【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】提高了耐等离子体特性的等离子体蚀刻装置用构件及其制造方法
本专利技术涉及光等离子体蚀刻装置用构件及其制造方法，更详细而言，涉及一种利用稀土类金属薄膜的热扩散现象来改善等离子体蚀刻装置用构件的耐等离子体特性的技术。
技术介绍
在半导体制造工序中，为了硅晶片等基板电路的高集成化所需的微细加工，等离子体干式蚀刻工序的重要性呈现越来越重要的趋势。等离子体蚀刻工序由于可以使得竖直蚀刻率远大于水平蚀刻率，因而可以适宜地控制蚀刻的图案的最终纵横比。如果实际使用等离子体蚀刻工序，则可以形成在厚度约1微米左右的膜中具有大纵横比的极精细的图案。执行这种干式蚀刻工序的装备内腔室环境，随着加工水平的微细化而要求高清洁性。但是，在微细加工用各种工艺中，使用氟化物、氯化物等腐蚀性强的气体，这种工序气体存在不仅腐蚀晶片，还腐蚀腔室内部的问题。为了在这种环境下使用，正在将耐等离子体抵抗性优秀的材料用作腔室构件，代表性的有耐酸铝、氧化铝烧结体、石英构件等。其中，就石英构件而言，尽管干式等离子体蚀刻率高于其他材料但却依然...
【技术保护点】
1.一种等离子体蚀刻装置用构件的制造方法，包括如下步骤：/na)通过真空沉积法，将稀土类金属薄膜在基板上沉积0.01μm～2.0μm厚度的步骤；及/nb)将所述沉积了稀土类金属薄膜的基板在大气、氮气、氧气或氩气气氛下，以1000℃～2000℃热处理2小时～40小时时间的步骤。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20170914 KR 10-2017-01178411.一种等离子体蚀刻装置用构件的制造方法，包括如下步骤：
a)通过真空沉积法，将稀土类金属薄膜在基板上沉积0.01μm～2.0μm厚度的步骤；及
b)将所述沉积了稀土类金属薄膜的基板在大气、氮气、氧气或氩气气氛下，以1000℃～2000℃热处理2小时～40小时时间的步骤。
2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置用构件的制造方法，其中，
所述真空沉积法为电子束物理气相沉积法或溅射法(Sputtering)。
3.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置用构件的制造方法，其中，
所述稀土类金属为钇、镱、钐中任意一种以上。
技术研发人员：郑洞勳，高贤哲，金善台，
申请(专利权)人：KOMICO有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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