm以下，并且截面高度50％以上的支承长度率为90％以上。
11、在本专利技术中，将所述表面层的厚度设为200μm以上且800μm以下，将支承基材的支承面的表面粗糙度(ra)设为0.06μm以上且0.2μm以下，并且将截面高度50％以上的支承长度率设为90％以上，由此，提高基材与支承体的表面层的粘附力，从而实现兼顾吸附力和绝缘耐压。此外，由于基材与表面层的粘附力提高，它们之间的传热效率也提高，由此能够抑制基材的热变形。
12、所述表面层的厚度可以为400μm以上且600μm以下。由此，能够进一步提高表面层的绝缘耐压。
13、所述表面层可以是含有氧化钛的氧化铝。除了氧化钛以外，也可以添加碳、sic等。作为除此之外构成表面层的电介质材料，也可以使用pbn、sin、al2o3、zro、mgo、sio、cro、cao、aln等。
14、所述基材能够采用长条的膜，在此情况下，所述支承体可以是被所述基材卷绕、对所述基材进行运送的至少一个运送辊。
15、由此，能够在基材的长边方向连续地进行基材的表面处理。
16、或者，所述基材能够采用半导体衬底或玻璃衬底，在此情况下，所述支承体可以是载置所述基材的工作台。
17、所述真空处理装置也可以进一步具有第一电压供给电路。所述第一电压供给电路具有：辅助辊，其配置在所述运送辊的下游侧或上游侧，与所述基材的一个主面接触；以及电压源，其对所述辅助辊与所述运送辊之间施加直流电压。在此情况下，所述表面处理单元可以包括对所述基材的所述一个主面蒸镀导电材料的第一成膜单元。
18、或者，所述真空处理装置也可以进一步具有第二电压供给电路。所述第二电压供给电路具有：辅助辊，其配置在所述运送辊的上游侧或下游侧，与成膜有导电材料的所述基材的一个表面接触；以及电压源，其对所述辅助辊与所述运送辊之间施加直流电压。在此情况下，所述表面处理单元可以包括对所述基材的另一个主面蒸镀导电材料的第二成膜单元。
19、所述真空处理装置也可以进一步具有：除静电单元，其对所述基材或所述运送辊照射用于对所述基材进行除静电的带电粒子。由此，能够抑制来自运送辊的基材的剥离带电，因此能够在将基材从运送辊剥离时有效地抑制放电的产生。
20、本专利技术的一个方式的静电吸盘具有：基底部和表面层。
21、所述基底部由导电体构成。
22、所述表面层由电介质构成且覆盖所述基底部的表面，具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支承面。
23、所述表面层的厚度为200μm以上且800μm以下，所述支承面的表面粗糙度(ra)为0.06μm以上且0.2μm以下，并且截面高度50％以上的支承长度率为90％以上。
24、本专利技术的一个方式的运送辊具有：能够旋转的筒状的基底部、以及表面层。
25、所述基底部由导电体构成。
26、所述表面层由电介质构成且覆盖所述基底部的表面，具有静电吸附作为处理对象的长条的膜的支承面。
27、所述表面层的厚度为200μm以上且800μm以下，所述支承面的表面粗糙度(ra)为0.06μm以上且0.2μm以下，并且截面高度50％以上的支承长度率为90％以上。
28、专利技术效果
29、根据本专利技术，能够实现兼顾吸附力和绝缘耐压。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种真空处理装置，具有：
2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，
3.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，
4.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，
5.根据权利要求3所述的真空处理装置，其中，
6.根据权利要求3所述的真空处理装置，其中，
7.根据权利要求5或6所述的真空处理装置，其中，
8.一种静电吸盘，具有：
9.一种运送辊，具有：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种真空处理装置，具有：
2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，
3.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，
4.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，
5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：菊池亨，前平谦，小山晃一，桥本雄介，藤本信也，中村慎太郎，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：
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