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本发明的一个方式的真空处理装置具有真空腔室、支承体以及表面处理单元。所述支承体具有基底部和表面层。所述基底部配置在所述真空腔室内，由导电体构成。所述表面层由电介质构成，覆盖所述基底部的表面。所述表面层具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支...
该专利属于株式会社爱发科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社爱发科授权不得商用。

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