在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用技术

本发明专利技术提供了在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用。该在硅基体中蚀刻沟槽的方法包括：在硅基体的上表面上形成保护图案；利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，在实现较窄的沟槽宽度时也可以得到需求的沟槽深度，所形成的沟槽接近垂直、无损伤、平坦光滑，且纵横比高。

Etching groove in silicon substrate and its application

【技术实现步骤摘要】
在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用
本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用。
技术介绍
目前各种功率整流器件广泛应用在人们的生活和生产中，功率整流器件也朝着低功耗和低成本方向发展，要求更低的正向开启电压和正向导通电阻、更高的电流密度及更快的反向恢复时间。而低正向肖特基整流器件(TMBS整流器件)具有沟槽结构，沟槽之间的宽度和深度对肖特基势垒降低效应影响显著，沟槽的宽度越窄和沟槽的深度越深，肖特基表面的电场强度越小，这样有利于器件的反向漏电流的降低和反向击穿电压的升高。同时，随着沟槽深度的增加，TMBS整流器件的反向击穿电压会随之升高，升高的速率也会逐渐变缓。因此，通过设置较深的沟槽深度，可使TMBS整流器件得到更高的反向击穿电压。然而，根据现有的产品蚀刻工艺，通过LAM490/4420等机台制作较深的沟槽存在以下问题：①在较窄的沟槽宽度时无法得到器件需求的沟槽深度。②达到需求深度的同时无法形成无损伤、平滑垂直的沟槽侧壁。因而，现有的在硅基体中蚀刻沟槽的方法仍有待改进。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种在硅基体中蚀刻沟槽的方法，其特征在于，包括：/n在硅基体的上表面上形成保护图案；/n利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种在硅基体中蚀刻沟槽的方法，其特征在于，包括：
在硅基体的上表面上形成保护图案；
利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述混合气体中，所述氯气、所述溴化氢、和所述氦氧气体的流量比为(22.5-27.5)：(31.5-38.5)：(3-5)。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氯气、所述溴化氢、和所述氦氧气体流量比为25：35：4。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氦氧气体中，氦气和氧气的流量比为7:3，氦气和氧气通过同一管路通入反应腔室。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括对所述蚀刻混合气体施加磁场。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述蚀刻在P-500poly蚀刻腔室中进行，所述蚀刻满足以下条件的至少一种：
阴极温度为55-65摄氏度；
Wall温度为60-70摄氏度；
蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱炜彬，
申请(专利权)人：宁波比亚迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33