静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术的一例示性实施方式所涉及的静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。

Electrostatic chuck, focusing ring, support platform, plasma treatment device and plasma treatment method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处理方法
本专利技术的例示性实施方式涉及一种静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处理方法。
技术介绍
在电子器件的制造中，对基板适用等离子体处理。在等离子体处理中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室及支撑台。支撑台包括静电卡盘。基板在腔室内载置于静电卡盘上，并由静电卡盘保持。为了提高等离子体处理的均匀性，聚焦环以包围基板边缘的方式搭载于静电卡盘上。这种等离子体处理装置记载于专利文献1及专利文献2。在记载于专利文献1的等离子体处理装置中，静电卡盘具有中心部及外周部。基板载置于中心部上。中心部相对于外周部朝上方突出。中心部的直径比基板的直径小。聚焦环搭载于外周部上。聚焦环以包围基板边缘的方式搭载于外周部上。基板的边缘区域配置于聚焦环的内边缘部分上。在记载于专利文献2的等离子体处理装置中，静电卡盘具有平坦的上表面。聚焦环搭载于静电卡盘的上表面上。基板在由聚焦环包围的区域内，载置于静电卡盘的上表面上。基板边缘与聚焦环彼此分开。因此，基板边缘与聚焦环之间的间隙使静电卡盘暴露。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-122740号公报专利文献2：日本特开2012-104579号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题在等离子体处理中，基板上方的电场与聚焦环上方的电场之差需要小，以在径向上均匀处理基板。并且，需要抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘的损伤。r>用于解决技术课题的手段在一例示性实施方式中，提供一种用于支撑基板及聚焦环的静电卡盘。静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。专利技术效果根据一例示性实施方式所涉及的静电卡盘，在等离子体生成于该静电卡盘上方的状态下，载置于第1区域上的基板上方的电场与载置于第2区域上的聚焦环上方的电场之差减小。并且，通过在提供于第1区域与第2区域之间的空间内容纳物体，能够抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘的损伤。附图说明图1是概略表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图2是表示一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图3是表示一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图4是表示另一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图5是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图6是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图7是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图8是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图9是表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。图10是表示一例示性实施方式所涉及的聚焦环搭载于静电卡盘上的状态的剖视图。具体实施方式以下，对各种例示性实施方式进行说明。在一例示性实施方式中，提供一种用于支撑基板及聚焦环的静电卡盘。静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。根据一例示性实施方式所涉及的静电卡盘，第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。因此，在等离子体生成于该静电卡盘上方的状态下，载置于第1区域上的基板上方的电场(例如电场强度)与搭载于第2区域上的聚焦环上方的电场(例如电场强度)之差减小。并且，通过在提供于第1区域与第2区域之间的空间内容纳物体，可抑制源自等离子体的化学物质通过基板与聚焦环之间的间隙而到达静电卡盘。因此，可抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘的损伤。在一例示性实施方式中，构成第1区域的介电质材料与构成第2区域的介电质材料可以彼此相同。在该实施方式中，第1区域的厚度与第2区域的厚度彼此相等。在一例示性实施方式中，第1区域及第2区域中一区域的介电常数可以比另一区域的介电常数低。在该实施方式中，一区域的厚度比另一区域的厚度薄。在一例示性实施方式中，静电卡盘还可具备设置于第1区域与第2区域之间的第3区域。第3区域与第1区域和第2区域连接，以使第1区域、第2区域及第3区域一体化。第1区域与第2区域之间的空间是提供于第1区域与第2区域之间且提供于第3区域上的槽。在一例示性实施方式中，第1区域及所述第2区域可分别由彼此分离的不同部件形成。在另一例示性实施方式中，提供一种聚焦环。在等离子体处理装置中，聚焦环以包围基板边缘的方式配置。聚焦环具备第1部分及第2部分。第1部分具有环形状。第2部分具有环形状，且与第1部分共用中心轴线。第1部分在第2部分上延伸。第2部分的内径比第1部分的内径小。第2部分的外径比第1部分的外径小。若该聚焦环的第1部分搭载于上述静电卡盘的第2区域上，则第2部分可被容纳于第1区域与第2区域之间的空间。因此，通过第2部分，可抑制源自等离子体的化学物质通过基板与聚焦环之间的间隙而到达静电卡盘。因此，根据该聚焦环，可抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘的损伤。在又一例示性实施方式中，提供一种支撑台。支撑台具备电极及静电卡盘。静电卡盘搭载于电极上。静电卡盘是上述各种例示性实施方式中的任一个静电卡盘。在一例示性实施方式中，支撑台还可具备聚焦环。聚焦环是上述例示性实施方式所涉及的聚焦环。在该支撑台中，聚焦环的第1部分搭载于静电卡盘的第2区域上。聚焦环的第2部分容纳于由静电卡盘提供的上述空间内。在又一例示性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室及支撑台。支撑台构成为在腔室内支撑基板。支撑台具有电极及静电卡盘。静电卡盘搭载于电极上。静电卡盘是上述各种例示性实施方式中的任一个静电卡盘。在一例示性实施方式中，等离子体处理装置还可具备聚焦环。聚焦环是上述例示性实施方式所涉及的聚焦环。在该等离子体处理装置中，聚焦环的第1部分搭载于静电卡盘的第2区域上。聚焦环的第2部分容纳于由静电卡盘提供的上述空间内。在又一例示性实施方式中，提供一种利用上述例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置来执行的等离子体处理方法。等离子体处理方法包括将聚焦环搭载于静电卡盘上的工序、将基板载置于静电卡盘上的工序及处理基板的工序。处理基板的工序在聚焦环搭载于静电卡盘上且在基板载置于静电卡盘上的状态下，利用形成于腔室内的等离子体来进行。在该等离子体处理中，使用上述例示性实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电卡盘，其用于支撑基板及聚焦环，所述静电卡盘具备：/n第1区域，具有第1上表面且构成为保持载置于该第1上表面上的基板；及/n第2区域，具有第2上表面，以包围所述第1区域的方式沿周向延伸且构成为支撑载置于该第2上表面上的聚焦环，/n所述第1上表面和所述第2上表面沿单一的平坦面延伸，/n所述第1区域和所述第2区域在其之间提供将所述第1上表面与所述第2上表面彼此分开的空间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180612 JP 2018-1119721.一种静电卡盘，其用于支撑基板及聚焦环，所述静电卡盘具备：
第1区域，具有第1上表面且构成为保持载置于该第1上表面上的基板；及
第2区域，具有第2上表面，以包围所述第1区域的方式沿周向延伸且构成为支撑载置于该第2上表面上的聚焦环，
所述第1上表面和所述第2上表面沿单一的平坦面延伸，
所述第1区域和所述第2区域在其之间提供将所述第1上表面与所述第2上表面彼此分开的空间。


2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
构成所述第1区域的介电质材料和构成所述第2区域的介电质材料彼此相同，
所述第1区域的厚度与所述第2区域的厚度彼此相等。


3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
所述第1区域及所述第2区域中一区域的介电常数比另一区域的介电常数低，
所述一区域的厚度比所述另一区域的厚度薄。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘，其还具备：
第3区域，设置于所述第1区域与所述第2区域之间，
所述第3区域与所述第1区域和所述第2区域连接，以使所述第1区域、所述第2区域及所述第3区域一体化，
所述空间是提供于所述第1区域与所述第2区域之间且提供于所述第3区域上的槽。


5.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘，其中，
所述第1区域及所述第2区域分别由彼此分离的不同部件形成。


6.一种聚焦环，其在等离子体处理装置中以包围基板边缘的方式配置，所述聚焦环具备：
第1部分，具有环形状；及
第2部分，具有环形状且与所述第1部分共用中心轴线，
所述第1部分在所述第2部分上延伸，
所述第2部分的内径比所述第1部分的内径小，
所述第2部分的外径比所述第1部分的外径小。


7.一种支撑台，其具备：
电极；及
权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘，该静电卡盘搭载于所述电极上。


8.根据权利要求7所述的支撑台，其还具备：
聚焦环，
所述聚焦环具有：
第1部分，具有环形状；及
第2部分，具有环形状且与所述第1部...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木康晴，松山升一郎，内田阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP