球状氟氧化钇基粉末及其制备方法、氟氧化钇基涂层技术

本发明专利技术涉及球状氟氧化钇(YOF)基粉末的制备方法，详细而言，涉及一种如下的球状YOF基粉末的制备方法，将添加到等离子体射流中并熔融的YOF基粉末以液滴状态喷射到冷媒并进行快速冷却，从而通过球状化来提高致密度并调节成分比。比。比。

【技术实现步骤摘要】
球状氟氧化钇基粉末及其制备方法、氟氧化钇基涂层


[0001]本专利技术涉及球状氟氧化钇(YOF)基粉末的制备方法，涉及一种如下的球状YOF基粉末的制备方法，即通过YOF基粉末的球状化来调节颗粒的致密度及成分比，使利用其来制备的涂布膜具有提高的密度、硬度及等离子体抗性。

技术介绍

[0002]最近，半导体工艺的高集成度和超细线宽技术需要在高密度等离子体、高清洁度、过度的电冲击等超极端环境下进行等离子体刻蚀工序。尤其，使用含化学反应性强的卤素元素如F、Cl或Br等的反应性气体的等离子体蚀刻工序，在晶圆表面蚀刻各种沉积材料，同时与腔内的金属或陶瓷部件发生化学及物理反应，损坏部件表面并产生非挥发性污染颗粒。
[0003]因此，近年来，对在金属或陶瓷部件的表面表现出优异的耐等离子体抗性的陶瓷材料的涂布的兴趣大大增加，代表性地，广泛应用氧化钇(Y2O3)涂布。
[0004]氧化钇(Y2O3)具有高熔点(2450℃)及化学稳定性，且结晶稳定性高达2300℃，尤其，Y2O3具有通过对F基团优异的化学稳定性，根据钇的高原子质量的高耐离子碰撞性，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种球状氟氧化钇基粉末的制备方法，其特征在于，包括：a步骤，向等离子体射流中添加氟氧化钇基粉末并进行熔融，b步骤，通过将所述熔融的氟氧化钇基液滴喷射到冷媒来制备球状氟氧化钇基粉末，以及c步骤，在进行所述b步骤后，去除所述冷媒，对所述球状氟氧化钇基粉末进行干燥；在所述b步骤中，喷射所述熔融的氟氧化钇基液滴时，从喷射排出口到所述冷媒表面的隔开距离为400mm至600mm。2.根据权利要求1所述的球状氟氧化钇基粉末的制备方法，其特征在于，所述冷媒选自水、N2及Ar中的一种以上。3.根据权利要求1所述的球状氟氧化钇基粉末的制备方法，其特征在于，所述氟氧化钇基粉末为具有Y
x
O
y
F
z
的化学式的粉末...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪基源，方晟植，郑东勋，
申请(专利权)人：KOMICO有限公司，
类型：发明
国别省市：