【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蚀刻液，尤其涉及一种钼铝蚀刻液及其制备方法。
技术介绍
1、在tft-lcd面板领域，钼铝钼和钼铝结构为gate和s/d层的主流结构，一般情况下要求膜层蚀刻角度在40-60°之间，而由于al的蚀刻速度快，导致膜层结构的角度过大，后段会出现漏电风险，使器件的可靠性降低。
2、专利号为cn111270238a的专利技术专利公开了一种钼铝兼容蚀刻液及蚀刻方法，其配方中含有氯酸不稳定，在加热时会分解生成高氯酸和氯气和氧气，对人体有害，且溶液中加入高氯酸，会有可能蚀刻速率不稳定。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出了蚀刻稳定，蚀刻角度均一，蚀刻角度平滑的钼铝蚀刻液。
2、本专利技术的技术方案是这样实现的：一方面，本专利技术提供了一种钼铝蚀刻液，所述蚀刻液的原料包括磷酸、硝酸、同时含有羟基和羧基的弱酸、羟肟酸和去离子水。
3、在以上技术方案的基础上，优选的，按照质量百分数为100％计算，所述蚀刻液的原料包括40％-55％的磷酸、3％-8％的硝酸、15％-20％的同时含有羟基和羧基的弱酸、3％-5％的羟肟酸，余量为去离子水。
4、具体的，钼和铝在磷酸、硝酸的作用下氧化成钼离子和铝离子，羟肟酸与金属离子钼、铝螯合，形成配合物，配合物在同时含有羟基和羧基的弱酸的作用下形成一层保护性的覆盖层，阻止钼离子、铝离子再吸附到基板上，确保蚀刻角度的均一性，增加了蚀刻液的寿命。因此，同时含有羟基和羧基的弱酸与羟肟酸协同作用螯合金属离子，阻止了
5、在以上技术方案的基础上，优选的，所述蚀刻液的原料还包括peg200。
6、具体的，角度差异和磷酸残留基板都会导致tft-lcd面板mura(视觉缺陷)产生，peg-200的粘度低，且能均匀的分散在膜层中，在膜层形成过程中发挥乳化的作用；peg-200可与羟肟酸形成配合物，溶解于蚀刻液中，促进金属铝和钼的持续蚀刻，增加蚀刻角度均一性和稳定性，避免角度内缩；同时还可以降低膜层的表面张力，减少金属离子残留，避免mura产生。
7、其次，蚀刻液粘度过大，也会出现蚀刻角度不正常情况，加入peg-200会降低蚀刻液粘度，避免此类情况出现。
8、在以上技术方案的基础上，优选的，按照质量百分数为100％计算，所述蚀刻液的原料包括40％-55％的磷酸、3％-8％的硝酸、15％-20％的同时含有羟基和羧基的弱酸、3％-5％的羟肟酸、1％-3％的peg200，余量为去离子水。
9、在以上技术方案的基础上，优选的，所述蚀刻液的原料还包括钾盐。
10、具体的，硝酸在水溶液中容易挥发，但当与钾盐混合时，钾离子会与硝酸根离子形成较稳定的盐类，从而减少硝酸的挥发性，增加蚀刻液的使用寿命。
11、在以上技术方案的基础上，优选的，按照质量百分数为100％计算，所述蚀刻液的原料包括40％-55％的磷酸、3％-8％的硝酸、15％-20％的同时含有羟基和羧基的弱酸、3％-5％的羟肟酸、1％-3％的peg200、1％-3％钾盐，余量为去离子水。
12、在以上技术方案的基础上，优选的，所述同时含有羟基和羧基的弱酸为丙醇酸、葡萄糖酸、2-羟基丙酸、4-羟基丁酸、羟基亚乙基二膦酸和乙二胺四甲基膦酸中的一种或多种组合。
13、在以上技术方案的基础上，优选的，羟肟酸为水杨基羟肟酸或苯羟肟酸。
14、在以上技术方案的基础上，优选的，所述钾盐为氯化钾、硝酸钾和醋酸钾中的一种或多种组合。
15、另一方面，本专利技术还提供了一种钼铝蚀刻液的制备方法，其特征在于：将磷酸和硝酸加入去离子水中，搅拌均匀后，在搅拌状态下缓慢加入同时含有羟基和羧基的弱酸和羟肟酸，再次搅拌均匀后加入钾盐和peg200，搅拌使其溶解，然后将混合液抽滤后收集滤液即为钼铝蚀刻液。
16、本专利技术的一种钼铝蚀刻液及其制备方法相对于现有技术具有以下有益效果：
17、(1)本专利技术蚀刻液不含氯酸和高氯酸，蚀刻液稳定，不会出现加热分解，损害人体健康的问题。磷酸、硝酸将钼和铝氧化成钼离子和铝离子，羟肟酸与金属离子钼、铝螯合，形成配合物，配合物在同时含有羟基和羧基的弱酸的作用下形成一层保护性的覆盖层，阻止钼离子、铝离子再吸附到基板上，确保蚀刻角度的均一性。
18、(2)本专利技术蚀刻液中的peg-200在膜层形成过程中发挥乳化和稳定的作用；peg-200可与羟肟酸形成配合物，溶解于蚀刻液中，促进金属铝和钼的持续，增加蚀刻角度均一性和稳定性，避免角度内缩；同时还可以降低膜层的表面张力，减少金属离子残留，避免mura产生。
19、(3)本专利技术蚀刻液中的钾盐的钾离子会与硝酸根离子形成较稳定的盐类，从而减少硝酸的挥发性，增加蚀刻液的使用寿命。
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1.一种钼铝蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的原料包括磷酸、硝酸、同时含有羟基和羧基的弱酸、羟肟酸和去离子水。
2.如权利要求1所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：按照质量百分数为100％计算，所述蚀刻液的原料包括40％-55％的磷酸、3％-8％的硝酸、15％-20％的同时含有羟基和羧基的弱酸、3％-5％的羟肟酸，余量为去离子水。
3.如权利要求1所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的原料还包括PEG200。
4.如权利要求3所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：按照质量百分数为100％计算，所述蚀刻液的原料包括40％-55％的磷酸、3％-8％的硝酸、15％-20％的同时含有羟基和羧基的弱酸、3％-5％的羟肟酸、1％-3％的PEG200，余量为去离子水。
5.如权利要求3所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的原料还包括钾盐。
6.如权利要求5所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：按照质量百分数为100％计算，所述蚀刻液的原料包括40％-55％的磷酸、3％-8％的硝酸、15％-20％的同时含有羟基和羧基的弱酸、3％-5
7.如权利要求1所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：所述同时含有羟基和羧基的弱酸为丙醇酸、葡萄糖酸、2-羟基丙酸、4-羟基丁酸、羟基亚乙基二膦酸和乙二胺四甲基膦酸中的一种或多种组合。
8.如权利要求1所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：羟肟酸为水杨基羟肟酸或苯羟肟酸。
9.如权利要求5所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：所述钾盐为氯化钾、硝酸钾和醋酸钾中的一种或多种组合。
10.如权利要求6所述的一种钼铝蚀刻液的制备方法，其特征在于：将磷酸和硝酸加入去离子水中，搅拌均匀后，在搅拌状态下缓慢加入同时含有羟基和羧基的弱酸和羟肟酸，再次搅拌均匀后加入钾盐和PEG200，搅拌使其溶解，然后将混合液抽滤后收集滤液即为钼铝蚀刻液。
...【技术特征摘要】
1.一种钼铝蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的原料包括磷酸、硝酸、同时含有羟基和羧基的弱酸、羟肟酸和去离子水。
2.如权利要求1所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：按照质量百分数为100％计算，所述蚀刻液的原料包括40％-55％的磷酸、3％-8％的硝酸、15％-20％的同时含有羟基和羧基的弱酸、3％-5％的羟肟酸，余量为去离子水。
3.如权利要求1所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的原料还包括peg200。
4.如权利要求3所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：按照质量百分数为100％计算，所述蚀刻液的原料包括40％-55％的磷酸、3％-8％的硝酸、15％-20％的同时含有羟基和羧基的弱酸、3％-5％的羟肟酸、1％-3％的peg200，余量为去离子水。
5.如权利要求3所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的原料还包括钾盐。
6.如权利要求5所述的一种钼铝蚀刻液，其特征在于：按照质量百分数...
【专利技术属性】
技术研发人员：王丹宇，李泰亨，白晓鹏，赵方方，王泽，陈红波，董童威，
申请(专利权)人：易安爱富武汉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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