【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法
以下的公开涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体制造中广泛地利用使用等离子体进行的处理(以下也称为等离子体处理)。为了提高半导体制造的成品率以使质量提高，研究在作为处理对象的半导体晶圆的面内提高等离子体的均匀性来使蚀刻等的等离子体处理的均匀性提高。例如，在专利文献1中提出了以下结构：为了使蚀刻速率的均匀性提高，将等离子体处理装置内的上部电极分割为两个部分，将对各个部分施加的直流电压设为可独立地变更。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-239012号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供通过控制等离子体处理时的电子密度的峰位置能够提高等离子体处理的均匀性的技术。用于解决问题的方案在公开的实施方式中，等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。处理容器能够进行真空排气。...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：/n处理容器，其能够进行真空排气；/n下部电极，其在所述处理容器内载置被处理基板；/n环状构件，其被载置在所述下部电极的外周部上；/n内侧上部电极，其在所述处理容器内以与所述下部电极相向的方式配置；/n外侧上部电极，其在所述处理容器内以与所述内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于所述内侧上部电极的径向外侧；/n处理气体供给部，其向所述内侧上部电极及所述外侧上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；/n第一高频供电部，其将用于通过高频放电来生成所述处理气体的等离子体的第一高频施加于所述下部电极或者所述内侧上部电极和所述外侧上...
【技术特征摘要】
20181203 JP 2018-2265671.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：
处理容器，其能够进行真空排气；
下部电极，其在所述处理容器内载置被处理基板；
环状构件，其被载置在所述下部电极的外周部上；
内侧上部电极，其在所述处理容器内以与所述下部电极相向的方式配置；
外侧上部电极，其在所述处理容器内以与所述内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于所述内侧上部电极的径向外侧；
处理气体供给部，其向所述内侧上部电极及所述外侧上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；
第一高频供电部，其将用于通过高频放电来生成所述处理气体的等离子体的第一高频施加于所述下部电极或者所述内侧上部电极和所述外侧上部电极；以及
第一直流供电部，其对所述外侧上部电极施加可变的第一直流电压，
其中，所述外侧上部电极的在所述处理空间中露出的面的至少一部分处于比所述内侧上部电极的在所述处理空间中露出的面靠上方的位置。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述外侧上部电极的外周部具有随着去向径向外侧而向所述处理空间侧突出的锥形状。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述内侧上部电极的外周部具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：塚原利也，山边周平，谷地晃汰，佐藤徹治，内田阳平，铃木步太，田村洋典，花冈秀敏，佐佐木淳一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。